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[发明专利]旋转角度传感器系统和半导体器件-CN201910182359.8有效
发明人： 池永佳史;广岛茜 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01B7/30 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及旋转角度传感器系统和半导体器件。一种合成电路合成来自多个检测线圈的检测信号，以生成指示转子的旋转角度的正弦分量的经合成的检测信号。在这方面，当合成电路生成经合成的检测信号时，作为合成目标的检测线圈包括：基于转子的第一极点以第一电角度安装的凸极的检测线圈，以及基于第一极点以不同于第一电角度的第二电角度安装的凸极的检测线圈，并且不包括基于第二极点以第一电角度安装的检测线圈。
旋转角度传感器系统半导体器件

[发明专利]分解器校正装置和半导体装置-CN201710701550.X有效
发明人： 池永佳史 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H02P6/185 文献下载
摘要：本发明涉及分解器校正装置和半导体装置。为了校正根据分解器中的转子的旋转的在到模拟滤波器的输入信号中生成的频率偏差，分解器校正装置包括移相器，其偏移通过由载波频率fc的激励信号激励的分解器检测的分解器的相关于至少具有两个以上的相位的信号中第一相位信号的相位；加法器，在激励信号通过分解器中的转子的旋转角度来被调制的情况下，所述加法器将相位偏移的第一相位信号和第二相位信号相加作为相位调制信号；频率误差校正单元，其基于分解器的相位调制信号与激励信号之间的相位差生成相位差校正信号；以及调整器，其基于所述相位差校正信号计算移相器的调整量，其中，所述移相器根据所述调整量调整相位偏移量。
分解校正装置半导体

[发明专利]旋转变压器校正装置以及校正旋转变压器校正装置的方法-CN202011056356.9在审
发明人： 池永佳史;清水裕司;阿部茜 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H02K11/225 文献下载
摘要：本发明的各实施例涉及旋转变压器校正装置以及校正旋转变压器校正装置的方法。该校正方法和该旋转变压器校正装置可以减小由旋转变压器引起的旋转角度(旋转速度)检测误差。励磁信号供应电路在正常操作期间，向旋转变压器提供具有励磁频率的励磁信号，并且在校准操作期间，向第一移相器或第二移相器提供具有多个频率的励磁信号，这些频率包括励磁频率。在校准操作期间，偏移量搜索电路在参考相位差检测电路的检测结果的同时，针对励磁信号的每个频率，搜索使得第一偏移量变为45度的第一偏移量设置值；并且针对励磁信号的每个频率，搜索使得第二偏移量变为135度的第二偏移量设置值，并且存储在校正表中。
旋转变压器校正装置以及方法

[发明专利]半导体装置-CN201510536660.6有效
发明人：野口宏一朗;野濑浩一;池永佳史;吉田洋一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置。根据一个实施例，半导体装置包括：第一开关(SWx)，其切换是否供应通过积累电源(10)输出的电荷而产生的第一电源电压(Vx)，作为至第一电路(13)的第二电源电压(VDD)；以及第二开关(SW1)，其切换是否将抑制第二电源电压(VDD)波动的平滑电容器(C1)连接至第一电路(13)，并且第一开关(SWx)响应于第一电源电压(Vx)已经达到足够的电压而切换至导通状态，并且随后第二开关(SW1)响应于第二电源电压(VDD)已经达到足够的电压而切换至导通状态。
半导体装置

[发明专利]电源电路及其控制方法-CN201410474525.9有效
发明人： 池永佳史 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H02J1/10 文献下载
摘要：本发明涉及电源电路及其控制方法。根据本发明的一种实施例的电源电路包含：电压源；用于使输入电压升压的电压控制电路；以及用于将至少一个电压源连接至一个电压控制电路的电压源连接开关。例如，电压源连接开关将电压源当中具有比预定的参考电压低的电压的电压源连接至电压控制电路，并且将电压源当中具有等于或高于预定的参考电压的电压的电压源连接至电压控制电路。
电源电路及其控制方法

[发明专利]半导体器件及其控制方法-CN201480082096.9在审
发明人： 池永佳史 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： G06F13/36 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其控制方法。根据本发明的半导体器件(1)包括多条总线(B1至Bm)、连接至多条总线(B1至Bm)的控制单元(10)和开关电路(13)，控制单元(10)被配置为通过多条总线(B1至Bm)中的一条总线从外部设置的多个模块(M1至Mn)中的每个模块中获取关于通信规格的信息，该信息包括关于驱动电压的信息，开关电路(13)被配置为基于由控制单元(10)获取的用于多个模块(M1至Mn)中的每个模块的关于通信规格的信息设置多个模块(M1至Mn)与多条总线(B1至Bm)之间的连接。
半导体器件及其控制方法

[发明专利]半导体装置-CN201510493558.2在审
发明人： 池永佳史 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：根据本发明的实施方式，一种半导体装置包括电荷泵电路，所述电荷泵电路具有多个升压单元，所述多个升压单元串联连接在输入端子和输出端子之间，所述多个升压单元中的每个升压单元包括：主晶体管，所述主晶体管采用二极管接法以使正向电流沿从内部输入端子朝向内部输出端子的方向流动；次晶体管，该次晶体管连接在所述主晶体管的第一端子和所述主晶体管的背栅端子之间并且具有与所述主晶体管的第二端子连接的控制端；电阻器，该电阻器连接所述主晶体管的第二端子和所述主晶体管的背栅端子；以及电容器，该电容器连接在所述内部输出端子和时钟配线之间。
半导体装置

[发明专利]半导体集成电路器件-CN200880005224.4无效
发明人： 池永佳史;野村昌弘 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：控制电路(40)控制电源电压馈送电路(50)，并且控制被馈送到目标电路(60)的电源电压。基准速度监控器(20)监控目标电路中的关键路径的延迟时间是否满足所要求的操作速度。电压差监控器(30)监控目标电路的电源电压和目标电路的阈值电压之间的差，以输出电压差信息。控制电路基于由基准速度监控器监控的结果确定增加还是减少电源电压。控制电路确定电源电压的变化速率使得电源电压的控制速率与从电压差监控器输出的电压差信息成比例。
半导体集成电路器件

[发明专利]半导体集成电路器件和电源电压控制系统-CN200780051398.X无效
发明人： 池永佳史;野村昌弘 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：一种半导体集成电路器件，包括：目标电路，该目标电路的至少电源电压是可变的；电源电压提供电路，该电源电压提供电路用于向目标电路供给电源电压；以及最小能量点监控电路，该最小能量点监控电路检测在电源电压变化时使由目标电路消耗的能量的变化最小化的能量最小化电源电压。对由电源电压提供电路传送的电源电压进行控制，以便等于由最小能量点监控电路检测的能量最小化电源电压。
半导体集成电路器件电源电压控制系统

[发明专利]半导体集成电路装置-CN200510118664.9无效
发明人： 池永佳史;武田晃一;野村昌弘 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2005-11-01 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明提供一种以使漏电流最小的方式对基板偏压进行控制的半导体电路装置(1)，其中具备：漏电检测电路(2)，其采用漏电检测用MOSFET(10A、10B)对漏电流进行检测；控制电路(3)，其依据漏电检测电路(2)的输出生成控制信号；基板偏压产生电路(4)，其依据控制信号而使基板偏压变化；被控制电路(5)，其包括具有与漏电检测用的MOSFET(10A、10B)相同特性的MOSFET。漏电检测电路(2)，对随着基板偏压的加强而增加的基板漏电流，和随着基板偏压的加强而减少的亚阈值漏电流进行检测，按照若基板漏电流比亚阈值漏电流小，则使基板偏压加强；若基板漏电流比亚阈值漏电流大，则使基板偏压减弱的方式将控制信号发送给基板偏压产生电路(4)。
半导体集成电路装置

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