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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]药液、药液的制造方法、基板的处理方法-CN201980011921.9有效
发明人：杉村宣明;高桥智威;关裕之;水谷笃史 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种对过渡金属含有物具有优异的蚀刻性能，且具有优异的缺陷抑制性能的药液、上述药液的制造方法及基板的处理方法。本发明的药液为包含选自由高碘酸及其盐组成的组中的一种以上的高碘酸类、选自由Ti及Zr组成的组中的一种以上的第1金属成分及水的药液，药液包含一种第1金属成分时，一种第1金属成分的含量相对于高碘酸类总质量为1质量ppt～100质量ppm，药液包含两种第1金属成分时，两种第1金属成分的含量分别相对于高碘酸类总质量为100质量ppm以下，两种第1金属成分中的至少一种成分的含量相对于上述高碘酸类总质量为1质量ppt以上。
药液制造方法处理

[发明专利]清洁组成物-CN202180073502.5在审
发明人： E·A·克内尔;T·多瑞;水谷笃史 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C08K5/42 文献下载
摘要：本公开涉及一种清洁组成物，其含有1)至少一种氧化还原剂；2)至少一种螯合剂，该螯合剂为聚氨基多羧酸；3)至少一种腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂为经取代或未经取代的苯并三唑；4)至少一种磺酸；及5)水。
清洁组成

[发明专利]处理液、基板的处理方法-CN202180051654.5在审
发明人：高桥智威;杉岛泰雄;水谷笃史 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C11D17/08 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种半导体器件用处理液，所述处理液对于含金属的层的耐腐蚀性及去除对象物的去除性优异并且在后处理液中的溶解性优异。并且，本发明的课题在于提供一种使用上述处理液的基板的处理方法。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其含有水、去除剂及共聚物，共聚物具有第1重复单元及与第1重复单元不同的第2重复单元，所述第1重复单元具有选自伯氨基、仲氨基、叔氨基及季铵阳离子中的至少1种基团。
处理方法

[发明专利]药液、处理方法-CN202211059865.6在审
发明人： 水谷笃史;滋野井悠太 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种Al氧化物的蚀刻能力优异、Ga氧化物的蚀刻能力的抑制性优异、Al氧化物相对于Ga氧化物的蚀刻选择性也优异的药液及使用了上述药液的处理方法。一种药液，其包含磷酸或其盐、非质子性极性溶剂、水及具有羧基且不具有羟基的化合物或其盐，其中，磷酸或其盐的含量相对于药液的总质量为5.0质量％以下，非质子性极性溶剂的含量相对于药液的总质量为50.0质量％以上，水的含量相对于药液的总质量为2.0质量％以上且小于50.0质量％。
药液处理方法

[发明专利]表面处理组合物及方法-CN201880085313.8有效
发明人： W·A·沃伊特恰克;水谷笃史;朴起永 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本公开涉及用于处理晶圆的方法及组合物，该晶圆具有设置于该晶圆表面上的图案。
表面处理组合方法

[发明专利]处理液、试剂盒、处理液的制造方法、基板的清洗方法、基板的处理方法-CN202080063322.4在审
发明人：高桥智威;清水哲也;水谷笃史;杉岛泰雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C11D7/08 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种半导体器件用处理液，所述处理液相对于金属层的耐腐蚀性优异。并且，本发明的课题在于提供一种试剂盒、上述处理液的制造方法、使用上述处理液的基板的清洗方法及使用上述处理液的基板的处理方法。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其包含水及有机溶剂，有机溶剂为由有机溶剂A及有机溶剂B构成的组合，且至少包含特定的组合1～6中的任一个组合，pH为5以上。
处理试剂盒制造方法清洗

[发明专利]清洗剂组合物-CN202080060051.7在审
发明人：成田萌;高桥智威;水谷笃史 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C11D7/26 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种有机物残渣的去除性能的经时稳定性优异且对金属层的耐腐蚀性也优异的半导体器件用清洗剂组合物。本发明的清洗剂组合物是半导体器件用清洗剂组合物，其包含：选自羟胺及羟胺盐中的一种以上的羟胺化合物；选自除聚氨基羧酸以外的羧酸系螯合剂及膦酸系螯合剂中的一种以上的螯合剂；及苯并三唑化合物。
洗剂组合

[发明专利]表面处理组合物及方法-CN202080058197.8在审
发明人： W·A·沃伊特恰克;高桥和敬;水谷笃史;T·多瑞;朴起永 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C09D5/00 文献下载
摘要：本申请涉及用于处理具有设置于基板的表面上的图案的半导体基板的方法和组合物。
表面处理组合方法

[发明专利]蚀刻组合物-CN202080051419.3在审
发明人： J·格斯基;水谷笃史 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C11D1/75 文献下载
摘要：本公开涉及蚀刻组合物，该蚀刻组合物用于，例如，从半导体基板选择性移除氮化钽(TaN)。
蚀刻组合

[发明专利]用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物-CN202080043573.6在审
发明人： 水谷笃史;W·A·沃伊特恰克;杉岛泰雄;R·萨卡穆里 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本公开涉及组合物，其包括：1)至少一种水溶性极性非质子有机溶剂；2)至少一种氢氧化季铵；3)至少一种羧酸；4)至少一种第II族金属阳离子；5)至少一种选自于由6‑取代‑2,4‑二氨基‑1,3,5‑三嗪所组成的群组的铜腐蚀抑制剂；及6)水，其中，该组合物不含包含至少三个羟基的化合物。该组合物可有效地剥离半导体基板上的正或负调性光刻胶或光刻胶残余物，且对凸块及在下面的金属化材料(诸如，SnAg、CuNiSn、CuCoCu、CoSn、Ni、Cu、Al、W、Sn、Co等)不具腐蚀性。
用于半导体去除光刻剥离组合

[发明专利]III-V族元素抗氧化液、处理液、氧化物去除液及去除方法、半导体基板处理液及制造方法-CN201680006546.5有效
发明人：高桥智美;朴星戊;水谷笃史;稻叶正 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种含有酸与巯基化合物的III‑V族元素的氧化物的去除液、抗氧化液或处理液及使用这些的方法、以及含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液及使用该处理液的半导体基板产品的制造方法。
iii 元素氧化处理氧化物去除方法半导体制造

[发明专利]蚀刻组合物-CN201880067737.1有效
发明人： 水谷笃史 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻组合物，可用于例如作为多步骤半导体制造方法中的中间步骤，从半导体衬底选择性移除钽(Ta)和/或氮化钽(TaN)。
蚀刻组合

[发明专利]用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物-CN201780030713.4有效
发明人： 水谷笃史;W·A·沃伊特恰克;杉岛泰雄 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本公开涉及组合物，其含有1)至少一种水溶性极性非质子性有机溶剂；2)至少一种氢氧化季铵；3)至少一种含有至少三个羟基基团的化合物；4)至少一种羧酸；5)至少一种第Ⅱ族金属阳离子；6)选自由6‑取代‑2,4‑二氨基‑1,3,5‑三嗪所构成的群组的至少一种铜腐蚀抑制剂；以及7)水。所述组合物能有效地剥离正或负型光刻胶或光刻胶残余物，以及对半导体基板上的凸块及底层金属化材料(诸如SnAg、CuNiSn、CuCoCu、CoSn、Ni、Cu、Al、W、Sn、Co等等)是非腐蚀性的。
用于半导体去除光刻剥离组合

[发明专利]表面处理组合物及方法-CN201980050510.0在审
发明人： W·A·沃伊特恰克;高桥和敬;水谷笃史;朴起永 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C09D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理具有设置于其表面上的图案的晶圆的方法及组合物。
表面处理组合方法

[发明专利]清洗方法、及半导体装置的制造方法-CN201610815832.8有效
发明人：高桥智威;高桥和敬;水谷笃史;关裕之;伏见英生;加藤知夫 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C11D1/835 文献下载
摘要：本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。
清洗方法半导体装置制造

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