钻瓜专利网为您找到相关结果
145 个，建议您
升级VIP 下载更多相关专利
[发明专利] 有机半导体器件的空穴导电层及其应用和有机电子器件 -CN201610206776.8 有效
发明人：
大卫·哈特曼 ;扎比内·希什科夫斯基 ;安德烈亚斯·卡尼茨 ;安娜·马尔滕贝格尔 ;维布克·萨尔费特 ;冈特·施密德 ;扬·豪克·韦姆肯
- 专利权人：
欧司朗OLED股份有限公司
申请日：
2011-03-31
-
公布日：
2019-05-14
-
主分类号：
H01L51/00 文献下载
摘要： 本发明涉及有机电子器件的空穴导电层及其应用和有机光电子器件。用于有机电子器件的空穴导电层包含单核二次平面过渡金属络合物掺杂材料被引入到空穴导电基体中，其中所述二次平面过渡金属络合物包含中心原子和配位体，并且所述配位体选自乙酰丙酮、三氟乙酰丙酮、六氟乙酰丙酮、6,6,7,7,8，8,8‑七氟‑2,2‑二甲基‑3,5‑辛二酮酸和2,2,6,6,‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸。有机 半导体器件 空穴 导电 及其 应用 电子器件
[发明专利] 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 -CN201580038737.5 有效
发明人：
T.韦卢斯 ;J.罗森贝格尔
- 专利权人：
欧司朗OLED股份有限公司
申请日：
2015-07-16
-
公布日：
2019-02-05
-
主分类号：
H01L51/44 文献下载
摘要： 光电子器件和用于制造光电子器件的方法。在不同的实施例中提供了一种光电子器件（1）。所述光电子器件（1）具有：第一电极（20），所述第一电极（20）具有至少一个外部电极区段（51）和至少一个内部电极区段（53），所述外部电极区段（51）被构造在所述第一电极（20）的侧边缘（55）上，所述内部电极区段（53）与所述第一电极（20）的侧边缘（55）间隔开地来构造；被构造在所述第一电极（20）上方的导电的电流分配结构（60），所述电流分配结构（60）具有至少一个外部子结构（64）和至少一个内部子结构（66），所述外部子结构（64）至少在所述外部电极区段（51）上延伸，所述内部子结构（66）至少在所述内部电极区段（53）上延伸并且所述内部子结构（66）相对于所述外部子结构（64）电绝缘；至少一根馈电线（62），所述馈电线（62）从所述第一电极（20）的侧边缘（55）朝向所述内部子结构（66）延伸，所述馈电线（62）与所述内部子结构（66）电耦合，所述馈电线（62）与所述外部子结构（64）电绝缘并且所述馈电线（62）的结构与所述电流分配结构（60）相符；绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述电流分配结构（60）和所述馈电线（62）；有机功能层结构（22），所述有机功能层结构（22）在所述第一电极（20）、所述电流分配结构（60）、所述馈电线（62）和所述绝缘结构（84）上方；和在所述有机功能层结构（22）上方的第二电极（23）。光电子 器件 用于 制造 方法
[发明专利] 光电子器件和其制造方法 -CN201580042670.2 有效
发明人：
E.赫夫林 ;S.席克坦茨
- 专利权人：
欧司朗OLED股份有限公司
申请日：
2015-07-31
-
公布日：
2018-10-26
-
主分类号：
H01L51/52 文献下载
摘要： 在不同的实施例中提供一种光电子器件（10）和其制造方法。该光电子器件（10）具有：第一导电接触层（101）、在第一导电接触层（101）上的电绝缘层（102）、在电绝缘层（102）上的第二导电接触层（103）、在第二导电接触层（103）上的第一导电电极层（20）、在第一导电电极层（20）上的至少一个光学功能层结构（22）和在光学功能层结构（22）上的第二导电电极层（23）。第二导电接触层（103）具有第一凹部（110）。电绝缘层（102）具有与第一凹部（110）重叠的第二凹部（111）。在第一凹部（110）中并且在第二凹部（111）中布置有导电的通孔接触（112），所述通孔接触被引导至第一导电接触层（101）。所述导电的通孔接触（112）与第二导电接触层（103）电绝缘。光电子 器件 制造 方法
[发明专利] 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 -CN201580014698.5 有效
发明人：
P.施瓦姆布
- 专利权人：
欧司朗OLED股份有限公司
申请日：
2015-03-10
-
公布日：
2018-10-16
-
主分类号：
H01L51/52 文献下载
摘要： 一种光电子器件（10）具有载体（12），在所述载体（12）上方构造第一电极（20）。在第一电极（20）上方构造光学功能层结构（22）。在所述光学功能层结构（22）上方构造第二电极（23），所述第二电极（23）平面地延伸到所述光学功能层结构（22）的与所述载体（12）背离的侧的至少一部分上方。在第一和/或第二电极（20，23）上方构造封装部，所述封装部包封所述光学功能层结构（22）。在所述第一和/或第二电极（20，23）上的封装部的凹进部中布置能导电的接触结构（40），并且所述能导电的接触结构（40）延伸穿过所述封装部，用于电接触所述第一和/或第二电极（20，23）。所述接触结构（40）和所述封装部被构造为使得所述接触结构（40）和所述封装部共同作用地包封所述第一和/或第二电极（20，23）。光电子 器件 用于 制造 方法
[发明专利] 用于运行光电子组件的方法和光电子组件 -CN201580038200.9 有效
发明人：
K.雷高
- 专利权人：
欧司朗OLED股份有限公司
申请日：
2015-08-25
-
公布日：
2018-10-09
-
主分类号：
H05B33/08 文献下载
摘要： 在不同的实施例中提供用于运行光电子组件（100）的方法。所述光电子组件（100）具有至少一个器件分支（22），所述器件分支具有至少一个部段（102、110）。部段（102、110）具有至少一个发光二极管元件（12、14、16、18）。部段（102、110）被供应电能。中断部段（102、110）的电能供应。器件分支（22）的部段（102、110）的输入端（106、116）与器件分支（22）的部段（102、110）的输出端（108、118）电耦合。检测流经所述部段（102、110）的电耦合的放电电流的最大值。根据所检测的最大值确定，器件分支（22）的部段（102、110）是否具有短路。用于 运行 光电子 组件 方法
