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[发明专利]亲子健康调查辅助系统、亲子健康调查辅助装置以及数据处理方法-CN202180014229.9在审
发明人：铃木大介;雷淼媚;玉腰晓子;横田卓;中村公则;武田安弘;江原达弥 -专利权人：国立大学法人北海道大学;森永乳业株式会社;株式会社日立制作所
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G16H20/00 文献下载
摘要：亲子健康调查辅助系统具有：数据管理部，其管理在以用户为成员的家庭的家长和孩子中的至少任一个的健康调查中所使用的健康调查数据；等级计算部，其计算表示基于健康调查数据的输入的用户的健康调查的贡献程度的等级；奖励提供部，其伴随着健康调查数据的输入，向用户提供与等级对应的利益即奖励；访问控制部，其管理针对健康调查数据的访问权限；以及分析结果提供部，其提供使用了健康调查数据的分析处理的分析结果。
亲子健康调查辅助系统装置以及数据处理方法

[发明专利]半导体装置-CN201210369430.1有效
发明人：大竹诚治;武田安弘;宫本优太 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置。实现确保期望的击穿电压，且流过较大的放电电流的ESD保护特性良好的ESD保护元件。由PN结二极管（35）与寄生PNP双极晶体管（38）构成ESD保护元件，所述PN结二极管由适当的杂质浓度的N+型嵌入层（2）与P+型嵌入层（3）形成，所述寄生PNP双极晶体管以连接到P+型扩散层（6）的P+型引出层（5a）作为发射极，以N-型外延层（4）作为基极，以P型半导体衬底（1）作为集电极。P+型嵌入层连接到阳极（10），P+型扩散层、以及与其连接并包围的N+型扩散层（7）连接到阴极（9）。若对阴极施加较大的正静电，则PN结二极管被击穿，通过此时的放电电流I1，N-型外延层的电位比P+型引出层低，寄生PNP双极晶体管（38）导通，流过较大的放电电流I2。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201210365308.7有效
发明人：大竹诚治;武田安弘;宫本优太 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置。实现确保期望的击穿电压且流过大的放电电流的ESD保护特性良好的ESD保护元件。由适合的杂质浓度的N+型嵌入层（2）和P+型嵌入层（3）形成的PN结二极管、将与P+型扩散层（6）连接的P+型嵌入层（3b）为发射极且将N-型外延层（4）为基极且将P+型嵌入层（3）为集电极的寄生PNP双极型晶体管构筑ESD保护元件。P+型嵌入层（3）与阳极电极连接，P+型扩散层和围绕它的N+型扩散层（7）与阴极电极连接。如果阴极电极被施加正的大静电，则PN结二极管击穿，通过其放电电流（I1）导致N-型外延层的电位低于P+型嵌入层（3），寄生PNP双极型晶体管导通，流过大的放电电流（I2）。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201210369269.8有效
发明人：大竹诚治;武田安弘;宫本优太 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。实现能够确保期望的击穿电压且能够流过大的放电电流的ESD保护特性优越的ESD保护元件。由适合的杂质浓度的N+型嵌入层（2）和P+型嵌入层（3）形成PN结二极管。P+型嵌入层与P+型引出层（5）成为一体且将N-型外延层（4）贯通而与阳极电极（10）连接。由P+型嵌入层等包围的N-型外延层上形成N+型扩散层（7）和与该N+型扩散层连接且围绕它的P+型扩散层（6）。N+型扩散层、P+型扩散层与阴极电极（9）连接。由将P+型扩散层作为发射极、将N-型外延层作为基极、将P+型引出层等作为集电极的寄生PNP双极型晶体管（38）和PN结二极管（35）构成ESD保护元件。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201210201462.0有效
发明人：大鹤雄三;武田安弘;杉原茂行;井上慎也 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体装置，即使在以包围与指形状的源电极、漏电极连接的各N＋型源极层、N＋型漏极层的方式构成P＋型接触层的情况下，在施加浪涌电压时各指部的寄生双极晶体管也均匀地接通。以包围互相平行延伸的多个N＋型源极层（9）、N＋型漏极层（8）的方式形成P＋型接触层（10）。在N＋型源极层（9）上、N＋型漏极层（8）上及向与N＋型源极层（9）延伸的方向垂直的方向延伸的P＋型接触层（10）上分别形成金属硅化物层（9a、8a、10a）。经由形成于在金属硅化物层（9a、8a、10a）上堆积的层间绝缘膜（13）的接触孔（14），形成与该各金属硅化物层连接的指形状的源电极（15）、漏电极（16）及包围该指形状的各电极的P＋型接触电极（17）。
半导体装置

[发明专利]双向开关以及其制造方法-CN201110213192.0有效
发明人： 武田安弘 -专利权人：安森美半导体贸易公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种双向开关及其制造方法，谋求降低具有沟槽型栅极结构且由具有共用漏极的两个MOS型晶体管构成的双向开关的导通电阻。在N型阱层(2)上形成多个沟槽(3)。然后在被多个所述沟槽夹着的N型阱层上每隔一列形成P型体层(6)。在多个P型体层上交替形成N+型第一源极层(7)和N+型第二源极层(9)。在夹着N+型第一源极层的一对沟槽上分别形成第一栅极电极(5a)，在夹着N+型第二源极层的一对沟槽上分别形成第二栅极电极(5b)。将夹在形成有第一栅极电极的沟槽的与P型体层侧相反一侧的侧壁和形成有第二栅极电极(5b)的相同的侧壁之间的N型阱层设为作为电场缓和层的N型漏极层(11a)。将该N型漏极层作为双向刚开关的导通电流流动的电流通路。
双向开关及其制造方法

[发明专利]注出口部件以及使用该注出口部件的包装袋-CN200980134276.6无效
发明人： 武田安弘;鹫田贤司;小山贵广;森哲志;高田康治;小国盛稔;池田广隆;森敏彦;小野松太郎 -专利权人：森永乳业株式会社;藤森工业株式会社
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： B65D33/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种注出口部件及使用该注出口部件的一种包装袋，其中，所述包装袋在操作方面和卫生管理方面性能出色，当用于饲给水或药剂等时便于在使用前及使用中途从外部补充水分等；所述包装袋在保管时或者运输时能够保护一锁闭机构不被附着内容物，其中，所述锁闭机构用来打开及锁合一开口部，所述开口部通过切除被密封的薄膜周边部的局部来形成，并且即便包装袋内部存在压力时该保护性能仍然出色；所述注出口在其被开封前和被开封后均具有出色的防污染性且被开封后便于操作。
出口部件以及使用装袋

[发明专利]DMOS晶体管及其制造方法-CN200880109247.X有效
发明人： 武田安弘;大竹诚治;菊地修一 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种DMOS晶体管及其制造方法。在本发明的DMOS晶体管中，通过斜向离子注入形成主体层时，能够降低漏电流，并且能够提高晶体管截止时的源极漏极间耐压。形成光致抗蚀层(18)之后，将光致抗蚀层(18)和栅电极(14)作为掩模，从A′箭头所示的第一方向向栅电极(14)的内侧的第一角部(14C1)进行第一离子注入。通过该第一离子注入，形成第一主体层(17A′)。第一主体层(17A′)从第一角部(14C1)延伸到栅电极(14)的下方而形成，从而能够确保第一角部(14C1)的主体层(17A′)的P型杂质浓度比现有例的晶体管高。
dmos 晶体管及其制造方法

[发明专利]包装袋以及出口部件-CN200880018599.4有效
发明人： 武田安弘;鹫田贤司;小山贵广;桥本润一;小野松太郎;高田康治;森敏彦;小国盛稔 -专利权人：森永乳业株式会社;藤森工业株式会社
申请日： 2008-06-04 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： B65D33/38 文献下载
摘要：本发明的出口部件(14)包括固定附着在袋体(11)的基部(14a)、从基部(14a)向上方凸出的筒部(14b)、通过可切断的薄壁部(14d)封住筒部(14b)的前端的封口部(14c)，所述出口部件(14)设置在构成袋体(11)的两片薄膜之间，容置有筒部(14b)及封口部(14c)的密封室(15)通过沿着开封辅助线(16)撕开两片薄膜来能够开封，对于封口部(14c)而言，至少在左右两侧中的一侧延伸的开封辅助板(14e)设置在开封辅助线(16)的上方，开封辅助板(14e)与开封辅助线(16)之间设有通过将两片薄膜的内面相密封而用于加强夹持的夹持补强密封部(17)。根据本发明的包装袋，在构成包装袋的薄膜之间密封有出口部件，因此通过一连串的动作可迅速开封包装袋和打开注出口。
装袋以及出口部件

[发明专利]双扩散金属氧化物半导体晶体管-CN200910132147.5有效
发明人：大竹诚治;菊地修一;武田安弘;牧贤一 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种DMOS晶体管。减少DMOS晶体管的导通电阻，而且防止静电破坏强度的恶化。把DMOS晶体管的源极层(5)端部配置成从栅极电极(7)内侧的角部(7A)后退。不把源极层(5)上的硅化物层(11)从源极层(5)的端部向外延伸。即虽然在源极层(5)的表面形成硅化物层(11)，但在源极层(5)与栅极电极(7)内侧的角部(7A)之间露出的体层(4)表面并没形成硅化物层(11)。由此，没有电流集中，由于电流在DMOS晶体管整体大致均匀流动，所以能够提高静电破坏强度。
扩散金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200910004854.6有效
发明人：岛田聪;武田安弘;大竹诚治 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具备：第一工序，在半导体衬底上形成抑制杂质注入引起的缺陷增加的缺陷抑制膜；第二工序，通过从缺陷抑制膜上注入杂质而在半导体衬底表面形成元件活性区域；第三工序，除去缺陷抑制膜；第四工序，将抑制元件活性区域的界面准位上升的界面准位抑制膜形成于元件活性区域上。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN200810129578.1有效
发明人：大竹诚治;武田安弘;牧贤一 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备：在栅电极和引出部之间，以与槽部的另一侧面邻接的方式形成，并且以比槽部的下端部更向下方延伸的方式形成的第二导电型的第一杂质区域，该栅电极在以一侧面与源极区域及基极区域邻接的方式形成的槽部内隔着绝缘膜形成；该引出部是在槽部和基极区域的下方存在的漏极区域的引出部。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200410081040.X无效
发明人：横山良一;山野耕治;武田安弘;广泽孝司 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种大电流对应型的低温多晶硅薄膜晶体管，可很大程度抑制大电流驱动时自我加热所引起的特性恶化。本发明的半导体装置在具有玻璃基板10、主动层12，以及在其上隔着栅极绝缘膜13所形成的栅极电极14的TFT中，在沟道区域12c的下方或整个主动层12的下方设置散热用底部金属层BM，而得以将驱动TFT时沟道区域12c所产生的热量散发到TFT外部为其特征。再者，本发明的半导体装置的特征是在上述构成外，底部金属层BM为与栅极电极14或主动层12的源极区域12s连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN200410031622.7无效
发明人： 武田安弘;中野勇男;金田和博;小田真弘 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-03-31 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种提高动作速度的同时能抑制临界电压的变动的半导体装置。该半导体装置中，将氟导入到跨越第一导电型半导体区域和第二导电型的源极/漏极区域的接合界面的区域、栅极绝缘膜与沟道区域的至少中央区域的以及栅极绝缘膜、和侧壁绝缘膜中的至少一种之中。
半导体装置以及制造方法

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