“汤晓春”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果59个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种电子级氢氧化钾的制备工艺-CN202110708886.5有效
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01D3/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子级氢氧化钾的制备工艺，包括依次且连续进行的如下步骤：将氯化钾水溶液以恒定流速依次通过第一螯合树脂、第二螯合树脂进行吸附得到氯化钾高纯溶液，后浓缩得氯化钾晶体，将氯化钾晶体中加入纯水溶解，溶解后经双极膜电渗析系统处理后得到低浓度氢氧化钾溶液，最后加热浓缩得到电子级氢氧化钾。本发明的电子级氢氧化钾的制备工艺可使金属阳离子Fe2+,Ca2+,Mg2+,Ni2+,Zn2+≤100ppb,Na+≤50ppm，且该制备工艺简单易操作，可连续大规模生产高浓度高纯度电子级氢氧化钾。
一种电子氢氧化钾制备工艺

[发明专利]一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺-CN202110646419.4有效
发明人： 汤晓春;何珂;戈烨铭 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺，属于清洗剂技术领域。其本发明提供的柔性面板用光刻胶清洗剂包括以下重量百分比的组分：1.5‑9.5％季铵氢氧化物、0.5‑16.5％水、4.5‑21.5％异丙二醇单苄基醚、0.5‑5.5％缓蚀剂，余量为有机溶剂。且本发明利用了4‑羟基丁酸、二乙烯三胺、苄氯、肉桂醛和γ‑(2,3‑环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷逐步反应生成缓蚀剂，并在季铵氢氧化物光刻胶清洗剂中引入了该缓蚀剂，因该缓蚀剂中的硅氧烷链和曼妮希碱、苯环、咪唑啉的结构特性，使得其极易在铜箔或铝箔表面形成致密的保护膜，避免了季铵氢氧化物对铜箔或铝箔的腐蚀，且对光刻胶高效清洗。
一种柔性面板用光刻胶清洗剂及其生产工艺

[发明专利]一种TFT行业用硫酸系ITO刻蚀液-CN202110646435.3有效
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一TFT行业用硫酸系I TO刻蚀液，属于液晶显示器薄膜晶体管行业电子化学品技术领域，包括以下质量百分比的原料：硝酸14‑17％、硫酸4‑6％、醋酸9‑11％、表面活性剂0.01‑0.05％、助剂0.05‑0.1％，余量为纯水；本发明还公开了该刻蚀液的制备方法，步骤如下：将表面活性剂和助剂进行搅拌混合，得到复配混合物；先加入2/3的纯水至配料罐，再加入硫酸、硝酸和醋酸，混合20mi n得到混合液；然后加入复配混合物，搅拌30mi n，加入剩余的纯水，搅拌1‑2h，通入过滤器中过滤，滤液即为TFT行业用硫酸系I TO蚀刻液；本发明还制备了一种助剂，能够增加刻蚀液的光稳定性、润湿性以及渗透性。
一种 tft 行业硫酸 ito 刻蚀

[发明专利]一种集成电路用铜钛腐蚀液及其生产工艺-CN202110646431.5有效
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路用铜钛腐蚀液，属于微电子化学试剂技术领域，包括以下质量百分比的原料：硫酸10‑19％、硝酸5‑8％、乙酸28‑33％、过硫酸钾2‑5％、双氧水2‑4％、吸附剂0.05‑0.1％，余量为纯水；本发明还公开了该腐蚀液的生产工艺；本发明的腐蚀液对铜钛复合金属层腐蚀均匀、性能稳定，由于吸附剂的加入，可以净化腐蚀液，减少腐蚀废液的产生，增加腐蚀液的使用寿命，且该腐蚀液不含氟，不会腐蚀硅材基材、氮化硅与非结晶硅，同时兼顾产品良率、安全与环保，并降低重工后发生缺陷的风险，可在制备集成电路行业、平面显示器、彩色滤光片、触控式面板、有机发光二极管等领域中广泛应用。
一种集成电路用铜钛腐蚀及其生产工艺

[发明专利]一种超净高纯丙酮的生产工艺-CN202110664816.4有效
发明人：戈士勇;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C07C45/79 文献下载
摘要：本发明公开了一种超净高纯丙酮的生产工艺，涉及化工技术领域，包括以下步骤：(1)将工业丙酮、肼水溶液混合，调节温度至100‑105℃，保温搅拌反应2‑3小时，得到反应液，在常压下将反应液与水组成低沸点共沸物，进行一次精馏分离，得到反应生成丙酮连氮；(2)在常压下，对丙酮连氮进行水解，得到丙酮和水合肼，进行二次精馏分离，得到初步丙酮；(3)对初步丙酮进行吸附脱水处理，即得高纯丙酮；本发明方法生产得到的高纯丙酮的丙酮含量相较于工业丙酮中的丙酮含量大幅度提高，得到的高纯丙酮的纯度明显增加。
一种净高丙酮生产工艺

[实用新型]一种铬金属蚀刻液的制备装置-CN202223121166.8有效
发明人：袁晓雷;戈烨铭;汤晓春 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型提出一种铬金属蚀刻液的制备装置，包括反应釜体，所述反应釜体包括呈水平横置的釜主体，釜主体的两端分别密封连接有第一封盖和第二封盖，釜主体与反应釜内衬之间夹层设置有电加热板，釜主体内部开设有多道回热气道，釜主体的底部一体成型有集气室，集气室一侧的导气接口连接有排气泵机，排气泵机连接有进液回热装置。本实用新型沿第一进料口加入蚀刻液的原液，经由回热罐内部的换热腔，最后沿第二进料口进入到反应釜体内部，而高温废气经由排气泵机抽取出后经过换热芯，经过换热芯中的换热管时对换热腔内的蚀刻液原液进行预加热，有效对废气余热进行回收，减少原液在反应釜体内部加热的时间。
一种金属蚀刻制备装置

[实用新型]一种铜钛蚀刻液生产用反应釜-CN202223330349.0有效
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C02F1/66 文献下载
摘要：本实用新型提出一种铜钛蚀刻液生产用反应釜，包括反应釜体，所述反应釜体顶部设有釜盖，釜盖顶部设有预混进料装置，本实用新型沿第二进液管充入中和液，中和液沿第二进液管进入喷液环管中，由喷液环管内侧的多个喷液孔喷出，沿第一进液管充入蚀刻液废液，蚀刻液废液由预混座进入旋转喷液芯中，最后沿旋转喷液芯底部的喷液腔外壁所设多个喷液嘴喷射出，当蚀刻液废液经过旋转喷液芯中所设的传导叶片时，同时喷液腔外壁所设的多个喷液嘴的喷液方向呈斜向喷射，即可作用旋转喷液芯进行旋转，进而使蚀刻液废液与中和液进行充分对冲混合，提高混合效率。
一种蚀刻生产反应

[发明专利]一种面板行业用IGZO/铝兼容蚀刻液及其制备方法-CN202211563844.8在审
发明人：袁晓雷;戈烨铭;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种面板行业用IGZO/铝兼容蚀刻液，其包含按重量计40‑60％磷酸；5‑9％硝酸；3‑6％有机酸；0.5‑0.8％部分水解聚丙烯酰胺；0.1‑1％氯化盐；0.1‑0.8％碱性化合物；和使蚀刻液总重量成为100％的水。还提供了其制备方法。
一种面板行业 igzo 兼容蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种面板行业用金属碱性蚀刻液及其制备方法-CN202211523822.9在审
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23F1/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种面板行业用的用于蚀刻铜的碱性蚀刻液，其包含氯化铜、氯化铵、氨水、护岸剂、湿润剂和水。优选地，所述护岸剂是8‑巯基喹啉，所述湿润剂是2‑苯氧基乙醇。
一种面板行业金属碱性蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种集成电路用铬金属蚀刻液及其制备方法-CN202211470220.1在审
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江苏中德电子材料科技有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路用铬金属蚀刻液及其制备方法，属于化学刻蚀技术领域，包括以下质量百分比的原料：硝酸铈铵10‑20％、质量分数35％双氧水7‑8％、草酸2‑5％、十二烷基二甲基苄基氯化铵0.1‑1％、辅助剂3‑5％；余量为去离子水；将上述原料按照配料比混合均匀后，过0.2微米筛网，得到集成电路用铬金属蚀刻液，本发明在蚀刻液中引入辅助剂，该辅助剂为烯丙基络合剂接枝的纳米零价铁和氧化石墨烯的复合材料，不仅在蚀刻液中分散性高，并且对蚀刻液中金属离子具有较高的吸附效果，能够捕集蚀刻液中游离的金属离子，减少游离的金属离子对蚀刻液的影响，保持刻蚀液的“新鲜度”，提高刻蚀液的使用寿命，减少废液污染。
一种集成电路金属蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种超净高纯过氧化氢的生产工艺-CN202110664604.6有效
发明人：戈士勇;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01B15/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种超净高纯过氧化氢的生产工艺，涉及化工技术领域，包括以下步骤：(1)将工业过氧化氢进行氧化处理，得到氧化处理过氧化氢，氧化处理依次分为惰性气体的排出和氧化剂的氧化；(2)将上述得到的氧化处理过氧化氢采用交换树脂进行过滤处理，得到树脂过滤过氧化氢；(3)再将树脂过滤过氧化氢采用过滤膜进行微过滤处理，过滤得到的滤液即为高纯过氧化氢；通过本发明工艺对工业过氧化氢进行处理，能够大幅度的提高工业过氧化氢的纯度，从而使得其能够更好的应用于半导体晶体片的清洗剂、腐蚀剂和光刻胶的去除剂，电子工业制取高级绝缘层、去除电镀液中无机杂质，效果显著，提高产品的质量。
一种净高过氧化氢生产工艺

[发明专利]一种集成电路用铜镍腐蚀液及其制备方法-CN202211728638.8在审
发明人：何珂;戈烨铭;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路用铜镍腐蚀液，其包含5‑50wt％无机酸、1‑15wt％过氧化氢、3‑9wt％乙二胺四亚甲基膦酸、2‑6wt％二乙烯三胺五甲叉膦酸、1‑4wt％乙二胺四乙酸和余量为水。本发明通过选择特定的过氧化氢稳定剂，实现了较为稳定且持久的对铜和镍的蚀刻能力。
一种集成电路用铜镍腐蚀及其制备方法

[发明专利]一种集成电路用盐酸的生产工艺-CN202110646456.5有效
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C01B7/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路用盐酸的生产工艺，涉及化工技术领域，包括以下步骤：(1)将工业盐酸先添加到膜过滤塔中进行膜过滤处理，得到膜过滤液；(2)将上述得到的膜过滤液进入到阴离子交换树脂塔中进行交换处理，得到交换液；(3)再将交换液进入到氮气排出塔中进行排出处理，通过在氮气排出塔的底部不断通入氮气，得到氮气排出液；(4)再将氮气排出液进入到蒸发塔中，加热进行蒸发处理，得到热蒸汽；(5)将热蒸汽进入到冷凝塔中进行冷凝，得到提纯盐酸；本发明通过对工业盐酸生产工艺进行优化，通过各个处理步骤的协同作用，大幅度的提高了处理后的盐酸的纯度，降低了盐酸中的杂质含量，从而能够更好的满足集成电路工艺中的需求。
一种集成电路盐酸生产工艺

[发明专利]一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法-CN202110708889.9有效
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法，其蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硝酸10%～30%、硫酸10%～20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%‑3%，余量为纯水；依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐后充分搅拌、混合均匀，再往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸，充分搅拌混合均匀得到兼容性ITO蚀刻液。本发明的兼容性ITO蚀刻液适用于不同厚度的ITO膜层，且反应温和稳定，蚀刻精度高。针对不同厚度的膜层，只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的，无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。
一种兼容性 ito 蚀刻制备方法

[发明专利]一种硅腐蚀液及其生产工艺-CN202110646437.2有效
发明人：戈烨铭;何珂;汤晓春 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅腐蚀液，包括以下重量份的原料：氢氟酸8‑12份、硝酸70‑78份、去离子水15‑25份、复合缓蚀剂6‑13份。且本发明利用了吡啶‑4‑甲醛为底物，使其与甲苯、高锰酸钾、二乙烯三胺、硫脲逐步反应形成了复合缓蚀剂；该复合缓释剂通过分子中的氮原子、硫原子、分子机构的大π键与金属形成配位键或化学共价键，在金属表面形成一层致密的疏水膜，阻碍了溶液中的氢离子对金属的腐蚀，但是该复合缓释剂中的的氮原子、硫原子、分子机构的大π键不能与硅形成配位键或共价键，不能在硅表面形成保护膜，不影响腐蚀液对硅的腐蚀行为，实现了对硅腐蚀高效，同时对金属腐蚀低效。
一种腐蚀及其生产工艺

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 59 条