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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]附带芯片的基板的制造方法及基板处理装置-CN202280010534.5在审
发明人： 松原义久;堤义弘;山下阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种附带芯片的基板的制造方法，包括以下的(A)～(B)。(A)准备叠层基板，该叠层基板包括多个芯片、暂时地接合有多个所述芯片的第一基板、以及经由多个所述芯片接合到所述第一基板的第二基板。(B)为了将接合到所述第一基板和所述第二基板的多个所述芯片接合到第三基板的包含器件层的一个面，将多个所述芯片从所述第一基板分离。与所述芯片分离的所述第一基板包括用于所述芯片与所述第一基板接合时的位置对准、或接合后的位置偏移的测定的对准标记。
附带芯片制造方法处理装置

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202110942163.1在审
发明人：香川兴司;关口贤治;米泽周平;铃木大介;竹泽由裕;松原义久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供使硅膜适当地结晶并使结晶成长的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法是一种通过热处理使硅膜结晶并使结晶成长的基片处理方法，其包括：在进行热处理前，保持形成有硅膜的基片的保持工序；和附着工序，其通过对在保持工序中保持的基片供给含金属的溶液，使金属以1.0×1010[原子/cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内的附着量附着在硅膜的表面。
处理方法装置

[实用新型]接合系统-CN202022822580.6有效
发明人： 松原义久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种接合系统，抑制形成于基板的表面的布线发生不良情况。基板输送装置输送第一基板和第二基板。改性处理装置对第一基板的表面和第二基板的表面中的一方或双方进行改性。湿处理装置对第一基板的表面和第二基板的表面中的一方或双方进行湿处理。接合装置将第一基板的表面与第二基板的表面接合。并且，基板输送装置、湿处理装置以及接合装置中的至少一个具有设有减少光的入射的遮光构件的窗。
接合系统

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710822938.5在审
发明人： 松原义久;岛田康弘;京极好孝 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在确保半导体衬底中的布线板的强度的同时，提高了热导率。一种BGA包括具有上表面和下表面的布线板，安装在布线板的上表面上的半导体芯片，以及作为设置在布线板的下表面上的多个外部端子的球电极。布线板包括布置在布线层之间的绝缘层。绝缘层包括树脂层、另一层树脂层，和布置在树脂层和另一层树脂层之间的导电层。导电层由石墨片和金属层的叠层形成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN201710288383.0在审
发明人： 松原义久 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。目的在于提高半导体器件的性能。具有半导体芯片(CH)和散热部(散热器)的半导体器件按以下方式构成。散热部(散热器)具有树脂带(R1)和从该树脂带突出的由石墨片形成的散热片(GF)，散热片具有石墨烯，散热片以石墨烯在与半导体芯片的表面交叉的方向上配置的方式配置于所述半导体芯片上。该散热部为将石墨片与树脂带层叠并卷绕而得到的卷绕体。作为上述散热片的构成材料，通过使用石墨烯，导热性提高且散热性提高。此外，由于使散热片从树脂带飞出，因此散热片的露出面积提高，能够提高散热性。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201611035882.0在审
发明人： 松原义久 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。半导体器件的性能得到改善。将石墨烯颗粒混合添加到覆盖半导体芯片的密封树脂中。石墨烯颗粒因此混合添加到密封树脂中，由此改善了密封树脂的热传导，因此可以改善半导体器件的辐射性能。石墨烯是具有单层厚度的sp2键合碳原子的板。石墨烯具有这样的结构，其中，平面扩展六角形栅格，每个六角形栅格由碳原子和碳原子的键形成。石墨烯因为其热导率高和重量轻而优选用作传热填料。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610058599.3在审
发明人： 松原义久;石上隆司 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件及其制造方法。实现半导体器件的性能的改善。半导体器件包括形成在衬底的上表面中的MISFET、叠置在衬底的上表面上方的多个布线层以及多个插塞，每一个插塞将布线层中的两个布线层彼此耦合。位于最上布线层下发的布线层包括导线。最上布线层包括焊盘、形成在焊盘上方的绝缘膜以及延伸穿过绝缘膜并到达焊盘的开口。在平面图中，MISFET和导线与开口重叠。在平面图中，多个插塞中没有一个与开口重叠。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201110205379.6有效
发明人： 松原义久 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。提供一种半导体器件，包括：第一晶体管，形成在衬底上，并且包括作为其栅绝缘膜的含Hf膜；以及第二晶体管，形成在所述衬底上，并且具有与所述第一晶体管的导电类型相同的导电类型，所述第二晶体管包括氧化硅膜并且不包括含Hf膜作为其栅绝缘膜。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910140221.8无效
发明人： 松原义久 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供一种半导体器件，包括：第一晶体管，形成在衬底上，并且包括作为其栅绝缘膜的含Hf膜；以及第二晶体管，形成在所述衬底上，并且具有与所述第一晶体管的导电类型相同的导电类型，所述第二晶体管包括氧化硅膜并且不包括含Hf膜作为其栅绝缘膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造工艺-CN200810188589.7无效
发明人： 松原义久;佐甲隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造工艺。半导体器件100包括使用后栅极工艺形成的第一栅极210。第一栅极210包括：在绝缘膜中形成的第一凹入部分中的底表面上形成的栅绝缘膜；形成在第一凹入部分中的栅绝缘膜上的栅电极；以及形成在第一凹入部分中的栅电极上的保护绝缘膜140。另外，该半导体器件100包括接触134，该接触134耦合到第一栅极210两侧上的N型杂质扩散区116a，并且掩埋在直径比第一凹入部分更大的第二凹入部分中。
半导体器件及其制造工艺

[发明专利]半导体器件-CN200810145943.8有效
发明人： 松原义久;小林弘昌 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：扩大互连的工艺裕度，以最小化在扫描型曝光设备的扫描移动期间产生的振动的影响。在半导体器件中，在包括最窄的互连或互连之间最窄的间隔的互连层中，以相同的取向布置处理大量的数据的互连，即经常使用的互连，使得互连的纵向对准扫描型曝光设备的扫描方向。因而，用图形的纵向对准振动方向能够最小化由振动引起的位置偏差。
半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200810005759.3无效
发明人： 松原义久 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包含：在覆盖在衬底上的绝缘膜内形成铜互连；并且在300℃或更低对铜互连进行退火。铜互连具有最小互连宽度0.1μm或更小，以及最大互连宽度1μm或更小。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体集成电路及其制造方法以及掩模-CN200710105317.1无效
发明人： 松原义久 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-04-17 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体集成电路，其包括：提供于衬底上第一区域中的第一导体和提供于衬底上第二区域中的第二导体。该第二区域是围绕第一区域的区域。该第一导体的线宽的最小设计尺寸小于该第二导体的线宽的最小设计尺寸。
半导体集成电路及其制造方法以及

[发明专利]半导体器件、布线图案形成方法和掩模布线数据产生方法-CN200610143916.8无效
发明人： 松原义久 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一布线部分(101)和第二布线部分(102)。配置第一布线部分(101)以包括密集布置的多个精细布线(103、104)。配置第二布线部分(102)以包括布线(102)，其连接至相同布线层中的多个精细布线(103、104)中的一个(103)，且其外部尺寸(108)比多个精细布线(103、104)中一个(103)的外部尺寸(106)大。第二布线部分(102)的布线(102)由环绕布线(102)的外围的外围布线(110)构成。
半导体器件布线图案形成方法数据产生

[发明专利]半导体器件-CN200610143915.3无效
发明人： 松原义久 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件具有包括集中的精细互连的宏电路和用于连接宏电路与外部电路的延伸布线。精细互连的宽度小于0.1μm。延伸布线(102)的一端连接至平行布置的宏电路(101)的精细互连(103)中的至少两个。通过该结构，抑制了在延伸布线的一端和精细互连连接的部分处断开的可能性。
半导体器件

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