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[发明专利]一种采用补偿电容技术的双控制位型可变增益放大器-CN202210375284.7有效
发明人：王政;杨茂旋;谢倩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种采用补偿电容技术的双控制位型可变增益放大器，用以解决如何在宽频带范围内实现低相位误差的增益调节这一大难题。本发明基于差分cascode型的电路结构实现，包括：差分cascode结构放大器与匹配网络；通过在单级电路的共栅管(M2、M4)的源极与漏极之间引入补偿电容C_comp、使得补偿后共栅管的源漏电容Cds2(Cds2+C_comp)与共源管栅漏电容(Cgd1)相同，再通过在单级电路的共源共栅管(M1/M2、M3/M4)的中间结点引入了到地的补偿电感L_comp、抵消了该结点的总电容，最终达到增益可调、相位不变的效果，即实现在宽频带范围内实现低相位误差的增益调节。
一种采用补偿电容技术控制可变增益放大器

[发明专利]一种采用退化电感技术的宽带低相位误差可变增益放大器-CN202210030460.3在审
发明人：王政;杨茂旋;谢倩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H03F1/08 文献下载
摘要：本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种采用退化电感技术的150‑170GHz宽带低相位误差可变增益放大器，用以用以有效降低不同增益档位之间的相位误差、同时有效扩展带宽。本发明由依次级联的四个可变增益放大器单元电路构成，每个可变增益放大器单元电路在电流舵型cascode结构的基础上、于共基管与共射管的中间节点引入相位补偿电感MTL，通过设计相位补偿电感MTL的电感值(MTLN或MTLP)，使得前两级单元电路与后两级单元电路实现不同的增益‑相位特性(反向变换或同步变换)；最终通过四级单元电路级联实现相位抵消，即有效减小相位误差，实现宽带低相位误差可变增益放大器。
一种采用退化电感技术宽带相位误差可变增益放大器

[发明专利]一种耐高温红外低发射率材料的制备方法及其应用-CN201910266642.9在审
发明人：张丽;张敏;殷举航;马晓东;代灵鹭;文静;杨茂旋;彭雨涛;王昕;陆海鹏;尹良君;简贤;谢建良;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于红外隐身技术领域，具体是涉及一种耐高温红外低发射率材料的制备方法及其应用。本发明把在航天结构、传感器、制动器等微电子系统中电极的Zrb₂薄膜材料，将其作为耐高温的红外低发射率薄膜，应用于武器装备、航空航天飞行器。本发明方法具有工艺简单，操作简易，成本低廉，薄膜性能优异。最终制备的薄膜材料在3～5um波段红外发射率低于0.2，在8～14um波段红外发射率低于0.1；Zrb₂薄膜材料其特殊的晶体结构，兼具陶瓷类材料和金属类材料的优点于一体，具备高强度和弹性模量以及良好的物化稳定性；其熔点超过3000℃，可在低于1000℃环境下稳定工作，作为高超音速飞行器的红外隐身材料。
薄膜材料耐高温制备红外低发射率材料红外发射率波段薄膜弹性模量应用高超音速飞行器航空航天飞行器熔点红外低发射率红外隐身材料红外隐身技术金属类材料陶瓷类材料微电子系统物化稳定性制动器航天结构晶体结构武器装备电极传感器简易

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