专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法-CN202080004645.6有效
  • 江藤宗一郎 - 株式会社日立高新技术
  • 2020-03-11 - 2023-07-28 - H01L21/3065
  • 一种等离子体处理装置,为了提供提高了处理的成品率的等离子体处理装置或等离子体处理方法,对配置在真空容器内部的处理室内的晶片上的处理对象的膜层使用在该处理室内形成的等离子体进行处理,所述等离子体处理装置具备:检测器,在所述晶片的处理中,对接受从配置在所述处理室外部的光源照射到所述处理室内并在所述晶片上表面反射的光而得到的第1波长的范围内的多个波长的第1光以及从所述光源不经由所述处理室而传递的光的第2波长的范围内的多个波长的第2光的强度进行检测;以及判定器,将使用作为在所述处理中得到的所述光的强度的所述第2光的强度的变化率而修正的所述第1光的强度与预先得到的表示以波长为参数的光的强度和所述膜层的剩余膜厚度的相关性的模式进行比较而判定该膜层的剩余膜厚度。
  • 等离子体处理装置以及方法
  • [发明专利]蚀刻处理装置、蚀刻处理方法及检测器-CN201980004087.0有效
  • 江藤宗一郎;峯邑浩行;臼井建人 - 株式会社日立高新技术
  • 2019-02-08 - 2023-06-23 - H01L21/3065
  • 在蚀刻处理中的晶片的膜厚/深度测定中,由于光源的光量波动、光通过的区域的空气的波动等而在检测光量中产生变动,膜厚/深度的测定精度下降,因此,根据在蚀刻处理中的各时刻测定的分光光谱而算出任意的波长的总光量或平均光量,算出使用比当前时刻靠前测定出的总光量或平均光量而推断的当前时刻的推断总光量或推断平均光量,算出当前时刻的总光量与推断总光量之比或者平均光量与推断平均光量之比,即变化率,使用算出的变化率来修正当前时刻的各波长的光量,使用修正后的各波长的光量来实施膜厚/深度测定。
  • 蚀刻处理装置方法检测器
  • [发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202180005331.2在审
  • 江藤宗一郎;冈本翔;中元茂;臼井建人 - 株式会社日立高新技术
  • 2021-03-15 - 2022-11-15 - H01L21/3065
  • 等离子处理装置以及方法对配置于真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理,在该等离子处理装置以及方法中,在所述处理对象的晶片的处理中的给定的多个时刻从所述晶片表面接受多个波长的光,在使用将表示该接受到多个波长的光的强度的信息和表示预先取得的所述多个波长的光的强度的数据进行比较的结果来检测所述处理对象的晶片的处理中的处理的量的情况下,基于表示预先在多个晶片各自的所述处理中取得的来自各个该晶片的表面的光的所述多个波长的光的强度的数据,将各晶片彼此之间的相似度数值化,将对应于被数值化的所述相似度而选择的至少1个数据和表示在所述处理对象的晶片的处理中得到的所述多个波长的光的强度的数据进行比较,来检测所述处理的量。
  • 等离子处理装置以及方法
  • [发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202080020834.2在审
  • 永泽充;江藤宗一郎;臼井建人;中元茂 - 株式会社日立高新技术
  • 2020-09-17 - 2022-05-20 - H01L21/3065
  • 为了提供以高精度检测处理对象的膜的蚀刻量并提高处理的成品率的等离子处理装置或者等离子处理方法,具备如下工序:使用在从形成等离子起到所述蚀刻结束为止的多个时刻检测出表示在晶片表面反射而形成的多个波长的干涉光的强度的信号的结果,来检测所述处理对象的膜层的厚度或者蚀刻的深度,使用在该工序的刚形成所述等离子之后的初始的期间中得到的多个波长的干涉光的强度的变化的量,来检测所述处理对象的膜层的蚀刻处理开始的时刻,根据比较表示该开始的时刻以后的所述处理中的任意时刻的所述多个波长的干涉光的强度的实际数据和预先得到的与多个所述膜厚或者蚀刻深度的值对应的所述多个波长的干涉光的强度的检测用的多个数据的结果,来检测所述任意时刻的所述剩余膜厚或者蚀刻量。
  • 等离子处理装置以及方法
  • [发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202111084850.0在审
  • 福地功祐;朝仓凉次;江藤宗一郎;冈本翔;臼井建人;中元茂 - 株式会社日立高新技术
  • 2021-09-14 - 2022-04-15 - H01J37/32
  • 本发明提供等离子处理装置以及等离子处理方法。即使是在半导体晶片表面的微细形状中发生偏差的情况,也能精度良好地检测被处理膜的厚度。在具备检测在真空处理室的内部中被处理的被处理件的被处理膜的状态的处理状态检测组件的等离子处理装置中,具备如下要素而构成处理状态检测组件:检测等离子的发光的发光检测部;求取等离子的发光的微分波形数据的运算部;存储多个微分波形图案数据的数据库部;赋予基于运算部中求得的微分波形数据与存储于数据库部的多个微分波形图案数据的差的权重来算出在被处理件被处理的被处理膜的膜厚的估计值的膜厚算出部;和基于由膜厚算出部算出的被处理膜的膜厚的估计值来判定等离子处理的终点的终点判定部。
  • 等离子处理装置以及方法
  • [发明专利]记录功率调整方法以及信息记录方法-CN201080056892.7有效
  • 江藤宗一郎;渡边康一;宫本治一 - 日立民用电子株式会社
  • 2010-03-02 - 2012-09-05 - G11B7/1267
  • 在具有多个信息记录层的光盘的记录功率调整中,由于该层以外的层的影响而导致试写的数据变动,因此难以决定最佳的记录功率。使用多种记录功率Pw[m],根据试写后的信号的再生信号振幅来求出调制度M[m],通过将渐近调制度Masy、记录功率截距Pint以及渐近记录功率Pasy作为参数而具有的调制度特性公式M=Masy×(1-(Pint-Pasy)/(Pw-Pasy)来拟合所述Pw[m]和所述M[m]的关系,由此至少决定最佳记录功率截距Pint_opt,至少使用所述M[m]、所述调制度特性公式以及所述Pint_opt来评价所述拟合的近似精度及/或所述试写信号的品质,通过至少使用了所述Pint_opt的预定的运算来计算最佳记录功率Pw_opt,其中,m为整数。
  • 记录功率调整方法以及信息
  • [发明专利]评价方法及信息记录方法-CN201110378749.6有效
  • 江藤宗一郎;渡边康一;宫本治一 - 株式会社日立制作所
  • 2009-09-01 - 2012-04-18 - G11B7/1267
  • 本发明提供一种能够高精度地设定记录功率的记录功率调节方法、信息记录方法以及光信息记录介质。使用多种记录功率Pw,m(m是整数)进行试写,计算与各记录功率Pw,m对应的调制度M,m。通过使用预先对每个介质决定的参考渐近功率Pasy-ref以及参考记录开始功率Pws-ref进行规定的运算,来计算最佳渐近功率Pasy-opt。使用最佳渐近功率Pasy-opt计算评价值S,m=M,m×(Pw,m-Pasy-opt)。在对记录功率Pw,m和评价值S,m的关系进行了直线逼近时,计算评价值S成为零时的记录功率Pw来作为最佳记录开始功率Pws-opt。通过对最佳记录开始功率Pws-opt进行规定的运算来求出最佳记录功率Pw-opt。
  • 评价方法信息记录
  • [发明专利]功率调节方法、信息记录方法及信息记录介质-CN200910171585.2有效
  • 江藤宗一郎;渡边康一;宫本治一 - 株式会社日立制作所
  • 2009-09-01 - 2011-01-12 - G11B7/125
  • 本发明提供一种能够高精度地设定记录功率的记录功率调节方法、信息记录方法以及光信息记录介质。使用多种记录功率Pw,m(m是整数)进行试写,计算与各记录功率Pw,m对应的调制度M,m。通过使用预先对每个介质决定的参考渐近功率Pasy-ref以及参考记录开始功率Pws-ref进行规定的运算,来计算最佳渐近功率Pasy-opt。使用最佳渐近功率Pasy-opt计算评价值S,m=M,m×(Pw,m-Pasy-opt)。在对记录功率Pw,m和评价值S,m的关系进行了直线逼近时,计算评价值S成为零时的记录功率Pw来作为最佳记录开始功率Pws-opt。通过对最佳记录开始功率Pws-opt进行规定的运算来求出最佳记录功率Pw-opt。
  • 功率调节方法信息记录介质
  • [发明专利]光信息记录再生方法、装置以及介质-CN201010115666.3有效
  • 新谷俊通;峰邑浩行;江藤宗一郎 - 日立民用电子株式会社
  • 2010-02-11 - 2010-09-22 - G11B7/24
  • 本发明提供一种光信息记录再生方法、装置以及介质。在通常的光盘中,由于环境温度、激光器温度或介质的记录灵敏度的变化等,有时需要在记录过程中再次设定记录条件。在对比光学分辨率小的记录标记进行再生,以记录数据的高密度化为目的的超分辨率光盘中,由于再生信号品质较大地取决于超分辨率再生功率,所以需要与记录条件的再设定一同再设定超分辨率再生条件。在检测记录条件从最佳值的偏移,求出最佳记录功率的测试记录的过程中,在变更记录功率的同时变更超分辨率再生功率。此时,希望与记录功率成比例地变更超分辨率再生功率。
  • 信息记录再生方法装置以及介质

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