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[发明专利]半导体器件中的接触件结构-CN202210116580.5在审
发明人： 林秉顺;程仲良;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请公开了半导体器件中的接触件结构。公开了一种具有无衬里接触件结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在第一鳍结构和第二鳍结构上形成的第一源极/漏极(S/D)区域和第二S/D区域之间形成第一电介质层；在第一鳍结构和第二鳍结构上形成的第一栅极全环绕(GAA)结构和第二GAA结构以及在第一电介质层上形成第二电介质层；在第二电介质层中并且在第一GAA结构和第二GAA结构以及第一电介质层上形成渐缩沟槽开口；在暴露的第一GAA结构和第二GAA结构以及第一电介质层的顶表面上选择性地形成种子层；以及在种子层上选择性地沉积导电层。
半导体器件中的接触结构

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202011295337.1在审
发明人：程仲良;林秉顺;方子韦;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明描述了半导体器件，包括衬底和位于衬底上的第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构，并且第一栅极结构包括栅极介电层和位于栅极介电层上的第一功函层。第一栅极结构还包括位于第一功函层上的覆盖层。半导体器件还包括位于衬底上的第二晶体管，其中第二晶体管包括第二栅极结构。第二栅极结构包括栅极介电层和位于栅极介电层上的第二功函层。第二栅极结构还包括位于第二功函层上的第一功函层和位于第一功函层上的硅覆盖层。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201811083074.0在审
发明人：林政明;林秉顺;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种制造半导体元件的方法，包含形成一栅极介电层于一半导体基材上；形成一含第一金属元素层于栅极介电层上；以及热浸润含第一金属元素层于一第一气体中，使得第一气体的一成份扩散入含第一金属元素层。
金属元素半导体元件栅极介电层半导体基材浸润制造扩散

[发明专利]半导体元件-CN201811185826.4在审
发明人： 林秉顺;方子韦;林政明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体元件包含具有通道区域的半导体基板。栅极介电层位于半导体基板的通道区域上方。功函数金属层位于栅极介电层上方。功函数金属层具有底部、顶部和功函数材料。底部位于栅极介电层和顶部之间。底部具有第一浓度的功函数材料，顶部具有第二浓度的功函数材料，并且第一浓度高于第二浓度。栅极电极位于功函数金属层的顶部。
功函数金属层栅极介电层功函数半导体基板半导体元件通道区域栅极电极

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201711046379.X在审
发明人： 林秉顺;洪正隆;黄懋霖;张文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法包括形成伪栅极堆叠件，形成介电层，其中伪栅极堆叠件位于介电层中，去除伪栅极堆叠件以在介电层中形成开口，形成延伸到开口中的金属层，并且回蚀刻金属层。金属层的位于开口中的剩余部分的边缘低于介电层的顶面。在开口中选择性地沉积导电层。导电层位于金属层上方，并且金属层和导电层组合形成替换栅极。本发明的实施例还涉及晶体管及其形成方法。
金属层介电层堆叠件伪栅极开口晶体管沉积导电层导电层组合导电层回蚀刻顶面去除替换延伸

[发明专利]制造栅极结构的方法-CN201510727384.1在审
发明人： 林秉顺;李达元;许光源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了制造栅极结构的方法，方法包括：在介电层中形成沟槽；在沟槽中形成栅极介电层，其中，栅极介电层限定介电层中的开口；以及在开口中形成栅电极，其中，形成栅电极包括：以具有第一电阻的第一金属材料填充开口的底部的宽度，其中，第一金属材料具有凹槽；和以具有第二电阻的同质的第二金属材料填充开口的顶部的整个宽度，第二电阻小于第一电阻，其中，同质的第二金属材料具有延伸至凹槽的突出部，并且同质的第二金属材料的最大宽度等于第一金属材料的最大宽度，其中，栅极介电层的顶面与同质的第二金属材料的顶面共面。
制造栅极结构方法

[发明专利]场效应晶体管的金属栅电极-CN201210026682.4有效
发明人：侯承浩;林秉顺;李达元;于雄飞;周群渊;徐帆毅;陈建豪;许光源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：公开了一种集成电路制造，更具体而言，公开了具有低电阻金属栅电极的场效应晶体管。用于场效应晶体管的金属栅电极的示例性结构包括由第一金属材料形成的下部，其中所述下部具有凹部、底部和侧壁部，其中每个侧壁部具有第一宽度；以及由第二金属材料形成的上部，其中所述上部具有突出部和本体部，其中所述本体部具有第二宽度，其中所述突出部延伸至凹部内，其中第二宽度与第一宽度的比值为约5至10。本发明还提供了一种场效应晶体管的金属栅电极。
场效应晶体管金属电极

[发明专利]半导体装置与半导体元件的制法-CN201010569552.6有效
发明人： 林秉顺;林家彬;许光源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置与半导体元件的制法，制法包括：形成第一与第二凸起；形成第一结构占据第一凸起，且包括一非金属导电层，以及第一开口位于导电层之上；形成第二结构占据第二凸起，且包括：第二开口；以及顺应性沉积纯金属于第一开口与第二开口中。半导体装置包括：第一元件包括第一凸起与第一栅极结构，第一凸起从基板向上延伸，且第一栅极结构占据第一凸起，且包括一开口，且一顺应性纯金属设置于开口中；以及一第二元件包括第二凸起与第二栅极结构，第二凸起从基板向上延伸，且第二栅极结构占据第二凸起，且包括一硅化物，此硅化物包括金属，此金属与沉积于开口中的金属相同。本发明可提高元件性能。
半导体装置元件制法

[发明专利]用于场效应晶体管的栅极电极以及场效应晶体管-CN201010185547.5无效
发明人： 林秉顺;李达元;许光源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于场效应晶体管的栅极电极以及场效应晶体管，且特别涉及一种具有低电阻值金属栅极电极的场效应晶体管。在一实施例中，一种用于场效应晶体管的栅极电极，包括：由第一金属材料形成的下方部，具有凹口及第一电阻值；以及由第二金属材料形成的上方部，具有突出部以及第二电阻值，其中该突出部延伸进入该凹口内，且该第二电阻值低于该第一电阻值。本发明提供的金属栅极电极具有较低的栅极电阻值，如此可降低电路的阻容延迟以及提升装置的表现。
用于场效应晶体管栅极电极以及

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010003775.6有效
发明人： 林秉顺;詹孟轩;许光源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该方法包含提供一具有一栅极沟槽的半导体基底，及以物理气相沉积工艺沉积金属层于该沟槽上，以部分填满此沟槽。此金属层包含一底部部分及一侧壁部分，其中侧壁部分较底部部分薄。此方法也包含形成一涂布层于此金属层上，回蚀刻此涂布层，以保护沟槽中部分的金属层，并移除金属层未受保护的部分。本发明也提供一半导体装置，包含一栅极，其含有一具有一顶部表面的沟槽，及一形成于此沟槽上的金属层，其中此金属层包含一侧壁部分及一底部部分，且侧壁部分较底部部分薄。本发明能够使用物理气相沉积形成栅极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有金属栅极堆叠的半导体装置及其制造方法-CN200910178783.1无效
发明人：益冈有里;杨士洪;林秉顺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种制造具有金属栅极堆叠的半导体装置及其制造方法，其中该方法包括：于一半导体基底上形成一高介电常数介电材料层；于该高介电常数介电材料层上形成一金属栅极层；于该金属栅极层上形成一顶栅极层；图案化该顶栅极层、该金属栅极层及该高介电常数介电材料层以形成一栅极堆叠；进行一蚀刻工艺以选择性地凹蚀该金属栅极层；以及于该栅极堆叠的侧壁上形成一栅极间隙壁。
具有金属栅极堆叠半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200910178039.1有效
发明人： 林秉顺;侯永田;陈建豪;陈启群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含：提供一具有一第一区域及一第二区域的基材，各自形成一第一栅极堆叠于该第一区域及一第二栅极堆叠该第二区域，该第一栅极堆叠含一第一虚置栅极及该第二栅极堆叠含一第二虚置栅极，移除该第一栅极堆叠中的第一虚置栅极形成一第一沟槽及移除该第二栅极堆叠中的第二虚置栅极形成一第二沟槽，形成一第一金属层于该第一及第二沟槽中，移除在第一沟槽中至少一部分的第一金属层，形成一第二金属层于该第一及第二沟槽的剩余部分，回焊该第二金属层，及进行一化学机械研磨。本发明提供了一种简单又具有经济效益的方法来在后栅极工艺形成对于NMOS及PMOS装置具有适当功函数的金属栅极，能减少成本及简化工艺。
半导体装置制造方法

[发明专利]高介电常数介电层的形成方法、半导体装置及其制造方法-CN200610164028.4有效
发明人：张世勋;颜丰裕;林秉顺;金鹰;陶宏远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种高介电常数介电层的形成方法、半导体装置及其制造方法。所述高介电常数介电层的形成方法，包括：于衬底上形成一第一介电层；于第一介电层上形成一金属材料层；于金属材料层上形成一第二介电层；以及于一氧化环境中对衬底实施一退火处理，并持续退火处理直到第一介电层、金属材料层及第二介电层结合形成均质的该高介电常数介电层。通过本发明可以提高金属氧化物半导体场效应晶体管的性能。
介电常数介电层形成方法半导体装置及其制造

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