专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种芯片静电放电测试失效后的调试方法及装置-CN200810224120.4有效
  • 欧阳浩宇 - 北京中星微电子有限公司
  • 2008-10-16 - 2009-04-01 - G01R31/00
  • 本发明提出了一种芯片ESD测试失效后的调试方法,该芯片为包含多组电源模块的同种芯片,该方法包括:对第一芯片进行ESD检测,获得失效管脚;在第二芯片上,把与所述失效管脚位置相应的第二管脚接地,并对芯片中未测模块进行放电测试;每完成一组模块的测试,根据预置规则判断第二管脚是否失效;若失效,则当前模块为失效模块,并在第三芯片上继续下一模块的测试,以及在另一芯片上对失效模块进行管脚测试;若未失效,则在当前芯片上继续下一模块的测试。本发明在找到ESD失效管脚后,以模块为单元分组排查,先确定失效模块,再在失效模块内找到具体的管脚失效组合,由此大幅度的减少了调试所需样品个数,提高了调试速度,节省了调试费用。
  • 一种芯片静电放电测试失效调试方法装置
  • [发明专利]一种集成电路芯片产品寿命的评估方法-CN200610113289.3无效
  • 欧阳浩宇;胡敏;宋鑫欣 - 北京中星微电子有限公司
  • 2006-09-21 - 2007-03-07 - G01R31/00
  • 本发明提供一种集成电路芯片产品寿命的评估方法,包含如下步骤:通过进行芯片动态工作模式下的功耗评估,来预估定位芯片局部温度最高的区域;在预估出的芯片局部温度最高的区域进行去封装处理;在芯片去封装的区域,用红外遥感探测仪分别量出常温下和高温环境下芯片动态工作模式下的裸片表面温度;用实测的芯片动态工作模式下的裸片表面温度作为艾恩尼斯模式中的Tuse和Tstress估算芯片的寿命。本发明通过采用红外遥感技术来探测IC动态工作模式下的裸片表面温度,并用实测的裸片表面温度作为艾恩尼斯模式中的Tuse和Tstress,可较为精确的估算IC的寿命。
  • 一种集成电路芯片产品寿命评估方法
  • [发明专利]一种聚焦离子束修改集成电路的方法及集成电路-CN200610089139.3无效
  • 欧阳浩宇 - 北京中星微电子有限公司
  • 2006-08-04 - 2007-01-03 - H01L21/70
  • 本发明公开了一种聚焦离子束修改集成电路的方法,包括定位步骤、挖洞步骤、沉积步骤和将集成电路的地线引脚接地的步骤。在定位步骤中,定位地线通孔和电路线通孔的位置;在挖洞步骤和沉积步骤中,在挖地线通孔前,在集成电路的顶层上地线通孔所在区域镀第一金属镀层;挖地线通孔时,在地线通孔的位置从集成电路的顶层向下挖地线通孔到集成电路内的地线处,并在地线通孔中沉积金属至第一金属镀层;在挖电路线通孔前,在集成电路的顶层上电路线通孔所在区域镀与第一金属镀层导电连接的第二金属镀层;挖电路线通孔时,在电路线通孔的位置从集成电路的顶层向下挖电路线通孔到集成电路内电路线处。本发明同时公开了一种采用聚焦离子束修改的集成电路。
  • 一种聚焦离子束修改集成电路方法

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