“林哲帅”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果32个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种Zn4-CN202011245026.4有效
发明人：张国春;宋慧敏;姜兴兴;林哲帅 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开一种Zn4B6O13单晶的生长方法，该Zn4B6O13单晶的生长在助熔剂存在的条件下进行。该方法不仅可以很好的降低该晶体生长体系的粘度，还可以降低晶体生长温度，从而解决晶体生长中籽晶熔断问题，显著提高晶体生长效率。
一种 zn base sub

[发明专利]一种单相近零热膨胀材料及其制备方法和应用-CN202211003582.X有效
发明人： 林哲帅;柳友权;姜兴兴 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种单相近零热膨胀材料及其制备方法和应用，属于无机非金属材料技术领域，本发明的单相近零热膨胀材料的化学式为Cd4‑yMyAl6O12XO4，属于纯铝方钠石笼结构，其中，M为Fe，Zn，Mg，Hg，Cu，Ni，Co，Pb，Mn，Ca，Sr，和Ba中的任意一种,X为S或Mo，y的取值范围为0‑2。本发明的单相近零热膨胀材料同时具备宽近零膨胀温区、化学/热力学稳定和可紫外透过性，在10K‑1400K可以稳定存在，没有相变或分解发生，其中，Cd4Al6O12SO4在10‑868K的温度区间内，使用X射线衍射技术测得的本征线性热膨胀系数为0.09×10‑6/K，具有非常高的应用前景。
一种相近热膨胀材料及其制备方法应用

[发明专利]一种二阶非线性光学晶体及其制备方法和应用-CN202110256178.2在审
发明人： 林哲帅;刘晓萌;公丕富;康雷 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种二阶非线性光学晶体，其化学式为LiZn(OH)CO3。该晶体为非中心对称结构，属于正交晶系，可采用水热法制备得到。该晶体具有优良的非线性光学性能，带隙大于6.5eV，倍频响应大概为KH2PO4(KDP)的3.2倍，最短相位匹配波段在190nm以下，可应用在深紫外区；且在空气中不易潮解，在制备激光谐波发生器、光参量放大器及光波导器件方面具有良好的应用潜力，能够实现波长小于200nm的深紫外激光的输出。
一种非线性光学晶体及其制备方法应用

[发明专利]用于实现干涉和/或衍射的光学器件-CN202110203991.3在审
发明人： 林哲帅;王耐征;姜兴兴 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G02B1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于实现干涉和/或衍射的光学器件，包括：硼酸盐体系的光学晶体，光信号在入射至光学器件后，沿所述光学晶体的目标方向进行传输；所述目标方向为所述光学晶体的线性热膨胀系数与折射率温度系数之和为0的方向。该光学器件在温度的变化下能保持目标方向上的光程不变，使得该光学器件在不同的温度下依然能保持足够高的精度。
用于实现干涉衍射光学器件

[发明专利]银系晶体在制备非线性光学器件中的应用-CN202110053786.3在审
发明人： 林哲帅;公丕富;康雷 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种银系晶体在制备非线性光学器件中的应用，所述银系晶体的化学式为Ag2MI4，其中，M选自II B族元素。该银系晶体用于制备非线性光学器件中既具有较大的光学带隙，同时又呈现足够的非线性光学效应。
晶体制备非线性光学器件中的应用

[发明专利]基于硼酸锌单晶的声表面波器件及该硼酸锌单晶的用途-CN202110676300.1有效
发明人： 林哲帅;姜兴兴 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H03H3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种声表面波器件，包括压电衬底、制作在压电衬底表面的金属电极，所述的压电衬底为硼酸锌单晶基片。该声表面波器件相比较以石英晶体作为衬底的声表面波器件而言，具有更高的频率，更高的应用温度范围，以及更高的稳定性，可以解决当下常规压电晶体无法满足高温等复杂环境下的高频声表面波器件需求的问题。本发明还公开了一种硼酸锌单晶在制备声表面波器件中的用途。
基于硼酸锌单晶表面波器件用途

[发明专利]一种聚二氟磷腈的应用-CN201811147286.0有效
发明人：康雷;黄兵;张馨元;林哲帅 -专利权人：北京计算科学研究中心
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G02F1/361 文献下载
摘要：本发明提供了一种双氟磷腈晶体作为非线性光学材料在制备非线性光学器件中的应用，结果表明，本发明提供的双氟磷腈晶体作为非线性光学材料，它的倍频系数约为KBe2BO3F2(KBBF)晶体的1‑2倍。它的紫外吸收边小于150纳米。它的光学双折射率大于0.10。它的最短相位匹配倍频输出波长小于150纳米，可以实现177.3纳米和193.7纳米的深紫外相干光倍频输出，输出能量可以达到瓦级。可见，双氟磷腈(PNF2)具有良好的二阶非线性光学效应，可作为良好的深紫外非线性光学材料、深紫外光导材料和深紫外双折射材料，并能够在各种非线性光学领域中得到广泛应用，尤其是在深紫外波段的非线性光学应用。
一种聚二氟磷腈应用

[发明专利]一种用于深海压力探测的光学压力传感器及压力探测方法-CN202010378576.7在审
发明人： 林哲帅;姜兴兴 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G01L11/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种用于深海压力探测的光学压力传感器及压力探测方法，光学压力传感器包括晶体探头和传输光纤，晶体探头为零压缩晶体探头；晶体探头，用于对深海中的动态压力进行探测，并将探测的动态压力信号通过光纤传输，其中，动态压力为深海中的目标对象运动使得海水流动产生的。本发明实施例中的光学压力传感器的晶体探头采用零压缩晶体探头，在深海水下的不同深度，由于海水重力导致的静态压力，零压缩探头在静态压力下沿光传输方向的尺寸不会发生变化，通过零压缩晶体制成的光学压力传感器在对深海中的动态压力探测时，消除静态压力对动态压力探测的影响。
一种用于深海压力探测光学压力传感器方法

[发明专利]两种碱土金属羟基硼酸盐晶体的非线性光学应用-CN201910812661.7在审
发明人：康雷;林哲帅;黄兵 -专利权人：康雷
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供了两种碱土金属羟基硼酸盐晶体作为非线性光学材料在制备非线性光学器件中的应用，结果表明，本发明提供的两种碱土金属羟基硼酸盐晶体作为非线性光学材料，它们的倍频系数跟KBe2BO3F2晶体相当。它们的紫外吸收边都分别小于170纳米和180纳米。它们的光学双折射率约为0.08到0.10。它们的最短相位匹配倍频输出波长分别小于175纳米和190纳米，可以分别实现177.3纳米和193.7纳米的深紫外相干光倍频输出和266纳米的紫外相干光倍频输出。可见，本发明提供的两种碱土金属羟基硼酸盐晶体CaB8O11(OH)4和SrB8O11(OH)4具有良好的二阶非线性光学效应，可作为良好的深紫外非线性光学材料和深紫外双折射材料，并能够在各种非线性光学领域中得到广泛应用，尤其是在紫外和深紫外波段的非线性光学应用。
碱土金属羟基硼酸盐晶体非线性光学应用

[发明专利]一种水硼铍石晶体的非线性光学应用-CN201910772528.3在审
发明人：康雷;黄兵;林哲帅 -专利权人：康雷
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种水硼铍石晶体作为非线性光学材料在制备非线性光学器件中的应用，结果表明，本发明提供的水硼铍石晶体作为非线性光学材料，它的倍频系数约为KBe2BO3F2晶体的1‑2倍。它的紫外吸收边小于170纳米。它的光学双折射率约为0.08到0.10。它的最短相位匹配倍频输出波长小于175纳米，可以实现177.3纳米和193.7纳米的深紫外相干光倍频输出和266纳米的紫外相干光倍频输出。可见，水硼铍石晶体(Be2(BO3)(OH，F)·(H2O))具有良好的二阶非线性光学效应，可作为良好的深紫外非线性光学材料和深紫外双折射材料，并能够在各种非线性光学领域中得到广泛应用，尤其是在紫外和深紫外波段的非线性光学应用。
一种水硼铍石晶体非线性光学应用

[发明专利]一种基于LiB3-CN201811138682.7有效
发明人： 林哲帅;姜兴兴;吴以成 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LiB3O5晶体的深紫外二极管器件。所述基于LiB3O5晶体的深紫外二极管器件包括：衬底、N型半导体薄膜、P型半导体薄膜、第一电极以及第二电极；所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置；所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接；所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为LiB3O5；其中，所述第一电极和所述第二电极分别电连接电源的负极和正极。本发明实施例提供的技术方案，使得利用LiB3O5作为主体材料制备的二极管器件能够高效地产生或探测深紫外波段的光，实现深紫外波段应用的二极管光电器件的构建。
一种基于 lib base sub

[发明专利]一种制备大尺寸Zn4-CN201810088200.5有效
发明人：周玉兰;林哲帅;吴少凡;王帅华 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备大尺寸Zn4B6O13单晶的方法，其特征在于，以用乙酸锌、氧化锌和氧化硼为主要原料，采用熔盐生长大尺寸零膨胀材料ZBO晶体。该方法制备得到的大尺寸ZBO单晶，在热功能材料领域、精密光学功能和精密机械部件的制造等领域有着重要的应用前景。
一种制备尺寸 zn base sub

[发明专利]一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件-CN201811143398.9有效
发明人： 林哲帅;姜兴兴;吴以成 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件。所述基于KBBF族晶体的深紫外二极管器件中所述P型半导体薄膜或所述N型半导体薄膜位于所述衬底上；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜相对设置；所述第一电极与所述N型半导体薄膜电连接；所述第二电极与所述P型半导体薄膜电连接；所述N型半导体薄膜和所述P型半导体薄膜的主体材料为KBe2BO3F2、RbBe2BO3F2或CsBe2BO3F2；其中，所述第一电极和所述第二电极分别电连接电源的负极和正极。本发明实施例提供的技术方案，使得利用KBe2BO3F2、RbBe2BO3F2或CsBe2BO3F2作为主体材料制备的二极管器件能够高效地产生或探测深紫外波段的光，实现深紫外波段应用的二极管光电器件的构建。
一种基于 kbbf 晶体深紫二极管器件

[发明专利]一种磁光晶体及其制备方法和用途-CN201910217188.8在审
发明人： 林哲帅;尤丰光;涂衡;胡章贵 -专利权人：中国科学院理化技术研究所;中国科学院大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种磁光晶体及其制备方法和应用，所述磁光晶体的化学式为Li3Ln3M2O12，其中Ln为Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al或Ga中的任意一种或至少两种的组合，M为Te,W或Mo中的任意一种或至少两种的组合。所述磁光晶体可以采用助熔剂法在较低的温度下生长得到。
一种晶体及其制备方法用途

[发明专利]一种Zn3-CN201810295562.1有效
发明人：姚吉勇;林哲帅;周墨林;郭扬武;李壮;罗晓宇 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种Zn3P2S8非线性光学晶体的制备方法及其应用，所述Zn3P2S8非线性光学晶体不具备有对称中心，属四方晶系，空间群为其晶胞参数为：α＝β＝γ＝90°，Z＝2。本发明还公开了利用高温熔体自发结晶法和坩埚下降法来制备所述非线性光学晶体。本发明制备获得的Zn3P2S8非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。
一种 zn base sub

1
2
3
下一页»
尾页
共 32 条