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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种离合装置及感应桶-CN202222917817.8有效
发明人：廖劲生;林柏尧 -专利权人：江门市锦隆高科实业有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B65F1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离合装置及感应桶，其中离合装置包括传动组件和复位组件，传动组件包括有第一连接件和第二连接件，第一连接件与第二连接件连接，第一连接件靠近第二连接件的一侧设置有凸块，第二连接件靠近第一连接件的一侧开设有凹槽，第二连接件能够沿轴向移动，以使凸块能够卡入或滑出凹槽；复位组件包括有弹性件，弹性件用于驱动第二连接件向靠近第一连接件的方向运动。通过凸块卡入或滑出凹槽，能够避免第一连接件和第二连接件过载转动，防止离合装置过载失效，延长使用寿命。
一种离合装置感应

[发明专利]具有倾斜侧壁的支撑环的封装结构-CN202210071795.X在审
发明人：杨哲嘉;叶书伸;廖莉菱;汪金华;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：封装衬底、第一管芯以及支撑环。第一管芯配置在封装衬底上且具有相对的第一侧壁与第二侧壁。支撑环配置在封装衬底上以环绕第一管芯。支撑环具有面向第一管芯的内侧壁，且该内侧壁至少具有面向第一管芯的第一侧壁的倾斜侧壁。
具有倾斜侧壁支撑封装结构

[发明专利]芯片封装结构与其形成方法-CN202210921324.3在审
发明人：汪金华;赖柏辰;陈秉泰;杨哲嘉;林昱圣;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供芯片封装结构与其形成方法。方法包括移除基板的第一部分以形成第一凹陷于基板中。方法包括形成缓冲结构于第一凹陷中。缓冲结构的第一杨氏系数小于基板的第二杨氏系数。方法包括形成第一线路结构于缓冲结构与基板上。第一线路结构包括第一介电结构与第一线路层位于第一介电结构中。方法包括接合芯片封装至第一线路结构。芯片封装具有中介基板与芯片结构位于中介基板上，且中介基板的第一角落与芯片结构的第二角落在芯片封装与缓冲结构的上视图中均与缓冲结构重叠。
芯片封装结构与其形成方法

[发明专利]芯片封装结构与其形成方法-CN202210713100.3在审
发明人：赖柏辰;汪金华;游明志;许佳桂;廖莉菱;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供芯片封装结构及其形成方法。方法包括形成介电层于重布线结构上。重布线结构包括介电结构与多个布线层位于介电结构之中或之上。方法包括形成第一导电凸块结构与屏蔽凸块结构于介电层上。第一导电凸块结构电性连接至布线层，且屏蔽凸块结构与布线层电性绝缘。方法包括经由第一导电凸块结构接合第一芯片结构至重布线结构。第一芯片结构与屏蔽凸块结构电性绝缘，且第一芯片结构延伸越过屏蔽凸块结构的第一侧壁。
芯片封装结构与其形成方法

[发明专利]芯片封装结构及其形成方法-CN202210670067.0在审
发明人：汪金华;许佳桂;叶书伸;赖柏辰;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供一种芯片封装结构。芯片封装结构包括导线基板。芯片封装结构包括位于导线基板上的中介基板。中介基板包括重分布结构、介电层、导电导孔，以及多个第一虚设导孔，介电层位于重分布结构上，导电导孔及这些第一虚设导孔穿过介电层，第一虚设导孔环绕导电导孔，这些第一虚设导孔与导线基板电性绝缘。芯片封装结构包括中介基板上的芯片结构。芯片结构与导电导孔电性连接，并且芯片结构与这些第一虚设导孔电性绝缘。
芯片封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体晶粒封装及其形成方法-CN202210962234.9在审
发明人：林昱圣;叶书伸;汪金华;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：提供一种半导体晶粒封装及其形成方法。半导体晶粒封装包括一封装基板、在封装基板上方的一中介层基板、在中介层基板上方的两个半导体晶粒、以及在中介层基板上方并围绕半导体晶粒的一底部填充元件。一环结构设置在封装基板上方并围绕半导体晶粒。多个凹陷部分从环结构的底表面凹陷。凹陷部分包括布置在环结构的每个角落区域中的多个第一凹陷部分、以及布置在环结构的相对侧边区域中并与底部填充元件位在两个半导体晶粒之间的一部分对齐的两个第二凹陷部分。一粘着层介于环结构的底表面与封装基板之间。
半导体晶粒封装及其形成方法

[发明专利]扇出封装-CN202211007837.X在审
发明人：游明志;叶书伸;汪金华;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种扇出封装，包括一重分布结构、多个半导体裸片以及一底部填充材料部分。半导体裸片包括通过焊料材料部分的各自一组而附接至重分布侧结合结构的各自一子集的裸片侧结合结构的各自一组。底部填充材料部分横向地环绕半导体裸片的重分布侧结合结构及半导体裸片的裸片侧结合结构。重分布侧结合结构的一子集不结合至半导体裸片的任何裸片侧结合结构，且被底部填充材料部分横向地环绕，且用以在底部填充材料部分的形成期间提供底部填充材料的均匀分布。
封装

[发明专利]多芯片元件以及形成方法-CN202210562587.X在审
发明人：汪金华;赖柏辰;叶书伸;李宗彦;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明实施例涉及多芯片元件以及形成方法。一种多芯片元件包含在衬底内的第一材料。所述第一材料具有第一热膨胀系数，所述第一热膨胀系数与所述衬底的第二热膨胀系数不同。第一芯片位于所述第一材料的第一部分以及所述衬底的第一部分之上。第二芯片位于所述第一材料的第二部分以及所述衬底的第二部分之上。所述第一材料位于所述衬底的所述第一部分与所述衬底的所述第二部分之间。
芯片元件以及形成方法

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202210921593.X在审
发明人：叶书伸;赖柏辰;杨哲嘉;廖莉菱;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：提供了一种封装结构及其形成方法。方法包括在一基板之上设置一芯片结构。芯片结构具有一倾斜侧壁，倾斜侧壁与一垂直方向成一锐角，垂直方向为垂直于芯片结构主表面的方向，且锐角介于约12度至约45度之间。方法更包括形成一保护层以围绕芯片结构。
封装结构及其形成方法

[发明专利]封装结构与其形成方法-CN202210937096.9在审
发明人：林昱圣;郑心圃;林柏尧;汪金华;叶书伸;杨哲嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：提供封装结构与其形成方法。方法包括形成凹陷于电路基板中，且凹陷具有第一侧壁与第二侧壁。第二侧壁在第一侧壁与电路基板的最底部表面之间，且第二侧壁比第一侧壁陡峭。方法亦包括形成晶粒封装，且晶粒封装具有半导体晶粒。方法更包括经由多个接合结构接合晶粒封装至电路基板，使半导体晶粒的一部分进入电路基板的凹陷。此外，方法包括形成底填材料以围绕接合结构并填入凹陷。
封装结构与其形成方法

[发明专利]封装结构及其制造方法-CN202210943437.3在审
发明人：汪金华;叶书伸;赖柏辰;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提出一种封装结构及其制造方法。封装结构包括第一封装元件和第二封装元件，第二封装元件包括基底，且电子元件设置于基底上。第一封装元件安装于基底上。封装结构还包括环状结构，设置于第二封装元件上且在第一封装元件周围。环状结构具有第一接脚和第二接脚，第一接脚和第二接脚朝向基底延伸，电子元件被环状结构覆盖且位于第一接脚和第二接脚之间，且第一封装元件显露于环状结构。
封装结构及其制造方法

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202210943458.5在审
发明人：林昱圣;陈见宏;赖柏辰;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本公开提出一种封装结构及其形成方法。封装结构包括电路基板和通过接合结构接合到电路基板的芯片封装。封装结构还包括贴附到电路基板的翘曲控制构件。翘曲控制构件具有延伸到电路基板中的凸出部分。翘曲控制构件的高度大于芯片封装的高度。
封装结构及其形成方法

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202210943769.1在审
发明人：赖柏辰;游明志;林柏尧;林昱圣;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括电路基板和通过接合结构而接合到电路基板的芯片封装。封装结构还包括电路基板上方的加强结构。加强结构部分地围绕芯片封装的转角。封装结构还包括围绕接合结构的底部填充结构。底部填充结构与加强结构直接接触。
封装结构及其形成方法

[发明专利]芯片封装体结构及其形成方法-CN202210960826.7在审
发明人：赖柏辰;游明志;林柏尧;汪金华;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种芯片封装体结构及其形成方法。芯片封装体结构包括一中介基底，其包括由一间隙区所隔开的第一及第二晶粒区。芯片封装体结构也包括分别排置于第一及第二晶粒区上的第一及第二半导体晶粒。另外，芯片封装体结构包括第一及第二间隙填充层形成于间隙区上并彼此分开，以及一第三间隙填充层位于间隙区上及第一与第二间隙填充层之间。第三间隙填充层的杨氏模数小于第一间隙填充层的杨氏模数及第二间隙填充层的杨氏模数。
芯片封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置封装体及其形成方法-CN202210948348.8在审
发明人：叶书伸;汪金华;赖柏辰;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种半导体装置封装体及其形成方法。半导体装置封装体包括一基底、一半导体装置、一环型结构、一罩盖结构以及一粘着部件。半导体装置设置于基底上。环型结构设置于基底上，并环绕半导体装置。罩盖结构设置于环型结构上，并延伸跨越半导体装置。粘着部件设置于环型结构与半导体装置之间的间隙内，并黏合罩盖结构及基底上。
半导体装置封装及其形成方法

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