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[发明专利]一种单晶体生长炉的热屏装置-CN202310364691.2在审
发明人：郑义三;崔时荣;沈福哲;李丞济 -专利权人：安徽联效科技有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶体制备领域，具体说是一种单晶体生长炉的热屏装置，包括单晶体生长炉、机体外壳、绝热材料、坩埚、加热器、晶锭、热屏以及循环冷却系统，解决了现有的生长炉内部设置的热屏在对制备不同直径大小的晶锭时，通常需要对整个热屏结构体进行变更，这不仅会提高安装人员施工难度，增加安装人员的劳动强度，还会延长更换热屏时耗，从而降低单晶体的制备效率，同时在生产力方面也是低效的；除此之外，在长期的使用过程中发现，热屏装置虽然有利于单晶体热量的释放，以提高其生长效率，但是热屏本身并不能够主动散热，使得实际生产过程中单晶体温度梯度的增大效果不明显，相应的单晶体生长速度的提升幅度也有限的问题。
一种单晶体生长装置

[发明专利]一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉-CN202011102898.5有效
发明人：杨文武;沈福哲;宋振亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开提供一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉，包括：加热器主体；绝缘保护罩，包括套设于加热器主体外侧面的筒状罩体及设置于加热器主体的底部开口端的底部遮挡板，底部遮挡板的中部设有通孔，通孔内设有绝缘轴承套，底部遮挡板通过绝缘轴承套固定于坩埚的坩埚轴上，以使底部遮挡板在坩埚轴带动下运动；导向组件，包括导轨和滑动件，导轨设置在加热器主体的侧面，导轨的导向方向与坩埚轴的轴向相同，滑动件连接至加热器主体，滑动件以可移动方式设置在导轨上，滑动件在加热器主体带动下沿导轨运动。本公开单晶炉热场加热器组件及单晶炉，具有加热效果好、升温快、热场温度稳定等特点，有利于长晶过程中晶棒的无缺陷生长，提高晶棒的良率。
一种单晶炉热场加热器组件单晶炉

[发明专利]单晶炉热场加热器及单晶炉-CN202011053337.0有效
发明人：杨文武;沈福哲 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种单晶炉热场加热器及单晶炉，所述单晶炉热场加热器包括：边部主加热器及辅助加热器，所述边部主加热器和所述辅助加热器均为两端开口的筒状结构，所述边部主加热器和所述辅助加热器均包括相对的顶部开口端和底部开口端；所述辅助加热器套设于所述边部主加热器外，且所述辅助加热器的顶部开口端伸出所述边部主加热器的顶部开口端外。本公开实施例提供的单晶炉热场加热器及单晶炉，具有加热效果好、升温快、热场温度稳定等特点，有利于长晶过程中晶棒的无缺陷生长，提高晶棒的良率。
单晶炉热场加热器单晶炉

[实用新型]一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉-CN202120221631.1有效
发明人：杨文武;沈福哲;金珍根 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开提供一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉，所述测量熔硅液面位置的定位销包括：第一杆，所述第一杆包括相对弯折的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分均为杆体结构，所述第二部分包括相对的第一端和第二端，所述第一部分连接在所述第二部分的所述第一端；第二杆，所述第二杆为杆体结构，所述第二杆包括相对的第三端和第四端，所述第三端连接在所述第二部分的所述第二端，且所述第二杆与所述第二部分同轴设置；其中所述第二部分和所述第二杆中的至少一个在杆体内部设有不透光物。本公开提供的测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉，可提高Melt Gap测量的准确性。
一种测量液面位置定位熔炉

[发明专利]一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉-CN202011124772.8在审
发明人：杨文武;沈福哲 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉，该单晶炉泄漏引流装置包括：设置于坩埚的底部的防漏盘，包括盘底面和围绕盘底面四周边缘设置的防漏边沿，盘底面和防漏边沿围设形成容置腔；连接在防漏盘的中部的筒状管，筒状管包括中空的内管和外管，内管和外管之间形成空腔，筒状管包括相对的第一端和第二端，第一端连接于盘底面的中部，空腔在第一端开口，形成与防漏盘的容置腔相通的进液口，筒状管上设有排液口；轴承套，坩埚轴穿设于内管内，轴承套连接在内管与坩埚轴之间。本发明提供的单晶炉泄漏引流装置及单晶炉，能够避免硅溶液侵蚀破坏其他热场部件，提高设备应对溢流风险的能力，减少安全隐患甚至事故的发生，减少损失，提高设备的稼动率。
一种单晶炉泄漏引流装置

[发明专利]一种单晶炉的组合套筒及单晶炉-CN202010909017.4在审
发明人：杨文武;沈福哲 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶炉的组合套筒及单晶炉，所述组合套筒包括：内筒、外筒、环形底盘和套管，所述内筒呈倒锥形，所述内筒的上端与所述外筒的上端连接，所述外筒的下端与所述环形底盘的外缘部密封连接，所述内筒的下端与所述环形底盘的上表面固定连接，所述套管穿设固定于所述环形底盘的环口内。根据本发明实施例的组合套筒，在保持硅熔液固、液气三相交界点稳定的前提下，保证惰性气体有序稳定地从硅熔液表面掠过，在带走一氧化硅气体的同时，可以使硅熔液部分热量向晶棒表面传输，减小了晶棒下端的边缘轴向温度差以及边缘轴向温度差与中心轴向温度差的差值，使其接近于理想值，使得晶棒快速度过缺陷形核长大的温度区间，最终制得高品质的晶棒。
一种单晶炉组合套筒

[发明专利]一种硅熔液液面位置的检测装置及单晶炉-CN202010818550.X在审
发明人：杨文武;沈福哲 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明提供一种硅熔液液面位置的检测装置及单晶炉，所述检测装置包括：双头吊钩，所述双头吊钩位于所述组合套筒的内侧，所述双头吊钩的上端与所述组合套筒的侧壁固定连接，所述双头吊钩的下端向下伸出于所述组合套筒的底部，用于在硅熔液液面形成倒影；检测单元，所述检测单元用于捕捉所述双头吊钩的下端在所述硅熔液液面上形成的倒影成像。根据本发明实施例的检测装置，通过利用双头吊钩在硅熔液液面形成稳定且清晰的倒影，使检测单元能够通过准确捕捉倒影继而测得硅熔液液面的准确位置，从而确保了拉晶过程中各项参数的调节的准确性，提高了制得的晶棒的品质。
一种硅熔液液面位置检测装置单晶炉

[发明专利]单晶炉热场加热器及单晶炉-CN202010838279.6在审
发明人：杨文武;沈福哲 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种单晶炉热场加热器及单晶炉，所述单晶炉热场加热器，包括：加热器主体，所述加热器主体为环绕单晶炉热场内的坩埚设置的筒状结构，包括顶部开口端、底部开口端、及位于所述顶部开口端与所述底部开口端之间的外周侧面；及，绝缘保护罩，所述绝缘保护罩为筒状罩体，罩设于所述加热器主体外，且至少覆盖住所述筒状结构的顶部开口端、所述筒状结构的底部开口端和所述筒状结构的外周侧面。本公开实施例的单晶炉热场加热器及单晶炉，能够阻止氩气流对加热器的侵蚀及SiO2的沉积，提高加热器的使用寿命，同时减少加热器的热量损失，减少成本。
单晶炉热场加热器单晶炉

[实用新型]一种单晶炉套筒装置和单晶炉-CN202120166296.X有效
发明人：杨文武;沈福哲;金珍根 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉套筒装置和单晶炉，单晶炉套筒装置包括：套筒和桶形导流板，桶形导流板的底部开设有拉晶口，套筒设置于桶形导流板的内部，套筒包括导流筒和直壁筒，导流筒的上内壁面呈倒锥形，导流筒的下内壁面呈与直壁筒的外侧面相适配的圆柱形，直壁筒穿设于导流筒内与导流筒的下内壁面连接，直壁筒与拉晶口贯通。根据本实用新型实施例的单晶炉套筒装置，可以有效阻挡硅熔液飞溅到套筒和晶棒上，而沉积在石英材质的桶形导流板上的硅料可通过酸洗或者高温火焰喷烧进行去除，不影响下次拉晶，另外，也可以避免套筒上的杂质掉落到硅熔液中，还可以使惰性气体充分掠过硅熔液表面，及时带走一氧化硅气体，从而提高制得的单晶硅棒的品质。
一种单晶炉套筒装置

[发明专利]一种单晶炉热场结构、单晶炉及晶棒-CN202010505348.1在审
发明人：毛勤虎;沈福哲;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶炉热场结构、单晶炉及晶棒，其特征在于，包括：炉体，所述炉体的内部中央设有坩埚；侧部加热器，所述侧部加热器设置于所述坩埚外围；导流组件，所述导流组件设置于所述侧部加热器和所述坩埚之间，用于与所述坩埚的外壁形成气体流动通道以将气体排出所述炉体外。根据本发明实施例的单晶炉热场结构，可以通过形成的气体流动通道对通入单晶炉内的气体进行引导排出炉外，以对炉内的加热器进行隔离保护，避免气体中裹挟的一氧化硅对加热器造成损坏，从而提高炉内加热器的使用寿命、确保加热器的正常工作。
一种单晶炉热场结构单晶炉

[发明专利]一种组合套筒、单晶炉及单晶硅棒-CN202010386357.3在审
发明人：杨文武;沈福哲;宋振亮;毛勤虎 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种组合套筒、单晶炉及单晶硅棒，所述组合套筒设于导流筒内，包括：内筒，所述内筒的最小内径大于晶棒的直径；套设于所述内筒外的外筒，所述外筒的一端形成有外凸缘，所述外凸缘用于与导流筒的底部搭接；设置于所述内筒和所述外筒之间的隔热层。根据本发明实施例的组合套筒，具备更优的调节晶棒轴向温度差的能力，调节范围广，有利于晶棒的无缺陷生长，从而提高晶棒的整体品质。
一种组合套筒单晶炉单晶硅

[发明专利]一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉-CN202010419341.8有效
发明人：杨文武;沈福哲 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉，该单晶炉热场加热器组件包括：设置于单晶炉热场内的坩埚底部的底部加热器，底部加热器的中部设有通孔，通孔内设有绝缘轴承套，底部加热器通过绝缘轴承套固定于坩埚的坩埚轴上，以使底部加热器在坩埚轴带动下运动；至少一组导向组件，包括导轨和滑动件，导轨设置在底部加热器的侧面，导轨的导向方向与坩埚轴的轴向相同，滑动件连接至底部加热器，滑动件以可移动方式设置在导轨上，滑动件在底部加热器带动下沿导轨运动。本发明的单晶炉热场加热器组件及单晶炉，可改善相关技术中单晶炉热场内坩埚底部保温场不稳定和硅液沉积现象，提高晶棒长晶过程中底部温度场的稳定性，提升晶棒的整体品质。
一种单晶炉热场加热器组件单晶炉

[实用新型]一种拉晶炉-CN202023046389.3有效
发明人：毛勤虎;沈福哲;金珍根;车贤湖 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种拉晶炉，包括：炉体，炉体内限定有腔室，炉体的顶部设有与腔室连通的拉晶口，炉体的底壁设有与腔室连通的出口；基座，基座设在腔室内；坩埚，坩埚设在基座上；排气结构，排气结构包括排气管与活动件，排气管设在出口中；活动件设在排气管中，且活动件止抵排气管的内侧壁，活动件的至少部分沿排气管的内侧壁可活动。在本实用新型的实施例中，通过活动件的至少部分沿排气管的内侧壁的活动可以清理排气管的内侧壁上的沉积物，解决了排气管内壁沉积物不易清理的问题，使得尾气正常排出，避免影响拉晶炉内的气压，有利于晶体的稳定生长。
一种拉晶炉

[实用新型]一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉-CN202022897671.6有效
发明人：宋振亮;沈福哲 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉，所述拉晶炉可以包括：限定出炉腔的炉壁；位于所述炉腔内并用于容纳熔融硅的坩埚，其中，所述坩埚在拉晶过程中升起以使所述熔融硅的液面处于固定的水平高度处；设置在所述坩埚的径向外侧的坩埚加热器；设置在所述坩埚和所述坩埚加热器的上方以用于将保护气体引导至所述熔融硅的液面的导流筒；设置在所述导流筒与所述炉壁之间的隔热环，所述隔热环用于抑制所述坩埚加热器产生的热量朝向所述炉壁的顶部散失；提升机构，所述提升机构用于提升所述隔热环以使得在所述坩埚升起的过程中不会被所述隔热环阻挡。
一种用于拉制单晶硅拉晶炉

[发明专利]晶体等径生长控制方法及晶体等径生长控制装置-CN202110019609.3在审
发明人：毛勤虎;沈福哲;金珍根 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体等径生长控制方法，包括：S1：设置等径过程中晶体生长的参数，其中，晶体生长的参数包括晶体直径；S2：获取预设时间段内的晶棒的平均生长拉速，所述预设时间段包括当前时间点之前的第一子预设时间段和当前时间点之后的第二子预设时间段；S3：将步骤S2中获得的所述平均生长拉速与当前时间点的预设目标拉速进行对比，并输出对比结果；S4：根据所述对比结果控制晶棒生长温度。本发明还涉及一种晶体等径生长控制装置。
晶体生长控制方法装置

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