专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]气体制造装置和气体制造方法-CN201980050273.8有效
  • 田中康行;兒玉芳一;松永大辅 - 株式会社德山
  • 2019-07-18 - 2023-07-28 - C25B15/08
  • 一种气体制造装置,该气体制造装置具备电解槽、第1电解液循环系统、第2电解液循环系统和电解液交换装置,第1电解液循环系统包含:第1循环箱,其接受容纳并贮存从阳极室流出的第1电解液;以及第1循环泵,其将第1电解液向阳极室供给,第2电解液循环系统包含:第2循环箱,其接受容纳并贮存从阴极室流出的第2电解液;以及第2循环泵,其将第2电解液向阴极室供给,电解液交换装置将存在于第1电解液循环系统的第1电解液的一部分移送至第2电解液循环系统,且将存在于第2电解液循环系统的第2电解液的一部分移送至第1电解液循环系统。
  • 气体制造装置方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02145800.6有效
  • 杉山剛一;鹰尾義弘;菅谷慎二;松永大辅;和田贵幸;藤田徹;小倉辉 - 富士通株式会社
  • 2002-10-08 - 2003-04-16 - H01L29/78
  • 在此提供一种半导体器件,其中包括隔着栅绝缘膜形成在第一导电型的半导体基片上的栅极;绝缘离子注入控制膜,其由不同材料所制成并且按次序形成在栅极的两侧表面上的的第一绝缘膜和第二绝缘膜所形成,以及该第一绝缘膜和第二绝缘膜具有在栅极的半导体基片两侧之间高于该栅绝缘膜的间隔;形成在半导体基片中的栅极两侧上作为源极/漏极的一个第二导电型的第一和第二杂质扩散层;形成在半导体基片中的该第二导电型的第一和第二杂质扩散层之间并且在栅极下方的第一导电型的沟道区;以及第一导电型的第一和第二袋状区,其具有比在该沟道区下方的半导体基片中连接到第二导电型的第一和第二杂质扩散层的各个端部的沟道区更高的第一导电型的杂质浓度。
  • 半导体器件及其制造方法

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