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[实用新型]存储器装置-CN202320220092.9有效
发明人： 柯文升;邱砚晟;洪哲民;吕易伦;吴瑞仁;张孟凡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：介绍一种包括存储器阵列及预充电选择电路的存储器装置。存储器阵列包括耦合至多条位元线及多条字元线的多个存储单元，其中所述多条字元线被配置成接收输入向量。预充电选择电路被配置成根据输入向量的值选择性地对所选择的位元线进行预充电。预充电选择电路被配置成判断输入向量的值是否小于预定义临限值，且因应于确定输入向量的值小于预定义临限值而产生栅控预充电信号以跳过对所选择的位元线进行预充电。
存储器装置

[发明专利]确定存储在存储器电路的位的位状态的方法及存储器电路-CN202310100702.6在审
发明人：邱砚晟;柯文升;张孟凡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开一种确定存储在存储器电路的位的位状态的方法及存储器电路。在一些实施例中，存储器电路包括被配置成对位进行存储的存储单元。参考线被配置成接收参考信号且数据线被配置成接收数据信号。数据线被配置成选择性地耦合到存储单元。充电电压选择单元被配置成响应于选择信号处于第一选择状态而对参考线及数据线进行充电，并且响应于选择信号处于第二选择状态而对参考线及数据线进行放电。感测放大器被配置成将数据信号与参考信号进行比较，以感测由存储单元存储的位的位状态。
确定存储存储器电路状态方法

[实用新型]一种调整感测电流的电路及其内存组件-CN202221764807.9有效
发明人： 柯文升;吴瑞仁;刘仁杰;张孟凡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种调整感测电流的电路及其内存组件。电路包括感测放大器、第一箝位电路、第二箝位电路以及回馈电路。第一箝位电路包括并联耦接于感测放大器与内存阵列之间的第一箝位分支。第二箝位电路包括并联耦接于感测放大器与参考阵列之间的第二箝位分支。回馈电路被配置成因应于由感测放大器输出的输出数据而选择性地对第一箝位分支中的一或多者或者第二箝位分支中的一或多者进行启用或禁用。
一种调整电流电路及其内存组件

[发明专利]控制电路、存储器系统及控制方法-CN202210065633.5在审
发明人： 柯文升;刘仁杰;张孟凡;李东颖;蔡劲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开提供一种控制电路、存储器系统及控制方法。控制电路用以控制存储器阵列的多个存储单元。控制电路包括程式化控制器。程式化控制器经组态以根据数据型态的第一比特的容许误差，程式化存储单元的第一电气特性分布以及第二电气特性分布。其中第一电气特性分布及第二电气特性分布之间的第一重迭面积小于第一预设值。
控制电路存储器系统控制方法

[发明专利]随机数产生器及其操作方法以及产生随机数的方法-CN202111197712.3在审
发明人： 柯文升;吴瑞仁;刘仁杰;安隼立;鲍新宇;张孟凡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本揭露引入一种随机数产生器，包括：控制电路、振荡电路、动态标头电路、振荡检测电路以及锁存器电路。控制电路扫描多个配置当中的偏置控制信号的配置。动态标头电路基于偏置控制信号的配置而产生偏置电压。振荡电路基于偏置电压而产生振荡信号。振荡检测电路检测振荡信号的起始，且输出锁定信号。锁存器电路根据触发信号锁存振荡信号以输出随机数，其中触发信号在锁定信号被输出之后被确证，且偏置控制信号的配置在锁定信号被输出之后被锁定。还引入一种用于产生随机数的方法和随机数产生器的操作方法。
随机数产生器及其操作方法以及产生方法

[发明专利]存储器装置和存储器装置中的错误校正方法-CN202110592223.1在审
发明人： 柯文升 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器装置和一种校正存储器装置中的错误的方法。存储器装置控制器包含存储阵列、连结断路器阵列、写入控制器、验证电路以及控制器。存储阵列包含多个存储单元。连结断路器阵列包含多个连结断路器行。写入控制器配置成将编程电压施加到存储阵列。验证电路配置成施加验证电压以验证存储阵列中的存储单元是否处于明确状态。控制器配置成在存储阵列中的存储单元处于模糊状态时启用除存储阵列外的一个或多个连结断路器行以调整存储阵列的输出。
存储器装置中的错误校正方法

[发明专利]控制PCRAM装置的方法及执行该方法的控制器-CN202210022141.8在审
发明人： 柯文升;K·阿卡尔瓦达尔;陈佑升 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明实施例涉及控制PCRAM装置的方法及执行该方法的控制器。本发明各种实施例提供用于配置相变随机存取存储器PCRAM结构、例如在单级单元SLC模式或多级单元MLC模式中操作的PCRAM的方法。本发明各种实施例可支持PCRAM结构在SLC模式中操作以达成较低功率且在MLC模式中操作以达成较低可变性。本发明各种实施例可至少部分地基于神经网络层的容错度而支持PCRAM结构在SLC模式或MLC模式中操作。
控制 pcram 装置方法执行控制器

[发明专利]存储器电路及其操作方法-CN201510479106.9有效
发明人： 柯文升;苏资翔;吴昭谊;李祥邦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器电路及其操作方法，存储器电路包括存储单元阵列，此存储单元阵列包括多个存储单元的区块。存储器电路包括一控制器，控制器包括用以对此些区块中多个被选区块执行多个编程序列的逻辑单元。编程序列包括编程/验证周期的模式。存储器电路包括用以将不同模式的编程/验证周期指派至此些区块中不同区块的逻辑单元。存储器电路包括用以改变被指派至此些区块中一特定区块的一特定模式的逻辑单元。存储器电路包括用以维持此些区块中的区块的统计数据的逻辑单元，其中统计数据是关于此些区块中的存储单元响应于被指派至此些区块的编程/验证周期的模式的效能。控制器包括用以施加一应力序列至此些被选区块之一的逻辑单元，应力序列包括应力脉冲，应力脉冲被施加至此被选区块中的存储单元。
存储器电路及其操作方法