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[发明专利]半导体装置、放大器及电子设备-CN202180023507.7在审
发明人：高桥圭;池田隆之;深井修次;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03F3/217 文献下载
摘要：提供一种小型的半导体装置。提供一种功耗低的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括第一晶体管、第一晶体管上的绝缘层、导电层及栅极驱动器。导电层的一部分以嵌入绝缘层内的方式设置。栅极驱动器包括第二晶体管及第三晶体管。第二晶体管及第三晶体管层叠在第一晶体管上。第二晶体管及第三晶体管分别在沟道形成区中包含金属氧化物。第二晶体管的源极和漏极中的一个与第三晶体管的源极和漏极中的一个通过导电层与第一晶体管的栅极电连接。栅极驱动器被提供第一电位及第二电位。栅极驱动器具有选择第一电位或第二电位并将其提供给第一晶体管的栅极的功能。
半导体装置放大器电子设备

[发明专利]二次电池控制系统、控制电路以及使用它们的车辆-CN202180025699.5在审
发明人：山崎舜平;八窪裕人;池田隆之;宫田翔希;门间裕史;荻田香 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B60L58/27 文献下载
摘要：提供一种控制二次电池的温度且不容易受到环境温度的影响的二次电池控制系统。通过使用多种二次电池控制温度，可以实现不容易受到环境温度的影响的二次电池控制系统，并将该系统安装在车辆上。具体而言，当环境温度较低时，利用第一二次电池的自发热加热第二二次电池的一部分，使得第二二次电池充分被加热，然后利用被升温的第二二次电池的一部分的自发热有阶段性地加热第二二次电池的其他部分。对第二二次电池的一部或全部是否被充分加热而言，将多个温度传感器设置在第二二次电池上，使得其温度在第二二次电池的使用温度范围内即可。例如，当温度传感器利用温度检测端子(T端子)检测出二次电池的内部温度在使用温度范围外时关闭开关。
二次电池控制系统控制电路以及使用它们车辆

[发明专利]存储装置及电子设备-CN202180024777.X在审
发明人：大贯达也;池田隆之 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：提供一种存储容量大且功耗低的存储装置。该存储装置包括第一层及含有第一层的第二层，第一层包括电路，第二层包括第一存储单元。电路包括将信号供应到第一存储单元的位线驱动电路及/或字线驱动电路。第一存储单元包括第一晶体管、第二晶体管、导电体以及MTJ元件。此外，MTJ元件包括自由层。自由层与导电体电连接，第一晶体管的第一端子与第二晶体管的第一端子通过导电体电连接。此外，自由层位于导电体上方。电路包括在沟道形成区域中含有硅的晶体管，第一晶体管及第二晶体管各自的沟道形成区域包含金属氧化物。
存储装置电子设备

[发明专利]摄像装置及电子设备-CN202180024385.3在审
发明人：广濑丈也;米田诚一;井上广树;池田隆之;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：提供一种具备图像处理功能的摄像装置。本发明的一个方式是一种具备图像处理等附加功能的摄像装置，该摄像装置可以将在摄像工作中获取的模拟数据保持在像素中而取出该模拟数据乘任意权重系数而得的数据。在像素中可以取得相邻的受光器件间的差分数据，可以得到亮度梯度的信息。通过将该信息输入到神经网络等中，可以进行距离信息等的推导。另外，由于可以将庞大的图像数据以模拟数据的状态保持在像素中，所以可以高效地进行处理。
摄像装置电子设备

[发明专利]摄像装置及电子设备-CN202180018074.6在审
发明人：米田诚一;池田隆之;井上广树;根来雄介;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：提供一种可以进行图像处理的摄像装置。提供一种具备图像识别功能等附加功能的摄像装置。该摄像装置具有排列为矩阵状的单元(像素)取得摄像数据的功能及保持权重数据的功能。排列为矩阵状的单元中的一部分的单元取得摄像数据，其他单元保持权重数据。并且，进行使用摄像数据及权重数据的运算。例如，对所有的摄像数据算出摄像数据与权重数据之积，可以进行总计该算出的积的运算。就是说，可以进行积和运算。通过将运算结果引入卷积神经网络(CNN)等神经网络等，可以对摄像数据进行图像处理，由此可以使用附加功能。
摄像装置电子设备

[发明专利]半导体装置、蓄电装置、电池控制电路、电子构件、车辆以及电子设备-CN202180015627.2在审
发明人： 池田隆之;高桥圭;深井修次;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种具有新颖结构、低功耗结构或高集成度结构的电池控制电路、电池保护电路、蓄电装置、半导体装置、车辆以及电子设备等。上述半导体装置包括：第一晶体管，该第一晶体管包括第一导电体及第一导电体上的第一半导体；第一晶体管上的第一绝缘体；设置在第一绝缘体所具有的开口部的第二导电体；第一绝缘体上的第二晶体管；以及第二晶体管上的第三导电体，其中，第一导电体被用作第一晶体管的源电极或漏电极，第一半导体与第二导电体彼此重叠，第二导电体与第三导电体彼此重叠，第三导电体与第二晶体管彼此重叠，并且，第一半导体与第二晶体管通过第二导电体及第三导电体电连接。
半导体装置电池控制电路电子构件车辆以及电子设备

[发明专利]摄像装置、电子设备及移动体-CN202180015588.6在审
发明人：米田诚一;井上广树;根来雄介;池田隆之;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种小型且高功能的摄像装置。本发明是一种摄像装置，包括设置在硅衬底上的光电转换器件以及在设置在该硅衬底上的硅外延生长层中具有沟道形成区域的晶体管。设置在外延生长层中的晶体管的电特性良好，所以可以形成噪声较少的摄像装置。另外，该晶体管可以以具有与光电转换器件重叠的区域的方式形成，所以可以使摄像装置小型化。
摄像装置电子设备移动

[发明专利]半导体装置-CN201980055430.4有效
发明人： 池田隆之;木村清贵;广濑丈也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：提供一种可以进行声源定位的具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括麦克风阵列、延时电路、信号处理电路。延时电路包括选择麦克风的第一选择电路、保持与声源信号对应的电压的信号保持电路、以及选择信号保持电路的第二选择电路。信号保持电路各自包括晶体管，该晶体管包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的半导体层。第一选择电路将离散的声源信号的电压写入信号保持电路中。第二选择电路在不同时序选择保持在信号保持电路中的电压，生成相当于延时的声源信号的输出信号。
半导体装置

[发明专利]摄像装置、摄像模块、电子设备及摄像系统-CN202010129736.4有效
发明人： 池田隆之;福留贵浩 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：提供一种连接于神经网络的摄像装置。具有神经网络中的神经元的摄像装置包括多个第一像素、第一电路、第二电路及第三电路。多个第一像素的每一个包括光电转换元件。多个第一像素与第一电路电连接。第一电路与第二电路电连接。第二电路与第三电路电连接。多个第一像素的每一个生成神经元的输入信号。第一电路、第二电路及第三电路具有神经元的功能。第三电路包括连接于神经网络的接口。
摄像装置模块电子设备系统

[发明专利]计算机系统及信息处理装置的工作方法-CN202080079582.0在审
发明人：山崎舜平;池田隆之;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：提供一种电路面积小且功耗低的计算机系统。计算机系统包括计算机节点，该计算机节点包括处理器和三维结构的NAND型存储装置。此外，三维结构的NAND型存储装置包括不同块的第一串及第二串。第一串包括第一存储单元，第二串包括第二存储单元。控制器接收第一数据及包含写入第一数据的指令的信号来对第一存储单元写入第一数据。然后，控制器从第一存储单元读出第一数据来对第二存储单元写入第一数据。由此，计算机节点可以具有不设置DRAM等主存储器的结构。
计算机系统信息处理装置工作方法

[发明专利]显示单元、显示模块、电子设备及显示单元的制造方法-CN202080077282.9在审
发明人：山崎舜平;楠纮慈;江口晋吾;池田隆之 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种清晰度高的显示单元。提供一种显示品质高的显示单元。一种显示单元，包括晶体管、发光二极管、晶体管上且与该晶体管电连接的第一导电层、第一导电层上且与发光二极管电连接的第二导电层、晶体管上的第一绝缘层以及第一绝缘层上的第二绝缘层。第一导电层的顶面的高度与第一绝缘层的顶面的高度大致一致，第二导电层的底面的高度与第二绝缘层的底面的高度大致一致。第一绝缘层与第二绝缘层彼此接合，第一导电层与第二导电层彼此接合。
显示单元模块电子设备制造方法

[发明专利]信息处理装置及信息处理装置的工作方法-CN202080076080.2在审
发明人：山崎舜平;池田隆之;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C11/404 文献下载
摘要：提供一种电路面积小且功耗低的信息装置。信息处理装置包括NAND型存储部及控制器。此外，存储部包括不同块的第一串及第二串。第一串包括第一存储单元，第二串包括第二存储单元。控制器接收第一数据及包含写入第一数据的指令的信号来对第一存储单元写入第一数据。然后，控制器从第一存储单元读出第一数据来对第二存储单元写入第一数据。
信息处理装置工作方法

[发明专利]摄像装置及电子设备-CN202210183435.9在审
发明人： 池田隆之;黑川义元;原田伸太郎;小林英智;山本朗央;木村清贵;中川贵史;根来雄介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种能够进行图像处理的摄像装置及电子设备。将在摄像工作中取得的模拟数据(图像数据)保持在像素，在该像素中进行该模拟数据与任意权系数的积和运算，转换为2值数据。通过将该2值数据引入神经网络等，可以进行图像识别等处理。由于可以将庞大图像数据以模拟数据的状态保持在像素，所以可以高效地进行处理。
摄像装置电子设备

[发明专利]半导体装置-CN202080070194.6在审
发明人：大嶋和晃;国武宽司;八窪裕人;池田隆之 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-10-05 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在布线层中形成放大器。在半导体装置中，在第一层上隔着金属氧化物包括第二层。第一层包括具有包含硅的第一半导体层的第一晶体管。第二层包括阻抗匹配电路，阻抗匹配电路包括具有包含镓的第二半导体层的第二晶体管。在第一晶体管与金属氧化物之间形成第一耦合电容，在阻抗匹配电路与金属氧化物之间形成第二耦合电容。阻抗匹配电路通过第二耦合电容与金属氧化物电连接。金属氧化物抑制从阻抗匹配电路发射的第一辐射噪声影响到第一晶体管的工作。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080069823.3在审
发明人：石津贵彦;青木健;古谷一马;池田隆之;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：半导体装置包括CPU及加速器。加速器包括第一存储电路、驱动电路以及积和运算电路。第一存储电路包括第一数据保持部、第二数据保持部以及数据读出部。第一数据保持部、第二数据保持部以及数据读出部各自包括第一晶体管。第一晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。第一数据保持部所保持的第一数据及第二数据保持部所保持的第二数据是输入到积和运算电路的权重数据。积和运算电路具有对权重数据与通过驱动电路被输入的输入数据进行积和运算的功能。积和运算电路及驱动电路各自包括第二晶体管。第二晶体管在沟道形成区域中包含硅。第一晶体管与第二晶体管层叠而设置。
半导体装置