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- [发明专利]驱动电路-CN200510097814.2有效
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前田荣作;安藤仁;金田甚作;前岛明广;松永弘树
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松下电器产业株式会社
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2005-08-30
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2006-03-08
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G09G3/28
- 本发明提供一种即使自低压电源供给的电源电压VDD比推荐工作电源电压低,也能够防止CMOS输出部的穿通电流发生的驱动电路。该驱动电路包括:电平移位部(13)和CMOS输出部(14),其中电平移位部(13)具有源极与高压电源连接、漏极与IN4连接、栅极与IN5连接的P型MOS晶体管(2),源极与高压电源连接、漏极与IN5连接、栅极与IN4连接的P型MOS晶体管(3),源极接地、漏极与IN4连接、栅极接收低压信号的N型MOS晶体管(5),以及源极接地、漏极与IN5连接的N型MOS晶体管(6);CMOS输出部(14)具有P型MOS晶体管(1)及N型MOS晶体管(4);P型MOS晶体管(2)的驱动电流比N型MOS晶体管(5)的驱动电流大。
- 驱动电路
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