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[发明专利]甲酸盐的制造方法、甲酸的制造方法、甲酸盐制造用催化剂及钌络合物-CN202180054239.5在审
发明人： 松田广和;府冈大祐;平野诚人;E·A·皮德科;G·A·菲洛年科;C·雷布莱恩德 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C07C51/02 文献下载
摘要：本发明涉及甲酸盐的制造方法，其为在溶剂的存在下使用催化剂使氢、与二氧化碳、碳酸氢盐或碳酸盐进行反应而制造甲酸盐的方法，前述反应中，前述溶剂为以有机溶剂与水系溶剂分离的状态存在的双相体系，前述催化剂为选自说明书中的通式(1)表示的钌络合物、其互变异构体或立体异构体、或者它们的氯化合物中的至少一种。
甲酸制造方法催化剂络合物

[发明专利]甲酸盐的制造方法、甲酸的制造方法及防冻剂的制造方法-CN202180054363.1在审
发明人：平野诚人;松田广和;E·A·皮德科;G·A·菲洛年科;C·雷布莱恩德 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C07C51/00 文献下载
摘要：本发明涉及甲酸盐的制造方法，其为制造甲酸盐的方法，所述方法包括在溶剂的存在下使用催化剂使氢、与二氧化碳、碳酸氢盐或碳酸盐进行反应而在反应液中生成甲酸盐的第一工序，前述反应中，前述溶剂为以被分离成有机相和水相的状态存在的双相体系，前述反应中的碱浓度为2.5mol/L以上。
甲酸制造方法防冻剂

[发明专利]碱土金属甲酸盐的制造方法-CN202180054355.7在审
发明人：平野诚人;松田广和;E·A·皮德科;G·A·菲洛年科;C·雷布莱恩德 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C07C51/02 文献下载
摘要：本发明涉及碱土金属甲酸盐的制造方法，其包括下述第一工序：在溶剂的存在下，在前述溶剂以被分离成有机相和水相的状态存在的双相体系中，使用均相催化剂，使氢、二氧化碳、和碱土金属的碳酸盐或碳酸氢盐进行反应，从而制造碱土金属的甲酸盐。
碱土金属甲酸制造方法

[发明专利]二氧化碳捕获处理系统及CO2负排放工厂-CN202180035339.3在审
发明人：井原辉一;西山真哉;谷贤辅;松田广和;铃木聪;松田康壮;片山博之 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B01D53/62 文献下载
摘要：本发明提供二氧化碳捕获处理系统，其包含二氧化碳浓缩混合气体生成装置、二氧化碳转化装置、最终处理装置、以及二氧化碳直接捕获装置，其中，二氧化碳浓缩混合气体生成装置具有分离膜，提高所导入的混合气体中的二氧化碳浓度而生成二氧化碳浓缩混合气体；二氧化碳转化装置将从二氧化碳浓缩混合气体生成装置接取的浓缩混合气体中的二氧化碳转化成化学稳定的化合物；最终处理装置具备吸附材料，通过利用吸附材料吸附二氧化碳而将该二氧化碳与其它气体成分分离；二氧化碳直接捕获装置将周围环境中所含的空气导入，并供给至二氧化碳捕获处理系统的最终处理装置或该最终处理装置的上游侧。在二氧化碳捕获处理系统中，在工厂内生成的二氧化碳会全部在工厂内被处理，而不会被排出至工厂的外部，另外，由于将周围环境中所含的空气导入并进行与工厂中的排出气体同样的处理，因此能够使从工厂向外部的二氧化碳的排出成为负值。
二氧化碳捕获处理系统 co2 排放工厂

[发明专利]甲酸盐的制造方法及甲酸盐制造系统-CN202180020929.9在审
发明人：平野诚人;井原辉一;松田广和 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C07C51/00 文献下载
摘要：本发明涉及甲酸盐的制造方法，其包括下述工序：第一工序，使二氧化碳与氢在包含溶剂、溶解于前述溶剂中的催化剂、和金属盐或有机盐的溶液中进行反应从而生成甲酸盐；和第二工序，利用分离膜从由前述第一工序得到的反应溶液中分离前述催化剂，前述催化剂含有选自由属于元素周期表第8族、第9族、及第10族的金属元素组成的组中的至少1种金属元素。
甲酸制造方法系统

[发明专利]储氢方法、氢气的制造方法及氢气制造系统-CN202080085654.2在审
发明人： 松田广和;平野诚人 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C01B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及氢气的制造方法，其包括：将包含甲酸碱金属盐的水溶液浓缩的第一工序；通过电透析将上述甲酸碱金属盐的至少一部分质子化而生成甲酸的第二工序；和将上述甲酸分解而制造氢气的第三工序。
方法氢气制造系统

[发明专利]光学半导体元件覆盖用薄片-CN201780055044.6有效
发明人：三谷宗久;松田广和;铃木一聪 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明提供一种光学半导体元件覆盖用薄片，所述光学半导体元件覆盖用薄片是用于直接或间接地覆盖光学半导体元件的薄片，沿厚度方向依次包括含有白色粒子的白色层和含有光扩散粒子的光扩散层。
光学半导体元件覆盖薄片

[发明专利]氢气制造方法及氢气制造系统-CN202080066490.9在审
发明人：小竹慎也;松田广和;平野诚人;井原辉一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C01B3/22 文献下载
摘要：本发明涉及氢气制造方法，其包括：第一工序，在反应器中通过使用催化剂的脱氢化反应由储氢剂生成包含氢和二氧化碳的混合气体；第二工序，由生成的上述混合气体通过纯化得到氢浓度高的气体；第三工序，使用分离膜单元将上述反应器中的溶液分离为透过液和上述催化剂富集的溶液；和第四工序，将上述催化剂富集的溶液供给至上述反应器而在上述第一工序中进行再利用。
氢气制造方法系统

[发明专利]甲酸的制造方法-CN202080019413.8在审
发明人： 松田广和;小竹慎也 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C07C51/00 文献下载
摘要：本发明涉及甲酸的制造方法，其包括第一工序，所述第一工序中，在包含溶剂和溶解于所述溶剂的催化剂的溶液中，在不溶于所述溶剂的胺的存在下使二氧化碳与氢反应，并使生成的所述甲酸吸附于所述胺，所述催化剂含有选自由属于周期表第8族、第9族及第10族的金属元素组成的组中的至少1种金属元素，所述胺为被固定化于固体的胺。
甲酸制造方法

[实用新型]覆有荧光体层的光半导体元件-CN201620978690.2有效
发明人： 松田广和;常诚;吉田直子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光强度优异的覆有荧光体层的光半导体元件。以往的覆有荧光体层的光半导体元件存在不能满足所述发光强度这样的问题。本实用新型的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层，所述透明层由含有填料的透明树脂组合物形成。由于该覆有荧光体层的光半导体元件具备覆盖荧光体层的至少一部分的透明层，因此能够提高发光强度。
荧光半导体元件

[实用新型]覆有荧光体层的光半导体元件-CN201521063247.4有效
发明人： 松田广和;常诚;吉田直子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光强度优异的覆有荧光体层的光半导体元件。以往的覆有荧光体层的光半导体元件存在不能满足所述发光强度这样的问题。本实用新型的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。由于该覆有荧光体层的光半导体元件具备覆盖荧光体层的至少一部分的透明层，因此能够提高发光强度。
荧光半导体元件

[发明专利]覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法-CN201510955211.5在审
发明人： 松田广和;常诚;吉田直子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法。一种覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。
荧光半导体元件制造方法

[发明专利]密封片和其制造方法-CN201480026002.6在审
发明人： 松田广和;大薮恭也;北山善彦;鹈饲贵司 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-02-05 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：密封片的制造方法是具有在第1方向上彼此隔开间隔地配置的多个密封构件的密封片的制造方法。密封片的制造方法包括：密封层形成工序，在该密封层形成工序中，以在第1方向上连续的方式形成含有颗粒的密封层；切断工序，在密封层形成工序之后，在该切断工序中，以将密封层在第1方向上分割成多个的方式将密封层切断，从而形成多个密封构件；以及配置工序，在切断工序之后，在该配置工序中，将多个密封构件配置为在第1方向上彼此隔开间隔。
密封制造方法

[实用新型]脱模片和带脱模片的有机硅树脂片-CN201420448811.3有效
发明人：三田亮太;片山博之;松田广和;小名春华;大野尊法;西智美 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及脱模片和带脱模片的有机硅树脂片，脱模片具备：第一非透湿性基材层；以及在第一非透湿性基材层的厚度方向的一个面上层叠的、含有水的含水层。所述脱模片以有机硅树脂片的粘合面被含水层覆盖的方式进行使用。
脱模有机硅树脂

[发明专利]脱模片和带脱模片的有机硅树脂片-CN201410390586.7无效
发明人：三田亮太;片山博之;松田广和;小名春华;大野尊法;西智美 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明涉及脱模片和带脱模片的有机硅树脂片，脱模片具备：第一非透湿性基材层；以及在第一非透湿性基材层的厚度方向的一个面上层叠的、含有水的含水层。所述脱模片以有机硅树脂片的粘合面被含水层覆盖的方式进行使用。
脱模有机硅树脂

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