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[发明专利]坩埚熔液冷凝应力分析方法、装置、电子设备及存储介质-CN202311060860.X在审
发明人：祝经明;吴进;毕诗博;黄星星;肖永能;胡强;雷震霖 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请属于分子束外延坩埚应力分析技术领域，公开了一种坩埚熔液冷凝应力分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和物料的第二结构参数，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置材料参数、塑性节点、相变材料节点和物理约束条件，设置坩埚模型和物料模型的传热条件和辐射条件，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、模型划分条件和求解器设置，计算不同情况下坩埚的应力数据，得到各不同情况对于坩埚熔液冷凝应力的影响分析数据，通过设置辐射条件并添加相变材料节点，模拟不同情况的冷凝应力分析，提高了分析坩埚熔液冷凝应力的效率和准确度。
坩埚冷凝应力分析方法装置电子设备存储介质

[发明专利]坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310608061.5有效
发明人：祝经明;黄星星;吴进;沈若尧;毕诗博;王凤双;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请属于分析坩埚热应力技术领域，公开了一种坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和加热物料的第二结构参数，通过仿真软件，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置坩埚模型和物料模型的材料参数、塑性节点和热膨胀条件，确定热膨胀应变数据的计算方程，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、预设的模型划分条件和预设的求解器设置，计算不同情况下坩埚模型的热应力分布数据，得到不同情况对于坩埚热应力的影响分析结果数据，通过设置黏附接触关系并添加塑性节点，模拟不同情况的热应力分析，提高了分析坩埚热应力的效率和准确度。
坩埚应力影响分析方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种镀膜设备及镀膜方法-CN202211662102.0在审
发明人： 毕诗博;卫红;王凤双;胡琅;侯少毅;黄星星;刘乔 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀膜设备及镀膜方法,通过磁过滤器对由等离子体发生器生成的靶材等离子体射流进行呈电中性的粒子团簇的过滤处理后，由偏转通道的第一电极板吸附带负电的电子，通过正对偏转通道出口的第三电极板吸附由于惯性而撞向第三电极板的带负电的粒子团簇，并由位于偏转通道出口上方的一侧的第四电极板使带正电的离子转向并加速射入镀膜室以对被镀工件进行镀膜，由于沉积在被镀工件的表面上均是带正电的离子（避免了粒子团簇对镀膜的影响），从而提高镀膜质量。
一种镀膜设备方法

[发明专利]一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法-CN202211454920.1有效
发明人：郭晓东;王凤双;肖永能;黄星星;刘乔;侯少毅;毕诗博;肖慧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
一种量程电容薄膜真空计真空检测方法

[发明专利]一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法-CN202211399743.1在审
发明人：黄星星;祝经明;吴进;毕诗博;侯少毅 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B21F45/00 文献下载
摘要：本申请涉及加热工装技术领域，具体涉及一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法,加热丝缠绕工装包括：固定柱、第一固定板、第二固定板、第一旋转环和第二旋转环；第一固定板和第二固定板相互平行并分别可拆卸地与固定柱的两端连接，第一固定板和第二固定板的周面均间隔环布有多个定位凹槽，且各个定位凹槽沿厚度方向贯通第一固定板或第二固定板的两个侧面；第一旋转环和第二旋转环分别可转动且可拆卸地设置在第一固定板和第二固定板的周面上，第一旋转环和第二旋转环均设置有一个开口，开口贯通第一旋转环或第二旋转环的内外周面，开口的大小与定位凹槽相适配；降低加热丝产生塑性变形的几率，有效保证分子束外延源炉的温度场分布均匀。
一种分子外延加热缠绕工装方法

[发明专利]集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉-CN202211378289.1在审
发明人：黄星星;吴进;毕诗博;侯少毅;胡强 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉，其中，制作方法包括步骤：S1、准备石墨材质的芯轴组件；S2、在芯轴组件外周外延沉积生成第一热解氮化硼层；S3、在第一热解氮化硼层外周折弯缠绕加热丝，使加热丝紧贴固定在第一热解氮化硼层表面；S4、在第一热解氮化硼层外周外延沉积生成第二热解氮化硼层，第二热解氮化硼层完全覆盖加热丝；S5、氧化消除芯轴组件；该制作方法在无需增加额外工艺手段的前提下能制作出结构简单、制作成本低、制作效率高、热效率高、热场分布均匀且保温效果出众的集成式分子束外延坩埚。
集成分子外延坩埚制作方法束源炉

[发明专利]一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计-CN202210917065.7有效
发明人：侯少毅;刘乔;王凤双;卫红;黄星星;毕诗博 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计,其包括：腔体底板、外壳、感应膜片和张紧组件，所述外壳的下端与所述腔体底板连接以压紧所述感应膜片的边沿，所述感应膜片与所述腔体底板围成测量室，并与所述外壳围成参考腔，所述腔体底板与所述感应膜片的接触处设置有第一环槽，所述张紧组件设置在所述参考腔内，所述张紧组件用于把所述感应膜片覆盖所述第一环槽的部分压入所述第一环槽以张紧所述感应膜片，且所述张紧组件把所述感应膜片压入所述第一环槽的压入深度可调；可对感应膜片进行多次张紧，提高真空计的测量精度和使用寿命。
一种可张紧感应膜片电容薄膜真空计

[发明专利]薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210548370.3有效
发明人：祝经明;徐平;胡琅;胡强;卫红;杨振怀;郭可升;侯少毅;毕诗博;沈若尧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。
薄膜沉积模拟方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法-CN202210648150.8有效
发明人： 毕诗博;侯少毅;卫红;胡强;胡琅;王凤双;黄星星 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法，一种电容薄膜真空计包括：壳体，具有一容置腔；电容膜片，将容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，与测量室连通；固定电极，设在参考腔中并与电容膜片平行，形成电容器；还包括：NEG薄膜，NEG薄膜镀在参考腔的内壁，用于吸收参考腔内部的残余气体。通过在参考腔的内壁镀一层NEG薄膜，提高NEG薄膜的吸气效率，能够很好地保持参考腔的真空度，从而提高电容薄膜真空计的测量精度。通过NEG薄膜制备方法对参考腔的内壁进行NEG薄膜镀膜，从而获得镀有NEG薄膜的参考腔。
一种电容薄膜真空计 neg 制备方法

[发明专利]真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统-CN202210544153.7有效
发明人：王凤双;侯少毅;胡强;卫红;刘乔;祝经明;毕诗博 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G06F16/00 文献下载
摘要：本申请属于真空计量技术领域，公开了一种真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统，通过获取内环电容产生的第一电压信号和外环电容产生的第二电压信号；分别对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行峰值检测处理，得到第一峰值信号和第二峰值信号；对所述第一峰值信号和所述第二峰值信号进行差分处理，得到电压差值信号；对所述电压差值信号进行计算处理，得到真空度检测结果，其中差分处理可以减少信号干扰，提高检测精度，从而保证真空度检测结果的可靠性。
真空检测方法装置电子设备存储介质系统

[发明专利]一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计-CN202210332796.5有效
发明人：卫红;侯少毅;刘乔;何斌;黄星星;黎天韵;郭远军;毕诗博;王凤双 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01D18/00 文献下载
摘要：本发明属于真空计技术领域，公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计，包括壳体、感压薄膜及固定电极，还包括第一加热件；壳体具有容置腔，感压薄膜设置在容置腔内，感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔；固定电极设置在第一腔内，并与感压薄膜平行，固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件；第一加热件设置在第二腔内，并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计，使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热，使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致，减小第二腔内的温度变化，从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响，进而提高电容薄膜真空计的测量精度。
一种消除薄膜应力电容真空计

[发明专利]一种电容式真空压力传感器-CN202210251301.6有效
发明人：侯少毅;胡强;刘乔;卫红;王凤双;黄星星;毕诗博 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/84 文献下载
摘要：本申请属于压力传感器技术领域，公开了一种电容式真空压力传感器，包括具有容置腔的壳体，还包括感压膜片及固定电极，感压膜片与固定电极均为圆筒形状，感压膜片设置在容置腔内，感压膜片的两端分别连接容置腔的顶部和底部，感压膜片将容置腔分为测量腔及参考腔，固定电极设置在参考腔内，固定电极与感压膜片组成可变电容器。本申请的电容式真空压力传感器将感压膜片和固定电极均设计为圆筒形状，与现有技术中同等体积的电容薄膜真空计相比，基础电容值得到增大，有效提高了电容式真空压力传感器的灵敏度和精度，降低了电容信号的处理难度。
一种电容真空压力传感器

[发明专利]一种磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置及控制方法-CN202111611465.7在审
发明人：蔺增;毕诗博;刘兴龙;邓方昱;孙彬 -专利权人：泰安东大新材表面技术有限公司;沈阳添和毅科技有限责任公司;泰山科学技术研究院
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明涉及磁控溅射阴极靶材刻蚀速率的控制装置及控制方法，控制装置包括：靶、恒压电源以及设置于靶后方的磁场模块，磁场模块包括永磁铁和控制模块，永磁铁根据控制模块输入的控制参数的不同而改变位置，即改变磁铁距离靶的距离。本发明的阴极靶材刻蚀速率控制方法采用恒压电源提供恒定的阴极放电电压，使放电过程中轰击靶面的离子能量恒定。通过改变永磁铁的位置调节磁场分布，保证轰击靶面的离子流密度相对恒定，增强靶材刻蚀过程中刻蚀速度和镀膜品质的稳定性。
一种磁控溅射阴极刻蚀速率控制装置方法

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