“沈棕杰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于铝氧化物的RRAM及其制备方法-CN201811128573.7有效
发明人： 沈棕杰;戚燕菲;赵春;赵策洲;杨莉;张艺;罗天;黄彦博 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电子器件技术领域基于铝氧化物的RRAM及其制备方法，包括由下至上层叠设置的基底、阻变氧化层和上电极层；所述基底包括绝缘层和下电极层；所述阻变氧化层为Al2O3薄膜层；所述上电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的上电极，所述上电极在远离阻变氧化层的表面设有金属保护层。本发明采用溶液法工艺制造阻变氧化层，实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
基于氧化物 rram 及其制备方法

[发明专利]具有多级存储功能的突触忆阻器及其制备方法-CN202110647275.4在审
发明人： 沈棕杰;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多级存储功能的突触忆阻器，包括绝缘衬底、形成在绝缘衬底上的第一电极层、形成在第一电极层上的第一阻变层、形成在第一阻变层上的第二阻变层、形成在第二阻变层上的第二电极层、以及形成在第二电极层上的保护层，第一阻变层的材料为氧化铝，第二阻变层的材料为氧化锌，以实现全阻态范围的多级变化。该忆阻器功耗小、工作电压小，工作电压的绝对值小于1V，阻值变化范围更大，所存储的数据量更大且能够实现在全阻态范围的多级变化；采用纯溶液法制备，操作简单方便，成本低，设备和和原料投资较少可用于大面积制备，实现大规模工业应用；实现了类人脑突触器件的多级存储功能，展示了该器件作为神经网络组成部分的重要潜能。
具有多级存储功能突触忆阻器及其制备方法

[发明专利]具有类突触长期可塑性的忆阻器及其制备方法-CN202110060974.9在审
发明人： 沈棕杰;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有类突触长期可塑性的忆阻器，其包括自下而上依次层叠的基底、第一阻变层、第二阻变层及顶电极层，基底包括自下而上层叠设置的绝缘层和底电极层，第一阻变层由氧化铝制备，第二阻变层由氧化镓制备。相比于单层纯金属氧化层的忆阻器，本发明得到的忆阻器的阻变效果更好，功耗小、工作电压小，其绝对值小于1V，器件的耐受性和稳定性也有所提高；采用纯溶液法制备，操作简单方便，成本低，设备和和原料投资较少可用于大面积制备，实现大规模工业应用；使用单质金属或单质金属化合物材料作为顶电极层，替代了传统的氧化物材料，降低了成本和优化了制备工艺；该忆阻器实现了类突触器件的长期可塑性。
具有突触长期可塑性忆阻器及其制备方法

[发明专利]掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法-CN202011267838.9在审
发明人： 沈棕杰;赵春;赵策州;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法，该阻变式随机存取存储器包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述阻变氧化层为掺杂二硫化钼粉末的氧化石墨烯层，所述基底包括上下层叠设置的底电极层和绝缘层。该掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法实现了低成本的RRAM制备，能满足大批量低成本的工业化生产需求。
掺杂二维材料阻变式随机存取存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于生物材料的RRAM及其制备方法-CN201911299513.6在审
发明人：戚燕菲;袁宇丹;沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于生物材料的RRAM的制备方法，包括：在底电极层上制备阻变氧化层，所述阻变氧化层为采用溶液法制备的茭白薄膜层；通过蒸发镀膜法将上电极材料镀制在阻变氧化层上，形成上电极层。可以实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。相比传统阻变材料，生物材料资源丰富，取材方便，降低了成本。同时其可水溶可降解特性具有良好的环境友好性，可用作于保密存储系统或医疗等特殊场合。所制得的半透明器件可应用于透明电子学器件。
一种基于生物材料 rram 及其制备方法

[实用新型]一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器-CN201920971159.6有效
发明人： 沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;罗天;张艺;黄彦博 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器，包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述顶电极层包括若干个设置在阻变氧化层上的顶电极；所述阻变氧化层为掺杂金属氧化层。本案中的金属氧化层以及掺杂粉末均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层或双层纯金属氧化层的RRAM器件，掺杂RRAM器件阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
一种掺杂金属氧化物阻变式随机存取存储器

[发明专利]基于镧氧化物的RRAM及其制备方法-CN201911049301.2在审
发明人： 沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;黄彦博;温嘉铖 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于镧氧化物的RRAM，包括由下至上依次层叠设置的基底、阻变氧化层和上电极层；所述基底包括透明玻璃层和下电极层；所述阻变氧化层为La2O3薄膜层；所述上电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的上电极，所述上电极在远离阻变氧化层的表面设有金属保护层。采用溶液法工艺制造阻变氧化层，实现低成本RRAM的制备，并且得到的RRAM阻变效果好，设备和原料投资较少，可用于大面积RRAM器件的制备，实现大规模工业应用。
基于氧化物 rram 及其制备方法

[实用新型]一种双氧化层RRAM-CN201920491530.9有效
发明人： 沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;罗天;张艺;孙艺 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型属于电子器件技术领域，具体保护基于金属氧化物的双氧化物层RRAM及其制备方法。双氧化物层RRAM包括由上至下层叠设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述阻变氧化层为由上至下层叠设置的In₂O₃和Al₂O₃双层金属氧化层；所述顶电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的顶电极，实用新型所述顶电极在远离阻变氧化层的表面设有保护层；所述基底包括底电极层和绝缘层。本实用新型对两层金属氧化层均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层金属氧化层的RRAM器件，阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
阻变氧化层本实用新型金属氧化层层叠设置顶电极层双氧化物顶电极基底制备绝缘层金属氧化物底电极层电子器件工业应用工艺制备双层金属阻变特性保护层低成本溶液法氧化层单层两层投资

[发明专利]一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器及制备方法-CN201910559817.5在审
发明人： 沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;罗天;张艺;黄彦博 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器及制备方法，包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述顶电极层包括若干个设置在阻变氧化层上的顶电极；所述阻变氧化层为掺杂金属氧化层；制备具体步骤包括：a）基底清洗；b）制备阻变氧化层；c）制备顶电极层；d）制备保护层。本案中的金属氧化层以及掺杂粉末均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层或双层纯金属氧化层的RRAM器件，掺杂RRAM器件阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
制备阻变氧化层顶电极层掺杂金属氧化物随机存取存储器氧化层掺杂制备具体步骤金属氧化层掺杂金属工业应用工艺制备基底清洗阻变特性保护层纯金属低成本顶电极溶液法单层基底投资

[发明专利]一种双氧化层RRAM及其制备方法-CN201910292557.X在审
发明人： 沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;罗天;张艺;孙艺 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于电子器件技术领域，具体保护基于金属氧化物的双氧化物层RRAM及其制备方法。双氧化物层RRAM包括由上至下层叠设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述阻变氧化层为由上至下层叠设置的In₂O₃和Al₂O₃双层金属氧化层；所述顶电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的顶电极，所述顶电极在远离阻变氧化层的表面设有保护层；所述基底包括底电极层和绝缘层。本发明对两层金属氧化层均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层金属氧化层的RRAM器件，阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
阻变氧化层制备金属氧化层层叠设置顶电极层双氧化物顶电极基底绝缘层金属氧化物底电极层电子器件工业应用工艺制备双层金属双氧化层阻变特性保护层低成本溶液法氧化层单层两层投资

[发明专利]基于氧化石墨烯的RRAM器件及其制备方法-CN201910149459.0在审
发明人： 沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;张艺;罗天;黄彦博 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种基于氧化石墨烯的RRAM器件及其制备方法，属于电子器件技术领域。所述基于氧化石墨烯的RRAM器件包括由下至上层叠设置的导电基底、电介质层和顶电极层；所述顶电极层包括若干阵列在电介质层上的顶电极，所述顶电极在远离电介质层的表面设有保护层。本发明采用溶液法制造电介质层，实现低成本RRAM器件的制备，设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
电介质层氧化石墨烯制备顶电极层顶电极层叠设置电子器件工业应用保护层导电基低成本溶液法制造投资

[发明专利]一种电动汽车的无线充电系统-CN201810545996.2在审
发明人： 沈棕杰;刘雯;朱永生;赵春;赵梓伊;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H02J7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种电动汽车的无线充电系统，包括：充电输入单元；充电发射单元，用于接收充电输入单元所提供的电能，将来自充电输入单元的电能进行相应的转换和调整，并向外发送电磁信号；充电接收单元，用于接收来自充电发射单元的电磁信号，将电磁信号转换为可供电动汽车电池充电的电力能源；反馈单元，检测充电接收单元的电压输出信号，并用有效输入信号去控制充电发射单元输出信号，从而得到符合电动汽车电池的目标电压。本发明在电磁感应技术的基础上添加了谐振式电路设计，可以确保主要单元间的工作频率几乎保持一致，从而保证传输过程的功率和效率。反馈单元分别对发射单元和接收单元进行电压信号的相关调整，提高了整个充电过程的效率。
充电发射单元电磁信号接收单元输入单元电动汽车电池无线充电系统电动汽车反馈单元电磁感应技术电压输出信号有效输入信号谐振式电路充电过程传输过程电力能源电压信号工作频率目标电压输出信号单元间转换并用发送检测保证

1
共 12 条