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[发明专利]一种基于WebHook服务的智能设备状态信息持久化方法及平台-CN202111023000.X在审
发明人：陈国伟;郭传刚;林松斌;唐锋;庄必宇 -专利权人：珠海太川云社区技术股份有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G06F16/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于WebHook服务的智能设备状态信息持久化方法及智能家居业务管理平台，涉及智能家居技术领域。方法包括：当emqx消息服务器接收到属性状态值的变化指令时，emqx消息服务器向WebHook服务模块发布属性状态值的变化值；WebHook服务模块基于变化值更新属性值到内存队列；WebHook服务模块更新设备的属性值到Redis数据库，Redis数据库向WebHook服务模块返回更新结果；当消息的生产速度大于WebHook服务模块向Redis数据库更新的速度时，开启至少一个property消费服务进程，每个property消费服务进程向WebHook服务模块中取出属性值，并更新到Redis数据库。采用本发明，可以直接从平台的redis服务直接获取设备状态数据返回给移动端，从而减少移动端的数据查询等待时间，提高查询效率。
一种基于 webhook 服务智能设备状态信息持久方法平台

[发明专利]一种基于节水技术的深层次布料预处理装置-CN202110563825.4在审
发明人： 林松斌 -专利权人： 林松斌
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： D06G1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种节水技术领域，尤其涉及一种基于节水技术的深层次布料预处理装置。本发明的技术问题是：提供一种基于节水技术的深层次布料预处理装置。本发明的技术实施方案为：一种基于节水技术的深层次布料预处理装置，包括有弹力去质单元、静电除杂单元和收卷单元；弹力去质单元与静电除杂单元相连接；静电除杂单元与收卷单元相连接。本发明通过对布料的初次弹制使得布料表面的杂物暴露出来，并对其进行收集，接着又通过对布料的抖动及静电的作用，对布料进行更深层次的除杂操作，能有效提高布料的洁净度。
一种基于节水技术深层次布料预处理装置

[发明专利]一种用于节水技术的采用S形扰动方式的布料蒸化装置-CN202110563824.X在审
发明人： 林松斌 -专利权人： 林松斌
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B41F23/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种节水技术领域，尤其涉及一种用于节水技术的采用S形扰动方式的布料蒸化装置。技术问题：提供一种用于节水技术的采用S形扰动方式的布料蒸化装置。技术方案如下：一种用于节水技术的采用S形扰动方式的布料蒸化装置，包括有放料单元、转轮式烘干单元、往复式弯折固化单元和除液单元；放料单元与转轮式烘干单元相连接；转轮式烘干单元与往复式弯折固化单元相连接。本发明通过对布料的S型扰动的方式使得布料能在有限的空间内同时完成对更大面积的布料的蒸化过程，其次还能对印花布料上的印花进行保护，避免印花在蒸化扰动的过程中对印花造成损毁，能有效提高企业生产效率。
一种用于节水技术采用扰动方式布料化装

[外观设计]多功能教学话筒-CN202030482063.1有效
发明人： 林松斌;梁颂强;林珀锋;赖明明 -专利权人：赖明明;梁颂强
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：多功能教学话筒。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于多功能教学话筒，其中话筒用于扩音的设备，激光笔用于PPT翻页、演讲、教学指示。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的整体外形结构。4.最能表明设计要点的图片或照片：组件1立体图。5.组件1为话筒，组件2为激光笔，组件3为充电底座。
多功能教学话筒

[发明专利]具SONOS存储单元的非挥发性存储器的制造方法-CN201510235948.X在审
发明人： 林松斌;张文忠 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开一种具SONOS存储单元的非挥发性存储器的制造方法，包括提供一基板；在基板上形成第一栅极氧化层及第一栅极导电层；在完成第一栅极导电层的图型化及蚀刻步骤而形成MOS晶体管栅极后，在基板上形成ONO结构；以及于ONO结构上形成第二栅极导电层，并经图型化及蚀刻步骤而制成NVM晶体管栅极。
sonos 存储单元挥发性存储器制造方法

[发明专利]非易失性存储器-CN200910005054.6有效
发明人： 林松斌;张原祥;叶宇寰;林哲列 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种非易失性存储器，包括基底、两个第一导体层、第二导体层、第一介电层、第二介电层及两个重掺杂区。基底中具有至少二隔离结构以及这些隔离结构之间的有源区。两个第一导体层分别配置于这些隔离结构上。第二导体层配置于基底上，且覆盖部分的有源区以及部分的各第一导体层。第一介电层配置于各第一导体层与第二导体层之间。第二介电层配置于有源区上的第二导体层与基底之间。两个重掺杂区分别配置于有源区上的第二导体层的两侧的基底中。
非易失性存储器

[发明专利]单层多晶硅电可擦可编程只读存储器-CN200510059536.1有效
发明人：彭迺真;黄水钦;李自强;王泉富;林松斌 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明包含有一第一PMOS晶体管及一第二PMOS晶体管形成于一P型基底的一N^－型阱上，其中第一PMOS晶体管包含一浮置栅、一第一P⁺漏极掺杂区及一第一P⁺源极掺杂区，第二PMOS晶体管包含有一栅极以及一第二P⁺源极掺杂区，而第一P⁺源极掺杂区同时用来作为第二PMOS晶体管的一漏极。本发明还包含一二极管位于P型基底中，其包含一P^－型阱与一N⁺型掺杂区，且浮置栅系覆盖于N^－型阱上并延伸至N⁺型掺杂区上方，浮置栅所覆盖的P^－型阱与N⁺型掺杂区的连接区域作为一雪崩注入点。
单层多晶硅电可擦可编程只读存储器