专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]移动载具-CN201810187217.6有效
  • 梁振仪;刘政熏;林书玄 - 纬创资通股份有限公司
  • 2018-03-07 - 2020-07-17 - A61G5/00
  • 本发明公开一种移动载具,其包括第一支架、定向轮、第二支架、转向调整机构以及转向轮。定向轮枢接第一支架。第二支架枢接第一支架。转向调整机构连接第二支架。转向调整机构包括第一旋转件与耦接第一旋转件的第二旋转件。转向轮枢接第二旋转件,当第一旋转件的第一旋转轴线垂直于地面时,第一旋转件与第二旋转件彼此锁定,且第一旋转件与第二旋转件能够沿着第一旋转轴线同步旋转。当第二旋转件的第二旋转轴线垂直于地面时,第一旋转件的旋转自由度被限制,且第二旋转件能够沿着第二旋转轴线相对于第一旋转件旋转。
  • 移动
  • [发明专利]感测放大器电路-CN201610993939.1有效
  • 赖淑琳;林书玄;黄世煌 - 联发科技股份有限公司
  • 2016-11-11 - 2019-06-14 - G11C15/04
  • 本发明提供一种感测放大器电路,包含:单端感测放大器;以及隔离开关,耦接在偏置节点与存储器设备的第一线之间,接收单端感测放大器的输出并选择性隔离该偏置节点与该第一线,以回应该单端感测放大器的该输出,其中该第一线耦接到该存储器设备的多个存储器单元。本发明所提出的感测放大器电路能够大幅降低搜索操作时的电路功耗。
  • 放大器电路
  • [发明专利]存储装置与控制方法-CN201610254847.1有效
  • 林书玄;王嘉维 - 联发科技股份有限公司
  • 2013-04-26 - 2019-02-01 - G11C11/417
  • 本发明提供一种存储装置及控制方法,所述存储装置包括信号线、存储单元阵列、及第一与第二电压调整电路。存储单元阵列划分为第一与第二区域,且包括在第一区域中的多个第一存储单元及在第二区域中的多个第二存储单元。第一与第二存储单元耦接信号线,且每一存储单元具有参考节点。第一电压调整电路用来调整第一存储单元的参考节点上的电压。第二电压调整电路用来调整第二存储单元的参考节点上的电压。第一存储单元的参考节点通过第一电压调整电路耦接地,且第二存储单元的参考节点通过第二电压调整电路耦接地。本发明提供的存储装置具有高密度的存储单元以及具有较低的功率消耗。
  • 存储装置控制方法
  • [发明专利]可挠性光学传感器模块-CN201410711376.3在审
  • 张家齐;伍茂仁;林期祥;林书玄 - 伍茂仁
  • 2014-12-01 - 2015-06-17 - G01H9/00
  • 本发明公开了一种可挠性光学传感器模块,可挠性光学传感器模块包括一支撑基板与一可挠性波导。支撑基板具有一第一凹槽与一第二凹槽,其中第一凹槽具有一第一光学微反射表面与一第二光学微反射表面位于其二侧。可挠性波导配置于支撑基板的第一凹槽之上。支撑基板可以包括一第一基板具有第一凹槽与一第二基板具有第二凹槽,第一基板配置于第二基板之上。一振动薄膜形成于第一基板与第二基板之间。光源与光检测器配置于第一基板之上。本发明的可挠性光学传感器模块可具有振动感测功能的。
  • 可挠性光学传感器模块
  • [发明专利]二元内容可寻址存储器单元和三元内容可寻址存储器单元-CN201410244898.7在审
  • 林书玄 - 联发科技股份有限公司
  • 2014-06-04 - 2014-12-24 - G11C15/04
  • 本发明提供一种二元内容可寻址存储器单元和三元内容可寻址存储器单元。二元内容可寻址存储器单元包括:存储电路;第一放电电路,根据第一存储比特和第一搜索比特,第一放电电路被配置为放电或不放电匹配线,其中第一放电电路包括:第一PMOS晶体管,第一PMOS晶体管的栅极用于接收第一存储比特和第一搜索比特的其中之一;以及第二放电电路,根据第二存储比特和第二搜索比特,第二放电电路被配置为放电或不放电匹配线,其中第二放电电路包括:第二PMOS晶体管,第二PMOS晶体管的栅极用于接收第二存储比特和搜索比特的其中之一。本发明所提出的二元CAM单元和三元TCAM单元,在执行搜索操作时具有较低的功率消耗。
  • 二元内容寻址存储器单元三元
  • [发明专利]滤波器-CN201310149249.4有效
  • 林书玄;王嘉维 - 联发科技股份有限公司
  • 2013-04-26 - 2013-12-04 - G11C11/413
  • 本发明是滤波器。提供一种存储装置及控制方法,所述存储装置包括信号线、存储单元阵列、及第一与第二电压调整电路。存储单元阵列划分为第一与第二区域,且包括在第一区域中的多个第一存储单元及在第二区域中的多个第二存储单元。第一与第二存储单元耦接信号线,且每一存储单元具有参考节点。第一电压调整电路用来调整第一存储单元的参考节点上的电压。第二电压调整电路用来调整第二存储单元的参考节点上的电压。第一存储单元的参考节点通过第一电压调整电路耦接地,且第二存储单元的参考节点通过第二电压调整电路耦接地。本发明提供的存储装置具有高密度的存储单元以及具有较低的功率消耗。
  • 滤波器
  • [发明专利]不对称灵敏放大器-CN200910177850.8有效
  • 林书玄;陈彝梓 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2009-09-28 - 2010-07-07 - G11C7/06
  • 一种用来判断存储单元状态的检测电路,包括灵敏放大器。灵敏放大器包括不均衡交叉耦合锁存器、其沟道耦合到位线BL与第一输出节点之间的第一栅极FET以及其沟道耦合到BLB与第二输出节点之间的第二栅极FET。不均衡交叉耦合锁存器被包括位于第一输出节点与连接到电接地的使能FET之间的第一下拉FET,以及位于第二输出节点与使能FET之间的第二下拉FET。第二下拉FET与第二栅极FET的沟道宽度大于第一下拉FET的沟道宽度与第一栅极FET的沟道宽度,从而增强对连接到灵敏放大器的存储单元中保存的1和0的检测能力。
  • 不对称灵敏放大器
  • [发明专利]具有增强的读/写操作的SRAM器件-CN200810174226.8有效
  • 李政宏;王屏薇;吴经纬;林书玄;张峰铭;廖宏仁 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2008-10-25 - 2009-05-06 - G11C11/41
  • 本发明提出一种具有增强的读/写操作的SRAM器件,该SRAM器件包括:第一存储单元组,该第一存储单元组与第一局部位线和第一局部互补位线相连以对其中的数据节点进行存取;第二存储单元组,该第二存储单元组与第二局部位线和第二局部互补位线相连以对其中的数据节点进行存取;和全局位线和全局互补位线,该全局位线和全局互补位线与所述第一和第二局部位线相连以对所述第一和第二存储单元组中的数据节点进行存取,其中,在所述SRAM器件的同一金属化层构建所述第一局部位线,所述第一局部互补位线,所述第二局部位线,所述第二局部互补位线,所述全局位线和所述全局互补位线。
  • 具有增强操作sram器件

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