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[发明专利]平坦片材-CN202210702305.1有效
发明人：渡边守道;佐藤圭;松岛洁;前田高宏;吉川润;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C04B35/645 文献下载
摘要：本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
平坦

[发明专利]含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法-CN202080089055.8在审
发明人： 松岛洁;渡边守道;吉川润 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2020-01-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素，该稀土元素的浓度在1×1016原子/cm3以上且1×1019原子/cm3以下的范围内。由于将稀土元素的浓度设定在该范围内，因此能够充分地降低在含有稀土的SiC层(30)上生长的SiC外延层的BPD密度。
含有稀土 sic 外延制造方法

[发明专利]取向陶瓷烧结体的制法以及平坦片材-CN201880055098.7有效
发明人：渡边守道;佐藤圭;松岛洁;前田高宏;吉川润;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C04B35/645 文献下载
摘要：本发明的取向陶瓷烧结体的制法包括如下工序：(a)制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体；和(b)用一对脱模片夹持陶瓷成型体并配置于热压烧成炉内，一边利用一对冲头隔着一对脱模片对陶瓷成型体进行加压一边进行热压烧成，从而得到取向陶瓷烧结体。脱模片在以厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜进行夹持后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，脱模片的与不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
取向陶瓷烧结制法以及平坦

[发明专利]双轴取向SiC复合基板以及半导体器件用复合基板-CN202180006615.3在审
发明人：渡边守道;松岛洁;吉川润 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：双轴取向SiC复合基板(10)具备：第一双轴取向SiC层(20)，其包含贯通螺旋位错以及基底面位错；以及第二双轴取向SiC层(30)，其与第一双轴取向SiC层(20)连续地形成，并含有1×1016atoms/cm3以上且1×1019atoms/cm3以下的稀土元素。第二双轴取向SiC层(30)的表面的缺陷密度小于第一双轴取向SiC层(20)的缺陷密度。
取向 sic 复合以及半导体器件

[发明专利]外延生长用取向氧化铝基板-CN201680050570.9有效
发明人：渡边守道;佐藤圭;松岛洁;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C04B35/111 文献下载
摘要：作为本发明的一个实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为1°以上3°以下，平均烧结粒径为20μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后使用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
外延生长取向氧化铝

[发明专利]氧化铝烧结体及光学元件用基底基板-CN201680025071.4有效
发明人： 松岛洁;渡边守道;佐藤圭;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C04B35/115 文献下载
摘要：本发明的氧化铝烧结体具有c晶面取向度为5％以上的面，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，所述氧化铝烧结体包含Mg、F，Mg/F的质量比为0.05～3500，Mg的含量为30～3500质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向370.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～0.6μm的气孔为250个以下，直径0.2～0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长450nm～1000nm处的直线透过率为60％以上。亦即，本发明的氧化铝烧结体由于即便c晶面取向度为5％以上、直线透过率也较高，所以透明性优异。
氧化铝烧结光学元件基底

[发明专利]氧化铝烧结体及光学元件用基底基板-CN201680050865.6有效
发明人： 松岛洁;渡边守道;佐藤圭;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C04B35/115 文献下载
摘要：本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为5％以上，且摇摆曲线测定中的XRC半值宽度为15.0°以下，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，用D－SIMS测定时的F含量低于0.99质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向372.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～1.0μm的气孔的数量为25个以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长300nm～1000nm处的直线透过率较高，透明性优异。
氧化铝烧结光学元件基底

[发明专利]外延生长用取向氧化铝基板-CN201680050576.6有效
发明人：渡边守道;佐藤圭;松岛洁;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C04B35/111 文献下载
摘要：作为本发明的一种实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为0.1°以上且小于1.0°，平均烧结粒径为10μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：在对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后，利用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
外延生长取向氧化铝

[发明专利]透明氧化铝烧结体的制法-CN201580048144.7有效
发明人： 松岛洁;渡边守道;佐藤圭;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C04B35/115 文献下载
摘要：本发明的透明氧化铝的制法包括以下工序：(a)将包含纵横尺寸比为3以上的板状氧化铝粉末的氧化铝原料粉末调制成该氧化铝原料粉末中的F相对于Al的质量比R1为5ppm以上，将包含所述氧化铝原料粉末的成型用原料成型，制成成型体；(b)将所述成型体于F挥发的温度进行加压烧成，由此得到透明氧化铝烧结体。
透明氧化铝烧结制法

[发明专利]氧化铝烧结体及光学元件用基底基板-CN201580047884.9有效
发明人： 松岛洁;渡边守道;佐藤圭;七泷努 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： C04B35/115 文献下载
摘要：本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为90％以上，该c晶面取向度是使用对板面照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱利用Lotgering法求出的，使用Ar+离子束和屏蔽板对在与板面垂直的方向切断而得到的截面进行研磨后利用扫描型电子显微镜以倍率5000倍进行查看时的气孔的数量为零，Mg、C以外的杂质元素的合计的质量比例为100ppm以下。该氧化铝烧结体为高取向、高密度、高纯度，因此，具有比以往高的透光性。
氧化铝烧结光学元件基底

[发明专利]碳化硅质多孔体、蜂窝结构体及电加热式催化剂载体-CN201380014127.2有效
发明人：富田崇弘;松岛洁;井上胜弘;小林义政 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： B01J35/04 文献下载
摘要：本发明提供耐热冲击性高的碳化硅质多孔体。本发明的碳化硅质多孔体含有碳化硅粒子、金属硅和氧化物相，碳化硅粒子彼此之间介由金属硅和氧化物相中的至少一种来结合。此外，氧化物相具有母相和分散相，所述分散相分散在母相中，且所述分散相的热膨胀率高于母相的热膨胀率。这里，氧化物相中的分散相的含有率的下限值优选为1质量％，氧化物相中的分散相的含有率的上限值优选为40质量％。此外，母相优选为堇青石，分散相优选为莫来石。
分散相氧化物相碳化硅质多孔体优选碳化硅粒子热膨胀率金属硅电加热式催化剂蜂窝结构体耐热冲击性莫来石堇青石

[发明专利]碳化硅质多孔体、蜂窝结构体及电加热式催化剂载体-CN201280012338.8有效
发明人：冨田崇弘;松岛洁;井上胜弘;小林义政 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明的碳化硅质多孔体含有碳化硅粒子、金属硅、氧化物相，碳化硅粒子介由金属硅及氧化物相中的至少一方互相结合。此外，氧化物相的主成分为堇青石，开口孔隙率为10～40%。优选碳化硅为50～80重量%，金属硅为15～40重量%，堇青石为1～25重量%。此外，优选体积电阻率为1～80Ωcm，热导率为30～70W/m·K。
碳化硅多孔蜂窝结构加热催化剂载体

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