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[发明专利]功率半导体用铝接合线-CN202280011513.5在审
发明人：三苫修一;市川司;浦地刚史;柳本辰则;中岛泰 -专利权人：田中电子工业株式会社;三菱电机株式会社
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种铝线，其在功率半导体用的接合线接合时，线不会从楔形工具偏离，且可在功率循环试验中实现长寿命。本发明的铝线由铝纯度99质量％以上的铝合金构成，相对于铝合金中所有元素的总量，以总计0.01质量％以上1质量％以下含有铁及硅，铝线中与线轴垂直的方向的横剖面中，(111)的取向指数为1以上，且(200)的取向指数为1以下，析出粒子的面积率的范围为0.02％以上2％以下。
功率半导体接合

[发明专利]半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法-CN202280010811.2在审
发明人：浦地刚史;柳本辰则;中岛泰;三苫修一;市川司 -专利权人：三菱电机株式会社;田中电子工业株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备半导体元件(1)、金属膜(2)和引线(3)。半导体元件(1)包含电极(11)。金属膜(2)覆盖半导体元件(1)的电极(11)。引线(3)与金属膜(2)接合。金属膜(2)具有比引线(3)高的硬度。在引线(3)整体中，引线(3)的圆形截面上的平均结晶粒径为5μm以下。
半导体装置电力转换以及制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201880072262.5有效
发明人： 柳本辰则;佐藤香织;菊池正雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置，具备：第1主电极及第2主电极，分别配设于半导体基板的第1主面上及第2主面上；保护膜，配设于所述第1主电极的端缘部上；以及第1金属膜，配设于所述第1主电极上的由所述保护膜包围的区域，在所述第1金属膜中，中心部分的膜厚比与所述保护膜相接的部分的膜厚更厚，并且在表面具有凹凸。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]功率半导体模块以及电力转换装置-CN201880009366.1有效
发明人：堀口刚司;宫崎裕二;柳本辰则 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供一种能够抑制振铃的小型的功率半导体模块以及电力转换装置。功率半导体模块具备：作为正极侧功率半导体元件的正极侧开关元件(16P)及正极侧续流二极管(17P)、作为负极侧功率半导体元件的负极侧开关元件(16N)及负极侧续流二极管(17N)、正极导体图案(3a)、负极导体图案(3b)、交流电极图案(3c)、以及由形成有缓冲电路的绝缘基板(8)构成的缓冲基板。缓冲基板包含绝缘基板(8)和配置在该绝缘基板(8)的至少1个缓冲电路。缓冲基板配置在正极导体图案(3a)、负极导体图案(3b)、交流电极图案(3c)的至少任意一个上。
功率半导体模块以及电力转换装置

[发明专利]电力用半导体模块、电子部件以及电力用半导体模块的制造方法-CN201880020955.X有效
发明人： 柳本辰则;堀口刚司;中原贤太;宫崎裕二;清水康贵 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供一种能够抑制在开关元件的开关动作时产生的振铃、具有高可靠性的电力用半导体装置。电力用半导体模块具备半导体元件(204)、导体图案(203a、203d～203f)、缓冲电路、密封体(205)、作为中间构件的金属端子(306b)和作为接合件的钎焊接合部(211)。对导体图案(203a、203d～203f)连接有半导体元件(204)。缓冲电路(106)为电容器主体部(306a)与电阻器(210)串联连接而成的电路。密封体(205)密封半导体元件(204)、导体图案(203a、203d～203f、203h)、电容器主体部(306a)以及电阻器(210)。连接于电容器主体部(306a)的金属端子(306b)通过钎焊接合部(211)与导体图案(203e、203f)连接。
电力半导体模块电子部件以及制造方法

[发明专利]半导体装置、电力变换装置以及移动体-CN202080103496.9在审
发明人：广中阳一;柳本辰则 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明是为了解决这样的问题而提出的，其目的在于提供一种能够降低成本的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：基座板；绝缘基板，其设置于基座板之上；半导体芯片，其设置于绝缘基板之上；第1树脂壳体以及第2树脂壳体，它们以将绝缘基板以及半导体芯片收容在内部的方式安装于基座板，二者彼此嵌合；以及封装材料，其对绝缘基板以及半导体芯片进行封装，第1树脂壳体以及第2树脂壳体由相对漏电起痕指数不同的树脂材料构成。
半导体装置电力变换以及移动

[发明专利]电力用半导体装置-CN202210947454.4在审
发明人： 柳本辰则;浅田晋助;东久保耕一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：提供一种电力用半导体装置，包括至少在表面具有导体层的绝缘基板、设置于导体层上的线材凸块、载置于线材凸块上的半导体元件以及在导体层上将半导体元件进行接合的焊料层，以及/或者包括底板、设置于底板上的多个线材凸块、载置于线材凸块上且至少在背面具有导体层的绝缘基板以及在底板上接合绝缘基板的导体层的焊料层，在线材凸块与焊料层的界面具有包括线材凸块的材料和焊料层的材料的合金。
电力半导体装置

[发明专利]电力用半导体装置-CN201780035418.8有效
发明人： 柳本辰则;浅田晋助;东久保耕一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：电力用半导体装置包括至少在表面具有导体层的绝缘基板、设置于导体层上的线材凸块、载置于线材凸块上的半导体元件以及在导体层上将半导体元件进行接合的焊料层，以及/或者包括底板、设置于底板上的多个线材凸块、载置于线材凸块上且至少在背面具有导体层的绝缘基板以及在底板上接合绝缘基板的导体层的焊料层，在线材凸块与焊料层的界面具有包括线材凸块的材料和焊料层的材料的合金。
电力半导体装置

[发明专利]功率半导体装置-CN201680009370.9有效
发明人：小川翔平;菊池正雄;藤野纯司;内田祥久;铃木裕一郎;柳本辰则 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：在功率半导体装置(100)中，关于功率半导体元件(4)的表面电极(41a)，在维氏硬度为200～350Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(81)上层叠设置有比Cu层(81)柔软的维氏硬度为70～150Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(82)，对Cu层(82)与Cu制的导线(6)进行导线键合。
功率半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201480081620.0有效
发明人：北岛由美惠;柳本辰则;新井规由 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的目的在于得到一种接合部的可靠性高的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)，其形成有导电性图案(4b)；以及电极端子(6)及半导体元件，它们与导电性图案(4b)接合，电极端子(6)和导电性图案(4b)在接合面(7)处进行了超声波接合，进行超声波接合的部位为多个。
半导体装置

[发明专利]功率模块-CN201580043705.4有效
发明人：藤野纯司;内田祥久;小川翔平;坂元创一;柳本辰则 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：关于使铝与铜重叠而进行压焊而成的包层材料，通过利用超声波接合等将包层材料的铝侧接合于功率半导体元件的电极表面并在包层材料的铜侧进行线接合，而形成电路。进而预先在比功率半导体元件的动作温度高的温度下对包层材料进行热处理，从而在接合处理后在铝以及铜的各个界面充分地形成金属间化合物，以避免膜厚生长。
功率模块

[发明专利]电力用半导体装置-CN201510085084.8在审
发明人：山口义弘;柳本辰则;石桥秀俊 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高电气接合可靠性的电力用半导体装置。安装电力用半导体元件(8)的电路基板具有绝缘板(5A)、接合图案(4A)、电路图案(6A)以及焊盘板(1C)。绝缘板(5A)由氮化铝陶瓷制作，具有第1面以及第2面(S1、S2)。接合图案(4A)接合在绝缘板(5A)的第1面(S1)上，由铝或铝合金制作。电路图案(6A)接合在绝缘板(5A)的第2面(S2)上，由铝或铝合金制作。焊盘板(1C)与电路图案(6A)接合，仅局部地覆盖电路图案(6A)，由铜或铜合金制作。
电力半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310495880.X无效
发明人： 柳本辰则 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，在该半导体装置中，载置有半导体元件的芯片座和树脂片之间具有高紧贴性及高散热性。本发明所涉及的半导体装置（100）具有：芯片座（5）；半导体元件（7），其与芯片座（5）的上表面接合；以及树脂片（4），其紧贴在芯片座（5）的下表面，半导体元件（7）与芯片座（5）及树脂片（4）一起进行树脂封装，在芯片座（5）的下表面形成有凹部（5a），通过将树脂片（4）的一部分填充至凹部（5a）中，从而使包含凹部（5a）内部在内的芯片座（5）的下表面与树脂片（4）紧贴。
半导体装置及其制造方法

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