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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN201910910885.1在审
  • 林杰峯;林志勇;于殿圣;杨筱岚;廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-09-25 - 2020-04-03 - H01L29/78
  • 第一类器件包括在第一方向上延伸的第一鳍结构、第一栅极，以及设置在第一鳍结构上方的第一槽接触件。第一栅极在第二方向上延伸并具有在第一方向上测量的第一栅极尺寸。第一槽接触件具有在第一方向上测量的第一槽接触件尺寸。第二类器件包括：在第三方向上延伸的第二鳍结构、第二栅极，以及设置在第二鳍结构上方的第二槽接触件。第二栅极在第四方向上延伸并具有在第三方向上测量的第二栅极尺寸。第二槽接触件具有在第三方向上测量的第二槽接触件尺寸。第二槽接触件尺寸大于第二栅极尺寸并且大于第一槽接触件尺寸。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
  • 半导体器件形成方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201910208295.4在审
  • 林杰峯;杨筱岚;林志勇 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-03-19 - 2020-01-07 - H01L27/092
  • 本申请提供一种半导体装置。该半导体装置中的第一栅极结构与第二栅极结构各自在第一方向中延伸。第一导电接点与第二导电接点各自在第一方向中延伸，且第一导电接点与第二导电接点以及第一栅极结构与第二栅极结构在第二方向中分开。第一隔离结构在第二方向中延伸，并分开第一栅极结构与第二栅极结构。第二隔离结构在第二方向中延伸，并分开第一导电接点与第二导电接点。第一栅极结构电性耦接至第一电性节点。第二栅极结构电性耦接至第二电性节点，且第一电性节点与第二电性节点不同。第一导电接点电性耦接至第二电性节点。第二导电接点电性耦接至第一电性节点。
  • 导电接点栅极结构电性节点电性耦接半导体装置延伸隔离结构申请
  •  1 
  • 共 3 条
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