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[发明专利]一种具有复合涂层结构的MOCVD设备用基座盘及其制备方法-CN202011431664.5有效
发明人：汪洋;余盛杰;刘佳宝;柴攀;万强 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合涂层结构的MOCVD设备用基座盘及其制备方法，其包括基体和基体表面的复合涂层，所述复合涂层由内到外依次包括C‑SiC共沉积层、SiC涂层、SiC‑TaC共沉积梯度层和TaC涂层，所述C‑SiC共沉积层由SiC和热解C组成，所述SiC‑TaC共沉积梯度层从内到外TaC含量从0到100％呈梯度变化分布。C‑SiC共沉积层、纯SiC涂层和SiC‑TaC共沉积梯度层能够有效缓解TaC涂层热膨胀系数大而造成涂层中内应力大的影响，可有效避免TaC涂层在使用过程中出现开裂脱落等问题，延长了使用寿命。
一种具有复合涂层结构 mocvd 备用基座及其制备方法

[发明专利]一种两端进气的化学气相沉积炉-CN201911363720.3有效
发明人：汪洋;刘佳宝;万强;柴攀;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种两端进气的化学气相沉积炉，包括进气系统、沉积炉、抽气系统和控制装置，沉积炉包括钢体外壳和用于容置待气相沉积的工件的石墨坩埚，钢体外壳罩设于石墨坩埚的外部，沉积炉的两端均设有连通石墨坩埚的进气口和出气口，两个进气口连接进气系统，两个出气口连接抽气系统；分布于沉积炉两端的一进气口和一出气口为一组，控制装置控制进气口和出气口的启闭，使同一时间内有且仅有一组的进气口和出气口开启。本发明的两端进气的化学气相沉积炉具有简单实用、能提高内部气体浓度均匀性和产品涂层厚度均匀性等优点。
一种两端化学沉积

[发明专利]一种用于MOCVD设备的硅基托盘及制备方法-CN202011425944.5有效
发明人：汪洋;余盛杰;刘佳宝;柴攀;万强 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于MOCVD设备的硅基托盘及制备方法，其包括构成托盘基材的Si基体和Si基体表面的复合涂层，所述复合涂层包括热解炭过渡层、Si基体与热解炭过渡层之间界面处的SiC界面层、以及最外层的SiC涂层，所述SiC界面层由热解炭过渡层与Si基体在界面处发生反应形成。高温下热解炭层可与硅基体在界面处通过化学键、强结合作用形成致密的碳化硅界面层，进一步防护托盘基材，同时热解炭层可匹配基体与最外层的热膨胀系数差异。复合涂层中软质C层结构可有效缓解最外层SiC晶体的热膨胀，以降低涂层内的应力峰值。
一种用于 mocvd 设备托盘制备方法

[发明专利]一种表面SiC涂层石墨托盘的制备方法及应用-CN202210006672.8在审
发明人：汪洋;余盛杰;潘影;柴攀;万强 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供一种表面SiC涂层石墨托盘的制备方法及其应用，包括以下步骤：(1)取石墨托盘作为基体；(2)利用含有NH3的气体对石墨托盘进行刻蚀处理；(3)对刻蚀后的石墨托盘表面进行吹扫，去除刻蚀后的残留粉尘；(4)采用化学气相沉积法在处理后的石墨托盘表面沉积SiC涂层。高温条件下NH3气对石墨具有一定的腐蚀性，本申请利用NH3对石墨托盘表面刻蚀，得到粗糙多孔的刻蚀表面，有利于SiC涂层对托盘基体的机械咬合，提高涂层与基体的结合强度。
一种表面 sic 涂层石墨托盘制备方法应用

[发明专利]一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器-CN202011466005.5有效
发明人：余盛杰;汪洋;潘影;刘佳宝;柴攀;万强 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2020-12-13 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器，包括石墨基材，石墨基材的外表面包覆有硅过渡层，硅过渡层的外表面包覆有TaC涂层，TaC涂层由靠近硅过渡层的一侧至远离硅过渡层的一侧孔隙率逐渐增大。该用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器镓源的挥发效率高、蒸发器石墨基材不易受高温腐蚀性气氛侵蚀、使用寿命更长。
一种用于氢化物外延生长氮化蒸发器

[发明专利]一种碳化硅纳米线增强的陶瓷基复合材料及其制备方法-CN201811176986.2有效
发明人：汪洋;万强;柴攀;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纳米线增强体及其制备方法，一种碳化硅纳米线增强体包括碳化硅纳米线增强体、氮化硼陶瓷涂层和陶瓷基体，所述氮化硼陶瓷涂层覆盖于碳化硅纳米线增强体上，覆盖有氮化硼陶瓷涂层的碳化硅纳米线增强体，分布于所述陶瓷基体中。本发明所述碳化硅纳米线增强的陶瓷基复合材料兼具耐高温抗氧化和高韧性的性能。
一种碳化硅纳米增强陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种用于蓝宝石衬底的碳化硅涂层及其制备方法-CN201811167472.0有效
发明人：汪洋;万强;柴攀;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于蓝宝石衬底的碳化硅涂层及其制备方法；一种用于蓝宝石衬底的碳化硅涂层，包括：所述碳化硅晶须结合在蓝宝石衬底的表面；在结合碳化硅晶须的蓝宝石衬底的表面，结合碳化硅涂层；所述碳化硅晶须镶嵌于碳化硅涂层中。本发明所述的用于蓝宝石衬底的碳化硅涂层韧性强，工作温度高，热稳定性能好，工作可靠性高，不易脱落，应用范围广。
一种用于蓝宝石衬底碳化硅涂层及其制备方法

[发明专利]一种陶瓷复合涂层及其制备方法-CN201811167504.7有效
发明人：汪洋;万强;柴攀;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷复合涂层及其制备方法。本发明所述陶瓷复合涂层包括二维过渡金属碳化物或碳氮化物陶瓷涂层、碳化硅陶瓷涂层；所述二维过渡金属碳化物或碳氮化物陶瓷涂层的内表面结合在基体表面，所述碳化硅陶瓷涂层结合在所述二维过渡金属碳化物或碳氮化物陶瓷涂层的外表面。本发明所述的陶瓷复合涂层，可以由以下步骤制备得到：处理基体，制备陶瓷浆料，形成二维过渡金属碳化物或碳氮化物陶瓷涂层，沉积碳化硅陶瓷涂层，得到陶瓷复合涂层。现有技术中，传统碳化硅涂层热导率为20‑30W/m·K，本发明所述碳化硅陶瓷涂层的热导率为0.5‑2W/m·K。本发明所述碳化硅陶瓷涂层兼具耐高温抗氧化和低导热率的性能。
一种陶瓷复合涂层及其制备方法

[发明专利]一种石墨表面梯度碳化硅涂层及其制备方法-CN202011480093.4在审
发明人：刘佳宝;陈照峰;汪洋;余盛杰;潘影;柴攀;万强 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨表面梯度碳化硅涂层及其制备方法，方法包括以下步骤：S1：将纳米硅粉加入液态聚碳硅烷中，超声震荡混合均匀，得到含有硅粉的液态聚碳硅烷；将石墨试样加压浸渍于含有硅粉的液态聚碳硅烷中，取出后固化、裂解，从而在石墨表面形成初级碳化硅涂层。S2：采用化学气相沉积法在步骤S1的初级碳化硅涂层表面沉积次级碳化硅涂层，从而初级碳化硅涂层和次级碳化硅涂层形成石墨表面的梯度碳化硅涂层。本发明通过在聚碳硅烷中加入硅粉，硅粉随着聚碳硅烷固化分布在石墨表面，在1650℃‑1800℃与表面石墨反应生成碳化硅，既增强了涂层与石墨基体的结合强度，又避免影响后续CVD SiC的生长。
一种石墨表面梯度碳化硅涂层及其制备方法

[发明专利]一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法-CN202011465963.0在审
发明人：余盛杰;汪洋;潘影;刘佳宝;柴攀;万强 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2020-12-13 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明公开了一种在石墨基材表面形成致密TaC涂层的方法，包括：(1)、将石墨基材加工、清洗，放入烘箱烘干备用；(2)、将TaC粉末、烧结助剂粉末、无水乙醇和金属盐化物混合搅拌均匀，配制成电泳悬浮液；(3)、将石墨基材放入电泳悬浮液，然后将正极电极材料插入电泳悬浮液，使正极电极材料围绕在石墨基材周围，以石墨基材为负极，插入超声振动棒，进行电泳沉积；(4)、将电泳沉积后的工件取出，放入烘箱进行热处理；(5)、将热处理后的工件放入高温烧结炉，在低压状态下、惰性气氛下进行烧结，烧结完成后将工件冷却至室温，即得。该方法制备的TaC涂层均匀致密，制备工艺简单，生产成本低。
一种石墨基材表面形成致密 tac 涂层方法

[发明专利]一种CVD制备碳化硅陶瓷的方法-CN201911370627.5在审
发明人：刘佳宝;汪洋;万强;柴攀;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明公开了一种CVD制备碳化硅陶瓷的方法，包括以下步骤：(1)用石墨纸将石墨基体包裹起来，只暴露石墨基体的一面；(2)将经步骤(1)处理的石墨基体放入管式炉中，通入三氯甲基硅烷、氩气和氢气进行气相沉积；(3)除掉石墨基体表面包裹的石墨纸；(4)对步骤(3)后得到的材料进行热处理，得到碳化硅陶瓷块体。本发明的制备过程中先用石墨纸将石墨基体包裹起来，只暴露石墨基体的一面，其余各面均采用石墨纸包裹起来，然后进行气相沉积，通过控制沉积的流量和时间，在基体裸露的表面沉积厚厚一层块状碳化硅，再去掉石墨纸，并进行热处理去除石墨基体，从而得到块状碳化硅陶瓷，使碳化硅陶瓷采用化学气相沉积法制备成为可能。
一种 cvd 制备碳化硅陶瓷方法

[发明专利]一种化学气相沉积尾气再利用系统及方法-CN201911327220.4在审
发明人：刘佳宝;汪洋;万强;柴攀;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积尾气再利用系统及方法，包括一级活性炭毡过滤器、二级活性炭毡过滤器、三氯甲基硅烷供气系统和流量控制系统，一级活性炭毡过滤器的入口通过管道与第一化学气相沉积炉的排气口连通，一级活性炭毡过滤器的出口通过管道与二级活性炭毡过滤器的入口端相连通，二级活性炭毡过滤器的出口通过管道与流量控制系统相连通，三氯甲基硅烷供气系统通过管道与流量控制系统相连通，流量控制系统出口与第二化学气相沉积炉相连通。本发明可以将化学气相沉积法尾气中的四氯化硅、三氯甲基硅烷、氢气和氩气等有效成分再次利用，进行二次沉积，提高三氯甲基硅烷的利用率，降低生产成本，并减少对环境的污染。
一种化学沉积尾气再利用系统方法

[发明专利]一种化学气相沉积尾气回收装置-CN201911329217.6在审
发明人：刘佳宝;汪洋;万强;柴攀;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积尾气回收装置，包括活性炭毡过滤器、一级冷却回收器和二级冷却回收器，活性炭毡过滤器的入口通过管道与化学气相沉积炉的排气口连通，活性炭毡过滤器的出口通过管道与一级冷却回收器的入口端相连通，一级冷却回收器的出口通过管道与二级冷却回收器的入口端相连通，二级冷却回收器的出口端与真空泵相连接。本发明可以有效清除化学气相沉积法制备碳化硅涂层或碳化硅纳米线等尾气中的粉尘颗粒，并回收尾气中的四氯化硅和三氯甲基硅烷，降低生产成本，减少对环境的污染的同时，延长了真空泵的使用寿命。
一种化学沉积尾气回收装置

[发明专利]一种碳纳米管-碳化硅纳米线复合材料及其制备方法-CN201911318661.8在审
发明人：刘佳宝;汪洋;万强;柴攀;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管‑碳化硅纳米线复合材料，为一维纳米结构，该材料中碳化硅纳米线沿碳纳米管的长度方向生长。该材料的制备方法：将预处理基片放入管式炉中，采用化学气相沉积法在基体上沉积碳纳米管；再采用化学气相沉积法在碳纳米管上沉积碳化硅纳米线，得到碳纳米管‑碳化硅纳米线复合材料。本发明充分利用碳纳米管和碳化硅纳米线在用CVD方式制备时都遵循V‑L‑S生长机制，从而制备出一种全新的一维纳米结构材料，该复合材料中碳化硅纳米线沿碳纳米管的长度方向生长，可以将碳化硅纳米线和碳纳米管的优异性能进行互补，通过控制二者的长度分配而获得需要的导电和导热性能材料，对于新型纳米电子器件的研制具有重要意义。
一种纳米碳化硅复合材料及其制备方法

[实用新型]一种纳米线增强的C/SiC复合材料-CN201920285246.6有效
发明人：刘佳宝;万强;柴攀;汪洋;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本实用新型提供一种纳米线增强的C/SiC复合材料，包括增强体、界面层、碳化硅基体、第一涂层以及纳米线；所述增强体由碳纤维编织而成；所述界面层覆盖在所述增强体的碳纤维表面，所述碳化硅基体沉积在所述界面层外表面，填充满碳纤维编织产生的间隙，包裹住整个增强体，所述第一涂层涂敷在所述碳化硅基体外表面，所述纳米线错乱生长于碳纤维交叉处。本实用新型主体结构由碳纤维编织而成，纳米线错乱生长于碳纤维交叉处，增加C/SiC复合材料的密度，同时防止裂纹的产生，提升了C/SiC复合材料的力学性能和使用寿命。
一种纳米增强 sic 复合材料

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