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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810282891.2有效
发明人：卡鲁纳·尼迪;柯明道;林庭佑 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：一基板，具有一表面；一第一掺杂区，形成于该基板中；一第二掺杂区，形成于该基板中；一第三掺杂区，形成于该基板中，其中该第三掺杂区位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，并电性隔离该第一掺杂区与该第二掺杂区；一第四掺杂区，形成于该基板中，为该第二掺杂区所包围；一栅极掺杂区，形成于该基板中，为该第四掺杂区所包围；一源极掺杂区，形成于该基板中，位于该第二掺杂区内；一漏极掺杂区，形成于该基板中，位于该第二掺杂区内；以及多个隔离结构，形成于该基板中，位于该栅极掺杂区与该源极掺杂区之间，以及位于该栅极掺杂区与该漏极掺杂区之间。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成电路及对静电进行放电的方法-CN202210237228.7在审
发明人：吴维旻;竹立炜;柯明道;林群佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路包括T线圈电路、可控硅整流器(SCR)及信号损耗防止电路。T线圈电路耦合到输入/输出(I/O)焊盘及内部电路。可控硅整流器耦合到T线圈电路及内部电路。信号损耗防止电路耦合到T线圈电路及可控硅整流器。信号损耗防止电路包括耦合到T线圈电路及可控硅整流器的电阻器。静电电流流经电阻器且接通可控硅整流器。信号损耗防止电路也可包括耦合到T线圈电路及可控硅整流器的二极管电路。二极管电路被配置成防止信号损耗。
集成电路静电进行放电方法

[发明专利]人工电子耳装置及其刺激方法-CN201710372861.6有效
发明人：李家凤;周元昉;吴重雨;柯明道;洪崇智;钱信宏 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： A61N1/36 文献下载
摘要：人工电子耳装置及其刺激方法，其中，人工电子耳装置包含接收器、处理器、第一电极及第二电极。接收器用以接收外界音讯。处理器耦接于接收器，用以接收音讯并将其转换为电刺激信号。第一电极耦接于处理器，用以设置于镫骨韧带部位或卵圆窗部位。第二电极耦接于处理器，用以设置于圆窗部位。其中，电刺激信号经由第一电极或第二电极提供至镫骨韧带部位、卵圆窗部位或圆窗部位，用以刺激听神经。
人工电子装置及其刺激方法

[发明专利]主动式涌浪防护结构及其涌浪数字转换器-CN201811583442.8有效
发明人：陈文捷;柯明道;姜信钦 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种主动式涌浪防护结构和一种涌浪数字转换器，其中，主动式涌浪防护结构设置于一电源线与核心电路之间，包括一涌浪数字转换器与一箝位电路。涌浪数字转换器包括多个涌浪侦测电路，各自侦测电源线上的涌浪事件，并输出数字信号。箝位电路邻近设置核心电路，并与涌浪数字转换器和核心电路共同连接电源线，以在涌浪事件发生时疏浚能量。涌浪数字转换器输出的多个数字信号传送并用以驱动箝位电路，使得箝位电路可根据这些数字信号调节其能量疏浚能力。藉由本发明，可根据不同的涌浪层级达到调变其驱动箝位的能力的功效，可提升电子电路的可靠度，更可同时达到更佳的电路系统稳定性。
主动涌浪防护结构及其数字转换器

[发明专利]有界栅极的硅控整流器-CN201610785746.7有效
发明人：林群祐;柯明道;王文泰 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种有界栅极的硅控整流器，包含基板、N型井区、P型井区、第一和第二N型半导体区、第一和第二P型半导体区、以及第三半导体区。N型井区与P型井区配置于基板之中，第一N型半导体区与第二P型半导体区配置于N型井区之中，且连接至阳极端，第一P型半导体区与第二N型半导体区配置于P型井区之中，且连接至阴极端。第二N型半导体区与第二P型半导体区介于第一N型半导体区与第一P型半导体区之间，第三半导体区介于第二N型半导体区与第二P型半导体区之间。本发明透过将硅控整流器结合栅极结构与深沟渠隔离槽，控制闩锁现象的产生，通过降低阳极端与阴极端之间的等效距离，兼顾硅控整流器于电路设计中闩锁现象的控制与静电防护功能的维持。
栅极整流器

[发明专利]电源箝制电路-CN201710171360.1有效
发明人：陈界廷;林群祐;柯明道;黄如琳;林自强;曾子建 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电源箝制电路，耦接于一系统供应电源与一接地间，用来降低一静电放电效应，该电源箝制电路包括一第一导通电路、一第二导通电路、一与门模块以及一开关模块，该与门模块接收一来自该第一导通电路产生的一第一导通信号以及来自该第二导通电路产生的一第二导通信号，以产生一使能信号，该开关模块根据该使能信号导通该电源箝制电路，以处理一静电放电操作。该第一导通电路用来防止该系统供应电源的一高电压值，且该第二导通电路用来防止该系统供应电源的一短启动周期。
导通电路电源箝制电路系统供应电源导通信号开关模块使能信号与门模块静电放电效应静电放电启动周期接地高电压导通耦接

[发明专利]静电放电保护电路-CN201610764660.6有效
发明人：艾飞;柯明道;曾子建;黄如琳 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在本发明中，提供一种静电放电保护电路，其耦合于第一电源轨与第二电源轨之间以释放任何静电放电应力。静电放电保护电路包含检测电路、触发电路以及双向可控硅整流器装置。当静电放电应力施加到第一电源轨或第二电源轨时，检测电路可首先检测静电放电应力并将检测信号输出到触发电路。触发电路基于检测信号以及静电放电应力的极性产生触发信号。接着，基于在双向可控硅整流器装置至少两个同一类型的晶体管之间的共同节点处所接收的触发信号对称地触发双硅向可控整流器装置。示范性的静电放电保护电路可实施于纳米尺寸制造的集成电路中，并实现良好的静电放电稳定性，同时维持较低备用泄漏电流以及相对较小布局面积。
静电放电保护电路

[发明专利]自我平衡式二极管装置-CN201610969374.3有效
发明人： 柯明道;吴伟琳;彭政杰;姜信钦 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种自我平衡式二极管装置，包含一基板、一掺杂井区、至少一第一导电型重掺杂鳍与至少两个第二导电型重掺杂鳍。掺杂井区设于基板中，第一导电型重掺杂鳍设于掺杂井区中并沿第一方向设置，且从基板的表面上凸出。第二导电型重掺杂鳍设于掺杂井区中并沿第二方向设置，第二方向与第一方向相交。第二导电型重掺杂鳍分别位于第一导电型重掺杂鳍的相异两侧且从基板的表面上凸出，每一第二导电型重掺杂鳍与第一导电型重掺杂鳍相隔一固定距离。
自我平衡二极管装置

[发明专利]双极性晶体管装置-CN201710131856.6有效
发明人： 柯明道;吴伟琳;彭政杰;姜信钦 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极性晶体管装置，包含一基板与至少一第一晶体管单元。第一晶体管单元包含一第一掺杂井区、至少一第一鳍式结构与至少一第二鳍式结构，且第一掺杂井区为第一导电型。第一鳍式结构包含一第一闸极带与设于第一掺杂井区中的第一掺杂鳍，且第一闸极带为浮接。第二鳍式结构包含一第二闸极带与设于第一掺杂井区中的第二掺杂鳍，且第二闸极带为浮接。第一掺杂鳍、第二掺杂鳍与第一掺杂井区形成第一双载子接面晶体管，且第一掺杂鳍与第二掺杂鳍分别连接高电压端与低电压端。
极性晶体管装置

[发明专利]静电放电防护装置及其操作方法-CN201610099180.2有效
发明人：曾子建;陈界廷;林群祐;柯明道 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种静电放电防护装置及其操作方法。静电放电防护装置包括静电放电电流轨线、静电放电防护组件串以及偏压电路。静电放电防护组件串的第一端与第二端分别电性连接至静电放电电流轨线与信号焊垫。其中，静电放电防护组件串包含相互串联的第一静电放电防护组件与第二静电放电防护组件。偏压电路电性连接至静电放电防护组件串，以提供偏压电压至第一静电放电防护组件与第二静电放电防护组件之间的共同连接节点。本发明可以降低静电放电防护组件串的寄生电容的电容值。
静电放电防护装置及其操作方法

[发明专利]去颤电击装置-CN201410448126.5有效
发明人：郭敏映;柯明道 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： A61N1/39 文献下载
摘要：本发明提供一种去颤电击装置。上述去颤电击装置包括一第一电极与一第二电极、一读取模块、一通用序列汇流排界面、一电压转换器及一刺激模块。当第一电极与第二电极接触一病患的胸部时，上述读取模块得到上述病患的一生理信号。当上述通用序列汇流排界面耦接于一可携式电子装置时，上述电压转换器根据来自上述可携式电子装置的一第一电压而产生一第二电压，其中上述第二电压大于上述第一电压。当上述生理信号指示上述病患为心律不整时，上述刺激模块根据上述第二电压而经由上述第一电极与第二电极来提供一电击能量至上述病患的胸部。本发明能够自动体外调节心脏病患者的心率不整。
电击装置

[发明专利]硅控整流器-CN201510232109.2有效
发明人：林群祐;柯明道;王文泰 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明揭露一种硅控整流器，包含基板、井区、深掺杂区、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区。井区设置于基板上，并设置于元件区域下方。深掺杂区设置于井区内。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型，并位于深掺杂区上。第四掺杂区具有第二导电型，位于第二掺杂区与第三掺杂区之间，并位于深掺杂区上。第四掺杂区经由深掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区而与井区电性绝缘。本发明所提出的硅控整流器可制作于同一井区，以降低布局面积，并同时维持一定的电路效能。
整流器

[发明专利]二极管与二极管串电路-CN201510232114.3有效
发明人：林群祐;柯明道;王文泰 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明揭露一种二极管与二极管串电路。二极管包含基板、第一绝缘层、第二绝缘层、井区、深掺杂区、第一掺杂区与第二掺杂区。第一绝缘层设置于基板上。第二绝缘层设置于基板上，并与第一绝缘层定义元件区域。井区设置于基板上以及元件区域下方。深掺杂区设置于井区内，并位于元件区域下方。第一掺杂区设置于元件区域内，并位于深掺杂区上。第二掺杂区位于深掺杂区上并相邻设置于该第一掺杂区旁。第二掺杂区经由深掺杂区以及第一掺杂区而与井区电性绝缘。本发明所提出的二极管可降低寄生晶体管所引起的漏电流，并可降低布局面积。
二极管电路

[发明专利]消除静电的测试方法-CN201510046151.5有效
发明人： 柯明道;庄哲豪 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除静电的测试方法，其利用一测试设备进行，该测试设备包含一测试器与一平台。首先，执行至少一测试流程，在测试流程中，测试设备上产生有静电电荷。在测试流程中，测试器接触并测试位于平台的一测试区域上的至少一测试集成电路(IC)。接着，将测试集成电路移离测试器与测试区域。结束测试流程后，移动接地的一导电装置至测试区域，使测试器接触导电装置，以释放静电电荷至接地端。接着，将导电装置移离测试器与测试区域。最后，返回至测试流程，以测试下一测试集成电路。
消除静电测试方法

[发明专利]三维集成电路封装-CN201410037498.9有效
发明人： 柯明道;庄哲豪 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明公开一种三维集成电路封装，其包含一封装基板，此具有一表面。此封装基板的表面上设有彼此电性连接的至少一集成电路芯片与至少一瞬时电压抑制芯片，其中集成电路芯片可以或无法抑制一瞬时电压。集成电路芯片与瞬时电压抑制芯片彼此独立，且互相堆栈于封装基板上。或者，集成电路芯片与瞬时电压抑制芯片一起通过一中介层设于封装基板上。
三维集成电路封装

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