专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]氧化物粒子的制造方法、浆料、研磨剂和基板的研磨方法-CN201210049512.8无效
  • 樱田刚史;保坂大佑;茅根环司 - 日立化成工业株式会社
  • 2007-04-20 - 2012-08-15 - C01F17/00
  • 本发明提供氧化物粒子的制造方法、以及将利用该制造方法得到的金属氧化物粒子分散于水性介质而得到的浆料、研磨剂、基板的研磨方法,所述氧化物粒子的制造方法的特征为,包含:将金属的碳酸盐和酸进行混合得到混合物的工序,加热所述混合物来得到金属氧化物的工序,粉碎所述金属氧化物的工序。另外,特别提供包含将碳酸铈用作原料金属碳酸盐、将草酸用作酸而得到的氧化铈粒子的研磨剂。本发明提供可以快速地得到不含粗大粒子和磨耗粉的微粒的氧化物粒子的制造方法。进一步提供一种研磨剂,所述研磨剂采用该氧化物粒子,在维持适当的研磨速度的同时,减少划伤,并且可精密地研磨半导体表面。
  • 氧化物粒子制造方法浆料研磨剂研磨
  • [发明专利]氧化物粒子的制造方法、浆料、研磨剂和基板的研磨方法-CN200780014174.1无效
  • 樱田刚史;保坂大佑;茅根环司 - 日立化成工业株式会社
  • 2007-04-20 - 2009-05-06 - C01F17/00
  • 本发明提供氧化物粒子的制造方法、以及将利用该制造方法得到的金属氧化物粒子分散于水性介质而得到的浆、研磨剂、基板的研磨方法,所述氧化物粒子的制造方法的特征为,包含:将金属的碳酸盐和酸进行混合得到混合物的工序,加热所述混合物来得到金属氧化物的工序,粉碎所述金属氧化物的工序。另外,特别提供包含将碳酸铈用作原料金属碳酸盐、将草酸用作酸而得到的氧化铈粒子的研磨剂。本发明提供可以快速地得到不含粗大粒子和磨耗粉的微粒的氧化物粒子的制造方法。进一步提供一种研磨剂,所述研磨剂采用该氧化物粒子,在维持适当的研磨速度的同时,减少划伤,并且可精密地研磨半导体表面。
  • 氧化物粒子制造方法浆料研磨剂研磨
  • [发明专利]金属用研磨液以及被研磨膜的研磨方法-CN200680049417.0有效
  • 野村丰;中川宏;安西创;飞田文子;樱田刚史;马渕胜美 - 日立化成工业株式会社
  • 2006-12-27 - 2009-01-14 - H01L21/304
  • 本发明提供一种金属用研磨液和使用其的被研磨膜的研磨方法,其能够解决(a)由固体粒子所导致的损伤的产生,(b)碟陷、腐蚀等平坦性恶化的产生,(c)用以除去残留于研磨后的基板表面上的研磨粒子的清洗工序的复杂性,(d)由于固体研磨粒子本身的成本及废液处理而导致成本提高等问题,并且能够以高的Cu研磨速度进行CMP。本发明提供一种金属用研磨液,其含有:金属的氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、以及重均分子量大于等于8000的具有阴离子性官能基的水溶性聚合物,pH值为大于等于1且小于等于3。本发明还提供一种被研磨膜的研磨方法,其特征在于:一面将上述的金属用研磨液供给至研磨平台的研磨布上,一面于将具有被研磨金属膜的基板按压于研磨布上的状态下使研磨平台与基板相对移动,以进行研磨。
  • 金属研磨以及方法
  • [发明专利]CMP用研磨液及研磨方法-CN200680037661.5有效
  • 筱田隆;野部茂;樱田刚史;大森义和;木村忠广 - 日立化成工业株式会社
  • 2006-10-10 - 2008-10-08 - H01L21/304
  • 本发明提供CMP研磨液,该CMP研磨液通过抑制阻挡导体与铜等导电性物质的界面部附近的电子移动,抑制导电性物质配线腐蚀,即,抑制阻挡导体与导电性物质的异种金属接触腐蚀。本发明涉及的CMP研磨液为,至少研磨导体层以及与上述导体层接触的导电性物质层,在电位计的正极与上述导电性物质连接、负极与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。优选其中包含杂环化合物,所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种,且含有氮和硫原子中的至少1种。
  • cmp研磨方法
  • [发明专利]研磨液及研磨方法-CN200710107753.2无效
  • 天野仓仁;樱田刚史;安西创;深泽正人;佐佐木晶市 - 日立化成工业株式会社
  • 2002-10-31 - 2007-10-24 - C09K3/14
  • 本发明提供一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是提供被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面,并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液,含有全氟链烷磺酸、氧化金属溶解剂和水。本发明的研磨方法包括:研磨具有表面由凹部及凸部组成的层间绝缘膜、沿表面被覆前述层间绝缘膜的阻隔导体层和填充前述凹部被覆阻隔导体层的导电性物质层的基体的导电性物质,使前述凸部的阻隔导体层露出的第1研磨工序,和一边至少向阻隔导体层及凹部的导电性物质层供给本发明的研磨液一边进行化学机械研磨使凸部的层间绝缘膜露出的第2研磨工序。
  • 研磨方法
  • [发明专利]研磨液及研磨方法-CN02826551.3有效
  • 天野仓仁;樱田刚史;安西创;深泽正人;佐佐木晶市 - 日立化成工业株式会社
  • 2002-10-31 - 2005-04-27 - H01L21/304
  • 本发明涉及一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是涉及被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面,并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液是含有界面活性剂及有机溶剂的至少1种、氧化金属溶解剂和水的研磨液,进而可以含有表面用烷基改性的研磨粒和水,优选进一步含有金属氧化剂、水溶性聚合物、金属防蚀剂。
  • 研磨方法

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