专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]热电转换组件的制造方法-CN202180073854.0在审
  • 关佑太;加藤邦久;森田亘;升本睦 - 琳得科株式会社
  • 2021-10-28 - 2023-07-04 - H10N10/01
  • 本发明提供不需要支撑体及焊接材料、且能够一次性高效地制作多个薄型的热电转换组件的热电转换组件的制造方法,该方法包括下述工序(A)~(D):(A)将P型热电转换材料的芯片和N型热电转换材料的芯片隔开地配置在支撑体上的工序;(B)在P型热电转换材料的芯片与N型热电转换材料的芯片之间填充绝缘体,得到由P型热电转换材料的芯片、N型热电转换材料的芯片及绝缘体形成的一体化物的工序;(C)将上述工序(B)中得到的一体化物从支撑体剥离的工序;(D)在上述工序(C)之后的一体化物中,经由电极将P型热电转换材料的芯片与N型热电转换材料的芯片之间连接的工序。
  • 热电转换组件制造方法
  • [发明专利]热电转换材料及其制造方法-CN201780076510.9有效
  • 加藤邦久;森田亘;武藤豪志;胜田祐马;近藤健 - 琳得科株式会社
  • 2017-12-07 - 2023-07-04 - H10N10/857
  • 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异,且能够以低成本简便地制造的热电转换材料及其制造方法;所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜,所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物;所述制造方法是热电转换材料的制造方法,所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜,所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物,该制造方法包括:将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序;进一步对该薄膜进行退火处理的工序。
  • 热电转换材料及其制造方法
  • [发明专利]热电转换组件-CN202180073852.1在审
  • 关佑太;加藤邦久;森田亘;堀米克彦;升本睦 - 琳得科株式会社
  • 2021-10-28 - 2023-06-30 - H10N10/856
  • 本发明提供不具有支撑基材的薄型的热电转换组件,其具备一体化物、第1电极和第2电极,上述一体化物包含绝缘体,该绝缘体以填充由相互隔开的P型热电转换材料的芯片和N型热电转换材料的芯片形成的空隙的方式构成,上述第1电极位于上述一体化物的一面,其是将上述P型热电转换材料的芯片的一面和上述N型热电转换材料的芯片的一面接合的共用的电极,上述第2电极位于上述一体化物的另一面,与上述第1电极对置,其是将上述N型热电转换材料的芯片的另一面和上述P型热电转换材料的芯片的另一面接合的共用的电极,上述P型热电转换材料的芯片和上述N型热电转换材料的芯片通过上述第1电极和上述第2电极而串联电连接,在上述热电转换组件的两面不具有基材。
  • 热电转换组件
  • [发明专利]热电转换组件及其制造方法-CN202180038636.3在审
  • 关佑太;森田亘;加藤邦久 - 琳得科株式会社
  • 2021-05-26 - 2023-02-03 - H10N10/817
  • 本发明提供可防止由接合材料引起的电极上的热电转换材料的芯片的位置偏移、抑制邻接的热电转换材料的芯片之间的短路、热电转换材料的芯片与电极的接合不良的热电转换组件及其制造方法。该热电转换组件包含:具有第1电极的第1基板;具有第2电极的第2基板;由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片;由第1接合材料形成的第1接合材料层,所述第1接合材料层将该热电转换材料的芯片的一面和上述第1电极接合;以及由第2接合材料形成的第2接合材料层,所述第2接合材料层将上述热电转换材料的芯片的另一面和上述第2电极接合,其中,上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的熔点,或者上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的固化温度。
  • 热电转换组件及其制造方法
  • [发明专利]热电转换材料的芯片的制造方法-CN202080025034.X在审
  • 加藤邦久;森田亘 - 琳得科株式会社
  • 2020-03-26 - 2021-11-09 - H01L35/34
  • 本发明提供能够通过简易的工序以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、且能够以最佳退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片的制造方法,其是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法,该方法包括:(A)在基板上形成所述热电转换材料的芯片的工序;(B)对所述(A)的工序中得到的所述热电转换材料的芯片进行退火处理的工序;以及(C)将所述(B)的工序中得到的退火处理后的所述热电转换材料的芯片剥离的工序,其中,所述热电半导体组合物包含热电半导体材料及树脂,所述退火处理的温度为该树脂的分解温度以上。
  • 热电转换材料芯片制造方法
  • [发明专利]热电转换元件的制造方法-CN201980055534.5在审
  • 森田亘;加藤邦久;武藤豪志;胜田祐马 - 琳得科株式会社
  • 2019-08-27 - 2021-04-02 - H01L35/34
  • 本发明提供一种具有形状控制性优异的热电元件层且可高集成化的热电转换元件的制造方法,该方法是在基板(1)上包含热电元件层(4a、4b)的热电转换元件的制造方法,所述热电元件层(4a、4b)由包含热电半导体材料的热电半导体组合物形成,该方法包括:在所述基板上设置具有开口部(3)的图案框(2)的工序;在所述开口部填充所述热电半导体组合物的工序;将填充于所述开口部的所述热电半导体组合物干燥而形成热电元件层的工序;以及将所述图案框从基板上剥离的工序。
  • 热电转换元件制造方法
  • [发明专利]导热性粘接片、其制造方法、以及使用其的电子器件-CN201580069936.2有效
  • 加藤邦久;森田亘;武藤豪志;胜田祐马;近藤健 - 琳得科株式会社
  • 2015-08-20 - 2020-07-28 - C09J7/20
  • 本发明谋求导热性粘接片的高导热部及低导热部的尺寸精度的提高、以及低导热部的低导热系数化,进而提供可容易地叠层于电子器件、能够为该电子器件的内部赋予足够的温度差的导热性粘接片、其制造方法及使用了该导热性粘接片的电子器件。本发明的导热性粘接片包含粘接剂层、以及包含高导热部和低导热部的基材,其中,在该基材的一面叠层有粘接剂层,并且在该低导热部含有中空填料,且该中空填料的含量为低导热部总体积中的20~90体积%,另外,该基材的另一面由该低导热部的和与该粘接剂层接触的面相反侧的面、以及该高导热部的和与该粘接剂层接触的面相反侧的面构成,或者,该高导热部和该低导热部的至少任一者构成该基材的厚度的一部分。
  • 导热性粘接片制造方法以及使用电子器件
  • [发明专利]透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜-CN201680017089.X有效
  • 森田亘;原务;西岛健太;武藤豪志 - 琳得科株式会社
  • 2016-02-01 - 2020-06-30 - B32B15/08
  • 本发明提供一种实现透明导电膜的透明导电层表面的低电阻化及透明导电层的表面粗糙度降低、且同时抑制了水蒸气透过透明导电膜的透明导电层的透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜。本发明提供透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜,所述透明导电层叠层用膜是在透明树脂膜基材上的透明阻气层上至少叠层有具有开口部的金属层和设置于该开口部的透明树脂层的复合层而成的透明导电层叠层用膜,其中,具有该透明阻气层的该透明树脂膜基材的JIS K7129所规定的40℃×90%RH的水蒸气透过率为1.0×10‑3(g/m2·天)以下,且相当于100μm该透明树脂层的JIS K7129所规定40℃×90%RH的水蒸气透过率为20(g/m2·天)以下。
  • 透明导电层叠层用膜制造方法
  • [发明专利]帕尔贴冷却元件及其制造方法-CN201580069409.1有效
  • 加藤邦久;武藤豪志;森田亘;胜田祐马;近藤健 - 琳得科株式会社
  • 2015-12-24 - 2020-03-17 - H01L35/26
  • 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异,且能够以低成本简便地制造的帕尔贴冷却元件,所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料,所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜。本发明还提供一种帕尔贴冷却元件的制造方法,所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料,所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜,该制造方法包括:将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序;对该薄膜进行退火处理的工序。
  • 帕尔冷却元件及其制造方法

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