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[发明专利]2合1型斩波器模块-CN201780095131.4有效
发明人：长谷川滋;根岸哲 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在2合1型斩波器模块中抑制导线的温度循环寿命的下降。本发明的2合1型斩波器模块(141、142、143)具有：开关晶体管(103)；第1二极管(104)，其与开关晶体管(103)反向并联连接；第2二极管(106)，其与开关晶体管(103)及第1二极管(104)串联连接；第1配线图案(115)，其搭载开关晶体管(103)及第1二极管(104)；以及第2配线图案(114)，其搭载第2二极管(106)，开关晶体管(103)与第1二极管(104)的正向通电时的电力损耗大致相同，第2二极管(106)的有效面积大于第1二极管(104)的有效面积。
斩波器模块

[发明专利]半导体模块以及电力变换装置-CN201880052280.7有效
发明人：中岛纯一;森崎翔太;玉田美子;中山靖;根岸哲;津田亮;林田幸昌;伊达龙太郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：多个半导体开关元件(12)的栅极通过导线(15)与共同的栅极控制图案(10)电连接。多个半导体开关元件(12)的源极通过导线(16)与共同的源极控制图案(11)电连接。栅极控制图案(10)针对并联连接而并行动作的多个半导体开关元件(12)隔着源极控制图案(11)配置，所以导线(15)比导线(16)长，具有比导线(16)大的电感。由此，减轻或者抑制并联连接而并行动作的多个半导体开关元件(12)中的栅极振荡。
半导体模块以及电力变换装置

[发明专利]功率模块和电力变换装置-CN201980103160.X在审
发明人：横山吉典;根岸哲;山崎浩次 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：得到降低从半导体元件至底板的热阻并实现了接合部的应力缓和的功率模块。功率模块具备：半导体元件(1)；绝缘基板(11)，具有绝缘层(5)，在绝缘层(5)的上表面设置了电路层(3、7)并在下表面设置了金属层(4、6)；以及烧结性接合构件(2)，将半导体元件(1)的背面和绝缘层(5)的上表面侧的电路层(3)的上表面接合，具有比半导体元件(1)的背面侧的外周更大的上表面。
功率模块电力变换装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780028697.5有效
发明人： 根岸哲;久我正一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备电力用半导体元件(10)、树脂膜(11)以及密封绝缘材料(13)。电力用半导体元件(10)包括：覆盖半导体基板(1)的一个主表面的第一区域(1c)的第一电极(3)；形成于半导体基板(1)的另一个主表面的第二电极(5)；形成于作为第一区域(1c)的外侧的第二区域(1d)的保护环(8)；以及在第二区域(1d)覆盖保护环(8)的非导电无机膜(9)。树脂膜(11)在俯视时与保护环(8)重叠，非导电无机膜(9)上的树脂膜(11)的厚度为35μm以上。树脂膜(11)是单层膜，树脂膜(11)的最外边缘(11b)具有在下侧变大的倒角形状。树脂膜(11)的最外边缘(11b)配置于比半导体基板(1)的最外边缘靠内侧的位置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201580022823.7有效
发明人： 根岸哲;寺井护;山本圭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：具备：半导体元件(5)，具有半导体基板(1)、形成于半导体基板(1)的正面(1A)且具有开口部的绝缘膜(2)以及在半导体基板(1)的正面(1A)上在开口部内形成的电极(3)；以及第1保护膜(9)，被设置成覆盖半导体元件(5)，绝缘膜(2)的膜厚(W1)是半导体基板的厚度(W2)的1/500以上且4μm以下，绝缘膜的每单位膜厚的压缩应力是100MPa/μm以上。
半导体装置

[发明专利]功率模块-CN201580071608.6有效
发明人：福本晃久;根岸哲;山本圭;筱原利彰;西川和康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：功率模块(PM)具备功率半导体元件(4)、布线材料(2)、电路基板(6)、外部端子(8)、接合材料(5、7)以及密封树脂(1)。以从位于功率半导体元件(4)与布线材料(2)之间的接合材料(5)的端面起遍及位于该端面和与该端面隔开距离的布线材料(2)的规定部位之间的布线材料(2)的表面的方式，在接合材料(5)的端面以及布线材料(2)的表面与密封树脂(1)之间连续地形成有间隙部(3)。
功率模块

[发明专利]微小物体的配置方法、排列装置、照明装置以及显示装置-CN201180034607.6有效
发明人：柴田晃秀;根岸哲;小宫健治;矢追善史;盐见竹史;岩田浩;高桥明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：该微小物体的配置方法是，在基板准备工序中，准备由第一电极（111）和第二电极（112）对置的部位规定有配置微小物体（120）的位置的基板（110），在流体导入工序中，将流体（121）导入到基板（110）上。流体（121）包含多个微小物体（120）。微小物体（120）是拥有由电介质制造的表侧层（130）和由半导体制造的背侧层（131）作为取向构造的二极管元件。而且，在微小物体配置工序，通过在第一电极（111）与第二电极（112）之间施加交流电压，从而利用感应电泳将微小物体（120）配置成在由第一电极（111）与第二电极（112）对置的部位（A）预先确定的位置而且将表侧层（130）配置成朝上。
微小物体配置方法排列装置照明以及显示装置

[发明专利]电场产生装置及电场产生方法-CN201280012771.1有效
发明人：柴田晃秀;小宫健治;根岸哲;岩田浩 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种电场产生装置，其特征在于，具备：注入有液体的容器；以分别使至少一部分浸在注入到所述容器的液体的方式空开规定的间隔配置的第一电极及第二电极；以及与所述第一电极及第二电极连接，在两电极间施加不对称的交流的交流产生器，所述交流产生器使所述液体中产生实质上从所述第一电极朝向第二电极的电场或实质上从所述第二电极朝向第一电极的电场中的任一方的电场。
电场产生装置方法

[发明专利]发光元件及其制造方法、发光装置的制造方法、照明装置、背光灯、显示装置以及二极管-CN201180052596.4有效
发明人：柴田晃秀;根岸哲;小宫健治;矢追善史;盐见竹史;岩田浩;高桥明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发光元件（100）具备：n型GaN半导体基部（113）；在n型GaN半导体基部（113）上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体（121）；以及覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。n型GaN棒状半导体（121）能通过对棒状半导体（121）增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以，即使将n型GaN棒状半导体（121）的长度做长，也能抑制n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增大，能从n型GaN棒状半导体（121）的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。
发光元件及其制造方法装置照明背光显示装置以及二极管

[发明专利]发光装置、发光装置的制造方法、照明装置和背光源-CN201180012593.8有效
发明人：柴田晃秀;根岸哲;小宫健治;岩田浩;高桥明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明在同一绝缘性基板（200）的安装面上配置了100个以上的平均每个的发光面积为2500πμm2以下的多个棒状构造发光元件（210）。由此，通过一边抑制发光时的温度上升一边使发光分散，从而提供亮度的偏差少且长寿命、高效率的发光装置。
发光装置制造方法照明背光源

[发明专利]发光装置的制造方法、发光装置、照明装置、背光灯、液晶面板、显示装置、显示装置的制造方法、显示装置的驱动方法及液晶显示装置-CN201180013628.X有效
发明人： 根岸哲;柴田晃秀;小宫健治;吉冈史善;岩田浩;高桥明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：在绝缘性基板（720）的直线区域（S）形成金属布线（731），并且与金属布线（731）空开规定的间隔大致平行地形成金属布线（732）。在棒状结构发光元件（710A~710D）的n型半导体核心（701）连接金属布线（731），在p型的半导体层（702）连接金属布线（732）。通过将绝缘性基板（720）分割成多个分割基板，从而形成多个在分割基板上配置有多个棒状结构发光元件（710）的发光装置。在多个发光元件中，将在基板分割工序中即使被切断也不影响所希望的发光量的棒状结构发光元件（710）配置在绝缘性基板（720）的切断区域中，即使由于切断而破损的棒状结构发光元件（710）不发光，也通过没有被切断的其他多个棒状结构发光元件（710）进行发光。
发光装置制造方法照明背光液晶面板显示装置驱动液晶

[发明专利]半导体元件的制造方法及半导体元件-CN201010576708.3有效
发明人： 根岸哲;森下敏;柴田晃秀;小宫健治;岩田浩;高桥明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体元件的制造方法及半导体元件，提供能够增大发光面积并且发光效率高的棒状结构的半导体元件的制造方法。该半导体元件的制造方法，因为不仅在n型的半导体核心（7）的前端面（7A），也在侧面（7B）形成p型的半导体层（10），所以能够增大pn结的面积，能够增大发光面积，能够提高发光效率。此外，因为使用触媒金属（6）形成n型的半导体核心（7），所以能够加快n型的半导体核心（7）的生长速度。因此，能够增长半导体核心（7），能够进一步增大与n型的半导体核心（7）的长度成比例关系的发光面积。
半导体元件制造方法

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201010521005.0有效
发明人：小宫健治;根岸哲;柴田晃秀;森下敏;岩田浩;高桥明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种不需要用于减轻亮度不均的零部件、能够以低成本获得均匀的亮度的发光装置。在该发光装置中具有1558万个发光二极管(2)，它们在基板(1)上40cm2的区域内以每单位面积的个数大致均匀的方式连接在第1电极(3)和第2电极(5)之间，配置密度达到38万9500(个/cm2)。由此，能够将亮度不均降低到约±0.08％。
发光装置及其制造方法

[发明专利]棒状结构发光元件、棒状结构发光元件的制造方法、背光灯、照明装置及显示装置-CN201010516174.5有效
发明人： 根岸哲;柴田晃秀;森下敏;小宫健治;岩田浩;高桥明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及棒状结构发光元件、棒状结构发光元件的制造方法、背光灯、照明装置及显示装置。为了容易连接电极，实现高发光效率，棒状结构发光元件具备：棒状的第1导电型的半导体核心；以及以覆盖上述半导体核心的方式形成的第2导电型的半导体层。上述半导体核心的一部分的外周面露出。
结构发光元件制造方法背光照明装置显示装置

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201010511004.8有效
发明人：柴田晃秀;根岸哲;森下敏;小宫健治;岩田浩;高桥明;矢追善史 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据该发光装置，在棒状发光元件(505)的N型第二区域(507)的两侧配置有P型第一区域(506)和P型第三区域(508)。因而，即使棒状发光元件(505)的第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接互换，相对于第一、第三电极(501、503)的二极管极性也不互换，所以可正常发光。因此，在制造工序中，第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接也可以相反，不需要用于识别棒状发光元件(505)的方向性的标记或形状，能够简化制造工序，进而能够抑制制造成本。
发光装置及其制造方法

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