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[发明专利]用于磁流变平面抛光的电控永磁式磁场发生装置-CN201710670951.3有效
发明人：聂蒙;李建勇;朱朋哲;曹建国;樊文刚;宣统 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01F7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于磁流变平面抛光的电控永磁式磁场发生装置。主要包括：互相连接的电路控制部分和磁回路结构部分，磁回路结构部分包括：电磁线圈、内磁极、底部磁轭、上部磁轭、隔磁板或隔磁条和外磁极，电路控制部分的输出电流流入电磁线圈，电路控制部分控制输出电流的方向和大小。本发明的脉宽调制磁场电路通过微控制器、固态继电器、电容器、分压调节电阻、电源、二极管等能有效的调节脉宽调制磁场发生器的脉宽调制磁场的频率、脉宽和强度，进而使磁流变液形成硬度和剪切屈服应力可变，并能自行更新磁性颗粒和磨粒的“柔性研磨头”，这使得该脉宽调制磁场发生器在磁流变抛光设备中能针对不同材料的工件实现更为高效和高质量的抛光。
用于流变平面抛光永磁磁场发生装置

[实用新型]一种抛光设备空气颗粒尘埃的抽排装置-CN202021068930.8有效
发明人：易德福 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： B24B55/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种抛光设备空气颗粒尘埃的抽排装置，其确保将空气颗粒尘埃抽排出抛光机时、对抛光盘的划伤率低，提高沉底晶片抛光良品率。其包括抛光设备底座，所述抛光设备底座上布置有定盘转盘，所述定盘转盘上放置有陶瓷盘晶片载体，所述抛光设备底座通过上凸的弧板连接上部安装架，所述上部安装架上设置有若干个下露的抛光转盘，所述抛光转盘用于陶瓷盘晶片载体上的晶片的抛光，所述弧板上开设有至少一个抽排风口，每个所述抽排风口通过抽风管外接抽风动力装置，封闭原有的垂直抽排口。
一种抛光设备空气颗粒尘埃装置

[实用新型]砷化镓抛光液自动循环过滤装置-CN202021070018.6有效
发明人：易德福 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B01D35/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了砷化镓抛光液自动循环过滤装置，其使得抛光药液通过自循环过滤，解决抛光过程中抛光液中的颗粒划伤晶片问题。液桶的上端盖装有顶盖，顶盖上预设有管路插孔、溢流桶安装接口，溢流桶安装接口下凸部分固装有循环药液溢流桶，循环药液溢流桶上设置有旁通溢流孔连通药液桶的内腔，药液桶的内腔内盛放有砷化镓抛光液，进液管上安装药管过滤罐芯后通过管路贯穿对应的管路插孔后连通至药液桶的内腔，其还包括有循环管，循环管的一端内插于药液桶的内腔的底部区域，循环管的一部分外露于药液桶后、其另一端置于循环药液溢流桶的内腔，出液管的进液部分位于循环药液溢流桶的内腔，出液管的出液部分安装蠕动泵后连接至抛光机的进药管。
砷化镓抛光自动循环过滤装置

[实用新型]一种一寸衬底晶片手动磨边真空吸盘治具-CN202021070069.9有效
发明人：易德福 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种一寸衬底晶片手动磨边真空吸盘治具，其采用错位台阶的方式将吸盘改小，解决设备与砂轮干涉问题，且通过合理设计导流气槽及槽位置，达到吸附晶片的效果。其包括吸盘本体，所述吸盘本体包括吸盘底托、吸附上凸，所述吸盘底托的上表面中心上凸形成吸附上凸，所述吸附上凸的上表面中心区域设置有导流槽，所述导流槽的中心位置设置有中心孔，所述中心孔贯穿所述吸附上凸、吸盘底托的厚度方向，所述吸盘底托的下表面中心位置设置有内凹圆柱槽，所述吸盘底托的外环面环布有若干个厚度方向贯穿的连接孔，其还包括有工作台底托，紧固螺栓贯穿所述连接孔后连接所述工作台底托的对应定位孔，所述工作台底托的上表面中心上凸。
一种衬底晶片手动磨边真空吸盘

[发明专利]砷化镓抛光液自动循环过滤方法及其对应的过滤装置-CN202010529604.0在审
发明人：易德福 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： B01D35/00 文献下载
摘要：本发明提供了砷化镓抛光液自动循环过滤方法，其使得抛光药液通过自循环过滤，从而解决抛光过程中抛光液中的颗粒划伤晶片问题。抛光药液在抛光设备使用前，在供药管道进入设备后安装抛光药液自循环装置，将管道中结晶颗粒机静态滤芯反向端的结晶进行再次过滤，将静态的药液改变为动态实时过滤，避免析出颗粒结晶使得药液中颗粒增加。
砷化镓抛光自动循环过滤方法及其对应装置

[发明专利]一种抛光设备空气颗粒尘埃抽排装置及其对应的抽排方法-CN202010530488.4在审
发明人：易德福 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： B24B55/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种抛光设备空气颗粒尘埃抽排装置，其确保将空气颗粒尘埃抽排出抛光机时、对抛光盘的划伤率低，提高沉底晶片抛光良品率。其包括抛光设备底座，所述抛光设备底座上布置有定盘转盘，所述定盘转盘上放置有陶瓷盘晶片载体，所述抛光设备底座通过上凸的弧板连接上部安装架，所述上部安装架上设置有若干个下露的抛光转盘，所述抛光转盘用于陶瓷盘晶片载体上的晶片的抛光，所述弧板上开设有至少一个抽排风口，每个所述抽排风口通过抽风管外接抽风动力装置，封闭原有的垂直抽排口。
一种抛光设备空气颗粒尘埃装置及其对应方法

[发明专利]一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量方法-CN202010529543.8在审
发明人：易德福 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C30B28/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种对砷化镓多晶合成炉温场的测量方法，其节省了测温材料，且测温方便快捷，节约了操作时间、降低了操作难度。其在炉体的侧壁上沿着其石英管的排布方向顺次布置若干个测量孔，每个测量孔分别连通所述炉体的内腔，之后将测温传感器的测温端插装于对应的测量孔内置于炉体的对应内腔的位置。
一种砷化镓多晶合成炉温测量方法

[发明专利]一种镓电解用冷却电极-CN201710102533.4有效
发明人：易德福;守建川 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C25C1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓电解用冷却电极，包括阴极电极板、环形阳极板、循环进水口、循环出水口和电极圈，所述环形阳极板上设有截断口，且所述环形阳极板的内部密闭中空，所述循环进水口、循环出水口分别设置在环形阳极板位于截断口处的两端，且均与环形阳极板内部连通，所述循环进水口、循环出水口通过管道与通水装置相连，所述通水装置与循环进水口之间的管道上设有流量调节阀，所述电极圈与环形阳极板连接并与所述截断口相对设置。本发明电解得到的金属镓纯度为4N,电能利用率高、极板使用寿命长、生产成本低且生产效率高。
一种电解冷却电极

[实用新型]一种14英寸砷化镓单晶炉-CN201720170547.5有效
发明人：易德福;守建川 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种14英寸砷化镓单晶炉，包括14英寸炉膛、2英寸PBN组件、保温棉、炉芯、石英管、环形加热片、封盖；所述14英寸炉膛呈圆筒状，所述14英寸炉膛内沿其高度方向分为3‑10段温场，所述3‑10段温场的区域内设有多个温控点，所述石英管设置在14英寸炉膛内的底部，所述炉芯设置在石英管内。本实用新型设备精度高，其中分布在3‑10段温场的温控点有3‑10个，稳定控制温场，建立合适的温场梯度，进而有效掌握多个2英寸单晶棒同时生长的合适的温控规律，可一次性批量式生长得到1‑13根单晶，可以提高砷化镓晶棒的生产效率，且成形率较高，可达80％‑100％。
炉膛温场石英管本实用新型砷化镓单晶温控点炉芯环形加热片生产效率稳定控制保温棉成形率单晶棒砷化镓一次性圆筒状生长单晶封盖晶棒温控

[发明专利]一种半导体晶体炉保温层修复用耐高温水泥-CN201711204639.1在审
发明人：守建川;易德福 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶体炉保温层修复用耐高温水泥，以重量份计，该耐高温水泥包括如下原料组分碳酸钙30‑80份，氧化铝5‑10份，氧化钠10‑20份，氧化钙5‑15份，氧化镁5‑10份，氧化铜5‑15份，氧化锆5‑10份，氧化钛5‑10份，氧化镍10‑20份，炭化硅10‑30份，硅粉10‑20份，二氧化硅10‑40份，氧化硼5‑10份，氧化钆5‑20份，钛酸钾晶须5‑10份，聚乙二醇20‑40份，有机硅偶联化合物10‑30份，环氧树脂5‑10份，水40‑90份。本发明的半导体晶体炉保温层修复用耐高温水泥，具有强粘结性、耐高温以及耐腐蚀的特性，适用于半导体晶体高温生长炉修补，并且制备这种高温水泥的方法操作简便，成本低廉，绿色环保。
一种半导体晶体保温修复耐高温水泥

[发明专利]一种砷化镓低倍聚光太阳能电池-CN201610578967.7有效
发明人：易德福;守建川 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓低倍聚光太阳能电池，包括低倍聚光器、砷化镓电池组件、散热架和水冷管道，所述砷化镓电池组件设置在低倍聚光器的低倍聚光焦斑所在区域，所述砷化镓电池组件包括框架和从上至下依次层压并装在框架内的透光保护层、第一填充层、砷化镓电池、第二填充层和背板，所述砷化镓电池组件的背面固定连接有若干条形散热架，所述散热架沿砷化镓电池组件背面宽度方向设置，并沿砷化镓电池组件背面长度方向均匀分布，所述散热架之间相互平行，所述水冷管道呈盘蛇状，所述散热架穿过水冷管道的管壁伸入水冷管道内部。本发明提高了发电效率、降低了成本、可以对电池进行有效地降温、提高了散热性能。
一种砷化镓低倍聚光太阳能电池

[发明专利]砷化镓衬底材料制备方法-CN201610579595.X有效
发明人：易德福;守建川 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种砷化镓衬底材料制备方法。所述制备方法包括如下步骤超高纯镓制备、超高纯砷制备、砷化镓多晶料的制备、砷化镓单晶棒制备、超薄砷化镓晶片制备、砷化镓衬底材料的制备，通过所述工艺制备的太阳能电池发电效率得到提升可达到38％，电池的稳定性更好，抗辐射能力强使之无光衰性，使用寿命对比于硅太阳能电池延长了十年以上，克服了现在市场里太阳能电池效率低(19％～逐年衰减)的缺陷。电池光电转换效率提高了19％，直接提高了电池发电总量，并且成本降低至市场均价的五分之一，使其技术可以适用于工业批量生产。
砷化镓衬底材料制备方法

[发明专利]一种磁流变平面抛光装置-CN201710662467.6在审
发明人：李建勇;樊文刚;曹建国;刘月明;聂蒙;朱朋哲;易德福 -专利权人：北京交通大学;江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁流变平面抛光装置，涉及超精密加工技术领域，该装置包括支架，支架顶端设有平台，平台上固定有旋转座，旋转座上设有抛光盘，旋转座连接有抛光盘驱动机构；抛光盘的上方设有工件夹持机构，工件夹持机构设有夹盘；平台的下方设有磁场发生机构的转盘上以所述转盘的中心为起点，沿等速螺线均匀设置有若干永磁铁。本发明将永磁铁沿等速螺线以磁极方向相反的方式相间排布在转盘上，在抛光盘、待加工工件和永磁铁的旋转复合作用下，使磁流变抛光液形成柔性抛光面，磁流变抛光液中的磨料在脉冲磁场的作用下实时快速更新自锐，提高了磁流变抛光效率，降低了抛光液中磨粒的磨损率，延长了磁流变抛光液的使用寿命，提高了抛光效率和质量。
一种流变平面抛光装置

[发明专利]一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置-CN201710647391.X在审
发明人：易德福;守建川;何军;陈佳丽 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B31/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置，通过控制源区与生长区的温度分布实现物理化学气相传输，即原料在源区下发生化学反应并形成气相物质，该气相物质在轴向温度梯度的作用下物理传输到至砷化镓多晶中。该种方法合成的高阻半绝缘砷化镓多晶用于拉制半绝缘砷化镓单晶，拉制出的半绝缘砷化镓单晶具有电阻率高、碳分布均匀、电子迁移率高的优点；避免了在砷化镓单晶拉制过程中直接掺杂，有效降低了如晶体生长的成晶率、C浓度的控制及其分布均匀性等方面的制造难度；设备简单、成本低。
一种绝缘砷化镓多晶制备方法装置

[实用新型]一种镓电解用冷却电极-CN201720174695.4有效
发明人：易德福;守建川 -专利权人： 江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： C25C1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镓电解用冷却电极，包括阴极电极板、环形阳极板、循环进水口、循环出水口和电极圈，所述环形阳极板上设有截断口，且所述环形阳极板的内部密闭中空，所述循环进水口、循环出水口分别设置在环形阳极板位于截断口处的两端，且均与环形阳极板内部连通，所述循环进水口、循环出水口通过管道与通水装置相连，所述通水装置与循环进水口之间的管道上设有流量调节阀，所述电极圈与环形阳极板连接并与所述截断口相对设置。本实用新型电解得到的金属镓纯度为4N,电能利用率高、极板使用寿命长、生产成本低且生产效率高。
一种电解冷却电极

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