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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN202080003857.2有效
发明人：张玉龙;欧阳爵;黄巍;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括半导体衬底、第一及第二氮化物半导体层、源极/漏极电极、栅极电极以及第一钝化层。第一氮化物半导体层配置在半导体衬底的上方。第二氮化物半导体层配置在第一氮化物半导体层上，且第二氮化物半导体层的能带隙大于第一氮化物半导体层的能带隙，以形成二维电子气区域。源极/漏极配置在第二氮化物半导体层的上方。栅极电极配置在源极/漏极电极之间。第一钝化层配置在第二氮化物半导体层的上方。第一、第二氮化物半导体层以及第一钝化层的边缘共同在半导体衬底上方形成阶梯状侧壁。阶梯状侧壁包括至少一横向延伸部以及连接横向延伸部的至少两个上升部。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]一种半导体装置及其制造方法-CN202211594560.5在审
发明人：张啸;欧阳爵;彭晗;周建军 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本揭露提供了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、电极、电介质结构、场板、多个高度补偿件及多个导孔。第二氮化物半导体层在第一氮化物半导体层上并且其带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。电极接触第二氮化物半导体层。电介质结构安置在第二氮化物半导体层上且覆盖电极。场板位于电介质结构中。高度补偿件位于电介质结构中且分别安置在电极及场板上。导孔延伸入电介质结构中且分别接触高度补偿件的顶面。高度补偿件补偿了电极与场板之间的高度差，以避免在形成导孔的过程中，发生蚀刻不足或蚀穿的状况。
一种半导体装置及其制造方法

[实用新型]氮化镓半导体器件-CN202120156980.X有效
发明人： 欧阳爵;张礼杰;张啸;谢文元 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括介质层，介质层上开设有双角度形貌沟槽，双角度形貌沟槽包括第一底壁和侧壁，第一底壁与侧壁之间通过斜面连接，第一底壁与侧壁之间的夹角为第一夹角，第一底壁与斜面之间的夹角为第二夹角，第一夹角为直角或钝角，第二夹角为钝角，第二夹角大于第一夹角。该氮化镓半导体器件能够降低沟槽底壁与侧壁连接处的应力，同时可避免蚀刻残渣去除不干净问题。
氮化半导体器件

[发明专利]一种形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法和氮化镓半导体器件-CN202110074740.X在审
发明人： 欧阳爵;张礼杰;张啸;谢文元 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法和氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括介质层，介质层上开设有双角度形貌沟槽，双角度形貌沟槽包括第一底壁和侧壁，第一底壁与侧壁之间通过斜面连接，第一底壁与侧壁之间的夹角为第一夹角，第一底壁与斜面之间的夹角为第二夹角，第一夹角为直角或钝角，第二夹角为钝角，第二夹角大于第一夹角。该氮化镓半导体器件能够降低沟槽底壁与侧壁连接处的应力，同时可避免蚀刻残渣去除不干净问题。
一种形成角度形貌沟槽蚀刻方法氮化半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080000992.1在审
发明人：杜卫星;张玉龙;欧阳爵;张铭宏 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含衬底、安置于所述衬底上的III‑V族层、安置于所述III‑V族层上的电介质层，以及从所述电介质层延伸到所述衬底的倾斜侧壁。其中所述衬底包括与所述倾斜侧壁相对地朝向的相对粗糙表面。
半导体装置及其制造方法

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