专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果218个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种柔性PDLC器件的制造方法-CN202110735721.7有效
  • 沈奕;余荣;纪伟丰;吕岳敏 - 汕头超声显示器(二厂)有限公司;汕头超声显示器技术有限公司
  • 2021-06-30 - 2023-02-17 - G02F1/1334
  • 本发明涉及一种柔性PDLC器件的制造方法,包括如下步骤:(1)在玻璃基板上涂布聚酰亚胺的前驱液并固化成聚酰亚胺膜作为基材层;(2)在聚酰亚胺膜的外侧面上镀上第一透明导电层并图形化;(3)在第一透明导电层的外侧面上涂布PDLC液晶层并固化为PDLC涂层,PDLC涂层的周边一侧露出部分第一透明导电层形成第一电极;(4)在PDLC涂层的外侧面上镀上第二透明导电层并图形化,并使其延伸至PDLC涂层的周边另一侧形成第二电极;(5)将聚酰亚胺膜从玻璃基板上剥离出来,得到所述柔性PDLC器件。这种制造方法能够制造出成本更低、耐弯折性能更强、使用寿命更长的柔性PDLC器件,柔性PDLC器件在受到弯折作用时,可避免因夹层滑移而在PDLC涂层上产生剪切破坏的情况出现。
  • 一种柔性pdlc器件制造方法
  • [实用新型]一种氧化物薄膜晶体管-CN202221022743.5有效
  • 陈玉云;沈奕;吕岳敏;杨秋强;余荣;陈远明 - 汕头超声显示器技术有限公司
  • 2022-04-29 - 2022-08-02 - H01L29/786
  • 本实用新型涉及一种氧化物薄膜晶体管,包括设置在基板上的栅极和绝缘层,以及有源层、源极、漏极和沟道保护层,栅极被绝缘层所覆盖,有源层、源极、漏极均设置在绝缘层的上表面上,沟道保护层设置在有源层上表面的沟道部位上,源极、漏极相对设置并与有源层顶部搭接,源极、漏极为由金属层图形化而成的金属电极,源极、漏极分别设有向沟道保护层顶部延伸的源极延伸部、漏极延伸部,源极延伸部和漏极延伸部覆盖沟道保护层而构成沟道保护层的遮挡结构,源极延伸部与漏极延伸部之间设有缝隙。这种氧化物薄膜晶体管不仅结构紧凑,而且遮光效果好,能够避免在外部光照环境下其沟道部位出现漏电的情况,从而保证沟道部位的半导体开关特性。
  • 一种氧化物薄膜晶体管
  • [发明专利]一种氧化物薄膜晶体管-CN202210465622.6在审
  • 陈玉云;沈奕;吕岳敏;杨秋强;余荣;陈远明 - 汕头超声显示器技术有限公司
  • 2022-04-29 - 2022-07-22 - H01L29/786
  • 本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管,包括设置在基板上的栅极和绝缘层,以及有源层、源极、漏极和沟道保护层,栅极被绝缘层所覆盖,有源层、源极、漏极均设置在绝缘层上,沟道保护层设置在沟道部位上,源极、漏极相对设置并与有源层顶部搭接;沟道保护层包括混有吸光物质的光敏树脂涂层;源极、漏极为由金属层图形化而成的金属电极,源极、漏极分别设有向沟道保护层顶部延伸的源极延伸部、漏极延伸部,源极延伸部和漏极延伸部覆盖光敏树脂涂层而构成沟道保护层的遮挡结构,源极延伸部与漏极延伸部之间设有缝隙。本发明不仅结构紧凑,而且遮光效果好,能够避免在外部光照环境下其沟道部位出现漏电的情况,从而保证沟道部位的半导体开关特性。
  • 一种氧化物薄膜晶体管
  • [实用新型]一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管-CN202220659588.1有效
  • 陈玉云;沈奕;吕岳敏;张汉焱;陈远明 - 汕头超声显示器技术有限公司
  • 2022-03-25 - 2022-07-12 - H01L29/786
  • 一种改进绝缘层的氧化物半导体的薄膜晶体管,包括设置在基板上的栅极和绝缘层,以及有源层、源极和漏极,栅极被绝缘层所覆盖,有源层、源极、漏极均设置在绝缘层上,源极、漏极相对设置;绝缘层包括第一薄膜和第二薄膜,第一薄膜设置在所述基板上;第二薄膜叠合在第一薄膜上,第二薄膜与第一薄膜之间具有明显的分界;第一薄膜、第二薄膜均为绝缘无机薄膜,第一薄膜为由多个第一晶柱构成的多晶结构,第二薄膜为由多个第二晶柱构成的多晶结构,各个第二晶柱与各个第一晶柱错开设置。这种薄膜晶体管可以完全采用PVC工艺来制作,不仅能够有效增加其绝缘层的致密性,而且可大大减少工艺复杂度和工厂对设备的投资,有利于提高制造效率和安全性。
  • 一种改进绝缘氧化物半导体薄膜晶体管

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top