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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电化学电源的设计和组件-CN200910226599.X有效
发明人：王丛桦 -专利权人： 沙诺夫公司
申请日： 2005-05-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：本发明涉及电化学电源的设计和组件。本发明尤其是提供了离子传导膜组件，其包括：多孔芯以及将该多孔芯夹在中间的两个离子传导膜；其中所述多孔芯适于保持离子传导液体。
电化学电源设计组件

[发明专利]静电放电保护电路-CN200680009716.1无效
发明人：彼得·万萨科尔;本杰明·万卡普;奥利弗·马瑞查尔;吉尔特·韦伯;史蒂文·辛吉斯;格尔德·沃蒙特 -专利权人：沙诺夫欧洲公司;沙诺夫公司
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有可控硅整流器(SCR)的静电放电(ESD)保护电路，该可控硅整流器(SCR)具有多个SCR指条(SCR)，其优点在于，通过耦合不同的指条或SCR来减少多触发问题并增强电路的ESD性能。此外，还可引入升压电路，或者另外可以通过共基极来固有地耦合多个SCR。
静电放电保护电路

[发明专利]体电阻控制技术-CN200680008126.7无效
发明人：本杰明·万卡姆普;格尔德·沃蒙特 -专利权人：沙诺夫欧洲公司;沙诺夫公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种用于提供ESD保护的MOS晶体管器件，包括至少一个具有源区、漏区和在源区和漏区之间配置的沟道区上面形成的栅区的交错指状物。该晶体管器件进一步包括在交错指状物中至少一个指状物内形成的至少一个隔离栅。该器件能够进一步包括经由通过二极管、MOS、电阻器、电容器、电感器、短路等等至少其中之一与源区、漏区和栅区至少其中之一耦接的体连接。该体连接是优选通过隔离栅来隔离的。
电阻控制技术

[发明专利]通过电源状态检测的ESD箝位控制-CN200780013425.4无效
发明人： B·柯宾斯;B·范坎普;A·本斯;P·万萨科尔;S·辛吉斯 -专利权人： 沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明通过控制触发电路来防止对器件的不希望触发，提供对ESD保护电路的改进。该电路包括具有触发电路的ESD箝位电路，其中触发电路耦合到该箝位电路。箝位电路和触发电路都耦合到第一参考电位。该电路还包括耦合到触发电路的控制线。该控制线耦合到第二参考电位，以便进一步控制触发电路的行为，使得当电提供到第二参考电位时，控制线禁用触发电路，而当电不提供到第二参考电位时，控制线使能触发电路。
通过电源状态检测 esd 箝位控制

[发明专利]阱电势触发ESD保护-CN200710307618.2无效
发明人：本杰明·范坎普 -专利权人： 沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种阱电势触发ESD保护。在本发明的用于提供ESD保护的集成电路中包括具有至少一个交错叉指的晶体管器件，该交错叉指具有衬底区域、源区、漏区和在位于源区和漏区之间的沟道区上形成的栅区。晶体管器件进一步包括与源区相邻地形成的至少一个高掺杂结，以测量衬底区域的电压。该集成电路进一步包括连接到至少一个高掺杂结的开关电路，使得电压传输到开关电路，以吸取所有的ESD电流或者触发以吸取所有的ESD电流。
电势触发 esd 保护

[发明专利]集成电路的CDM ESD保护-CN200810099281.5无效
发明人： B·V·坎普;B·索尔格洛斯 -专利权人： 沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路(IC)的带电器件模型(CDM)静电放电(ESD)保护电路。ESD保护电路包括第一导电型的衬底；在衬底上第一阱上形成并且耦合到焊垫的第二导电型的MOS元件；在第一阱与衬底之间形成以分离第一阱和衬底的具有第二导电型的隔离阱/区。另外，该电路包括耦合到隔离阱/区的ESD箝位电路。在正常电源操作下，ESD箝位电路断路。在CDM ESD事件期间，在衬底和MOS元件中累积的CDM电荷由ESD箝位电路去除从而防止对IC的损坏。
集成电路 cdm esd 保护

[发明专利]用于改进的静电放电保护的方法和设备-CN200810210397.1无效
发明人： P·万萨科尔;O·马瑞查尔;B·索尔格洛斯;B·柯宾斯;J·V·D·博特 -专利权人： 沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司
申请日： 2008-03-10 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于改进的静电放电保护的方法和设备，具体公开了一种设备，其具有用于保护具有多个电源域的集成电路(IC)的域间静电放电(ESD)保护电路。该保护电路响应ESD事件，在不同的电源域之间提供ESD保护。更具体地，该保护电路包括至少一个连接到一个电源域的箝位，其在ESD事件期间传导电流，从而在两个不同的电源域之间的接口线路中提供额外电流。该额外电流又增加了接口线路上的阻抗元件的电压，从而改进了ESD保护电路的设计余量，并且为IC产品提供了更好的ESD保护能力。
用于改进静电放电保护方法设备

[发明专利]防潮磷光体和LED发光器件-CN200680052182.0无效
发明人：田永驰;P·N·约克姆;杨立友;G·弗里德瑞克逊;R·希姆斯 -专利权人： 沙诺夫公司
申请日： 2006-10-12 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L29/22 文献下载
摘要：本发明提供了涂覆有氧化物涂层的光致发光磷光体，该磷光体包含(1)选自(a)金属硫代镓酸盐磷光体和(b)金属硫化物磷光体的无机磷光体和(2)包含具有至少一种氧化物的至少一个层的涂层。本发明的涂覆光致发光磷光体比其未涂覆时更能抵抗水致劣化。
防潮磷光体 led 发光器件

[发明专利]金属硅酸盐卤化物磷光体以及使用其的LED发光器件-CN200680052223.6无效
发明人：田永驰;P·N·约克姆 -专利权人： 沙诺夫公司
申请日： 2006-10-12 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C09K11/77 文献下载
摘要：本发明涉及特定的金属硅酸盐卤化物(卤化硅酸盐)磷光体、具有氧化物涂层的该磷光体、制造该磷光体的方法、以及用该磷光体修改的基于发光二极管(LED)的发光器件。
金属硅酸盐卤化物磷光体以及使用 led 发光器件

[发明专利]箝位电路的静电放电保护-CN200710152672.4无效
发明人：巴特·索尔格洛斯;巴特·柯宾斯;本杰明·范坎普 -专利权人： 沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种箝位电路的静电放电保护，针对的是像集成电路保护电路中的SCR那样的ESD箝位电路。在发明的一种情况中，该SCR具有至少一个高掺杂的第一区其形成在第一低掺杂区里，一个高掺杂的第二区，其形成在第二低掺杂区里。这个电路进而包括至少一个保护环，其连接到SCR的至少一个触发接头，用来收集ESD电流，从而提供SCR的更快和更容易的触发。
箝位电路静电放电保护

[发明专利]减少锁住风险的静电放电保护结构-CN200710149442.2无效
发明人：本杰明·范坎普 -专利权人： 沙诺夫公司;沙诺夫欧洲公司
申请日： 2007-05-23 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明涉及减少锁住风险的静电放电保护结构，并且具体公开了一种在具有受保护电路的半导体集成电路(IC)中的ESD保护电路，以防止ESD箝位的误触发。该电路包括作为ESD箝位的SCR，其具有适于连接到第一电压源的阳极和适于连接到第二电压源的阴极。该电路还包括连接在SCR的至少一个第一触发抽头和第一电压源之间的至少一个噪声电流缓冲器(NCB)，以使该SCR的第一触发抽头连接到电源。
减少锁住风险静电放电保护结构

[发明专利]基于SCR的半导体装置-CN200680008882.X有效
发明人：本杰明·万坎姆 -专利权人：沙诺夫欧洲公司;沙诺夫公司
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种有第一和第二半导体装置的半导体结构装置，在该两个装置之间形成有助该两装置耦合的可控硅整流器(SCR)，以提供更大的设计灵活性及增强的触发，为的是改进该装置的ESD性能。
基于 scr 半导体装置

[发明专利]金属硅酸盐－氧化硅基多形态荧光体和发光装置-CN200680008866.0有效
发明人：田永驰 -专利权人： 沙诺夫公司
申请日： 2006-03-23 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明特别提供了依据下式的荧光体：[(BvSiO₃)_x(Mv₂SiO₃)_y(Tv₂(SiO₃)₃)_z]_m·(SiO₂)_n：Rε，X(I)，其中，x、y和z为任何值，其中x+y+z＝1；Bv为一种或多种二价碱土金属离子，Mv为一种或多种一价碱金属离子，Tv为一种或多种三价金属离子；Rε为一种或多种选自Eu²⁺或Mn²⁺离子的激活剂，X为一种或多种卤化物，m为1或0，条件是如果m为1并且提供对支持有用发光有效的氧化硅量，则n大于3，或者如果m为0，则n为1。
金属硅酸盐氧化基多形态荧光发光装置

[发明专利]用于改进ESD性能的方法和设备-CN200680008125.2无效
发明人：本杰明·万卡姆普;格尔德·沃蒙特 -专利权人：沙诺夫欧洲公司;沙诺夫公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：本发明提供一种用于改进ESD保护的集成电路和形成这种集成电路的方法。这种集成电路包括衬底和在衬底上面形成的绝缘层。电路还包括在绝缘层上面形成的场效应晶体管(FET)。FET包含第一导电类型势阱区。电路还包含与FET耦接的势阱电阻器以便为电路提供镇流。势阱电阻器也包含第一导电类型的势阱区。
用于改进 esd 性能方法设备

[发明专利]电化学电源的设计和组件-CN200580020505.3无效
发明人：王丛桦 -专利权人： 沙诺夫公司
申请日： 2005-05-12 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01M8/10 文献下载
摘要：本发明尤其是提供了离子传导膜组件，其包括：多孔芯以及将该多孔芯夹在中间的两个离子传导膜；其中所述多孔芯适于保持离子传导液体。
电化学电源设计组件

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