|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 15个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种天后宫戏台斗栱-CN202311053600.X在审
-
冯立;胡莉婷;杨嘉颖
-
上海创物建筑设计有限公司
-
2023-08-21
-
2023-10-03
-
E04B1/343
- 本发明公开了一种天后宫戏台斗栱，属于斗栱技术领域。其包括升；坐斗；十字栱；斗三升栱；斗六升栱；头昂；由昂；云头；梓桁；坐斗、斗三升栱、十字栱、斗六升栱、头昂、由昂、云头依次配合连接；第一层为坐斗，面宽方向第二层为十字栱，第三层为头昂，第四层叠加一层由昂；进深方向第二层为斗三升栱，第三层为斗六升栱；由昂的正心处设置有第一连机，第一连机与由昂垂直；云头叠加于由昂上具有凤头昂的一端；第一连机上叠加有第二连机；梓桁安装在云头上端。本发明各个构件之间通过插接即可实现固定连接，从而便于非专业人员的安装和拆卸；拆装的同时不会损坏构件，可使拆卸的构件重复使用，有利于缩短工期，节能环保。
- 一种天后戏台
- [发明专利]场效应晶体管及其制备方法-CN202110140205.X有效
-
贺威;杨嘉颖;利健;黄昊;郑子阳;吴健华;刘新科
-
深圳大学
-
2021-02-01
-
2022-09-09
-
H01L29/10
- 本发明公开一种场效应晶体管及其制备方法，场效应晶体管包括基层、p型纳米线、n型纳米线、漏极、源极以及栅极结构，基层形成有间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区；p型纳米线和n型纳米线成对设置，p型纳米线垂直设于第一掺杂区，n型纳米线垂直设于第二掺杂区；漏极设于两个纳米线远离基层的一端，并同时与p型纳米线远离基层的一端以及n型纳米线远离基层的一端欧姆接触设置；源极包括第一源极和第二源极，第一源极与第一掺杂区欧姆接触，第二源极与第二掺杂区欧姆接触；栅极结构设于漏极和源极之间，且部分栅极结构同时环绕p型纳米线和n型纳米线裸露的表面设置。本发明旨在提供一种低功耗的场效应晶体管。
- 场效应晶体管及其制备方法
- [发明专利]一种氮化镓场效应管及其制备方法-CN202110145845.X有效
-
贺威;黄昊;利健;郑子阳;杨嘉颖;吴健华;刘新科
-
深圳大学
-
2021-02-02
-
2022-05-10
-
H01L29/778
- 本发明公开一种氮化镓场效应管及其制备方法，所述氮化镓场效应管包括氮化镓衬底、漂移层、沟道层以及电极；漂移层设于氮化镓衬底的一侧；沟道层设于漂移层远离衬底的一侧，沟道层包括邻接漂移层设置的第一沟道层以及邻接第一沟道层设置的第二沟道层，沟道层内设有两个导电沟道，每一导电沟道同时贯穿第一沟道层和第二沟道层设置，且两个导电沟道呈交叉设置；电极包括源极、漏极和栅极，源极设于第二沟道层的外部且连接两个导电沟道，漏极设于衬底远离漂移层的一侧，栅极设于第二沟道层的外部且避让导电沟道设置；其中，漂移层与第一沟道层的邻接处形成有GaNAl/GaN异质结。本发明提高了氮化镓器件的电流密度，实现了器件阈值电压可调节。
- 一种氮化场效应及其制备方法
- [发明专利]一种氮化镓垂直结型场效应管的制备方法-CN202111413196.3在审
-
刘新科;黄昊;杨嘉颖;贺威;黎晓华;宋利军;黄双武
-
深圳大学
-
2021-11-25
-
2022-03-01
-
H01L21/335
- 本发明实施例公开了一种氮化镓垂直结型场效应管的制备方法，包括：在N+型氮化镓衬底上生长N‑型氮化镓外延层，在N‑型氮化镓外延层的两侧通过离子注入的方式掩模生长0.5～2um深的P型氮化镓外延层；在N‑型氮化镓外延层和P型氮化镓外延层表面生长N‑型氮化镓铝外延层，选择性刻蚀N‑型氮化镓铝外延层以保留与P型氮化镓外延层相邻的N‑型氮化镓铝外延层；在刻蚀后的器件表面生长氮化镓外延层，并在器件表面的中间区域刻蚀预设深度后生长P型氮化镓外延层，刻蚀器件表面并生长绝缘层；刻蚀部分绝缘层并在器件表面蒸镀金属膜，经剥离、退火后形成欧姆电极。本发明可以以JFET模型控制沟道开关以达到增强型的目的，具有大输出电流，高击穿电压的特点。
- 一种氮化垂直场效应制备方法
- [实用新型]一种财务核对用分析装置-CN202122146059.X有效
-
杨嘉颖
-
杨嘉颖
-
2021-09-06
-
2022-02-01
-
A47B97/04
- 本实用新型公开了一种财务核对用分析装置，涉及财务领域。一种财务核对用分析装置，包括支撑板，所述支撑板顶部的后侧通过螺栓连接有外壳，所述外壳内腔背面的两侧均通过螺栓连接有齿条板，所述齿条板的正面啮合有齿轮，所述齿轮的外侧焊接有转轴，所述转轴的外侧通过联轴器连接有步进电机，所述步进电机的正面焊接有安装板。本实用新型提供一种财务核对用分析装置，当需要伸出画板时，操作者通过外设控制器打开步进电机，步进电机开始工作，步进电机带动齿轮开始转动，齿轮在齿条板上移动，同时齿轮通过转轴、步进电机和安装板带动承载板向上移动，承载板带动滑套在滑杆上滑动，承载板带动画板伸出至外壳顶部，使其移动至人们指定位置。
- 一种财务核对分析装置
- [发明专利]一种垂直氮化镓场效应晶体管及其制备方法-CN202111134381.9在审
-
刘新科;刘潇;杨嘉颖;黎晓华;黄双武
-
深圳大学
-
2021-09-27
-
2022-01-11
-
H01L29/778
- 本发明实施例公开了垂直氮化镓场效应晶体管，包括：第一硅掺的N+型GaN外延层沉积于N+型高掺杂GaN衬底第一面中的部分区域、第二硅掺的N‑型GaN外延层沉积于第一硅掺的N+型GaN外延层、第三硅掺的N+型GaN外延层第二硅掺的N‑型GaN外延层，Al2O3隔离层沉积于N+型高掺杂GaN衬底中除第一硅掺的N+型GaN外延层的剩余区域；AlGaN层在垂直于N+型高掺杂GaN衬底的方向上沉积于第二硅掺的N‑型GaN外延层表面，栅极层沉积于AlGaN层；SiN隔离层在平行于N+型高掺杂GaN衬底的方向上沉积于除第三硅掺的N+型GaN外延层区域以外的表面，源极层沉积于SiN隔离层和第三硅掺的N+型GaN外延层表面，漏极层沉积于N+型高掺杂GaN衬底的另一面。AlGaN/GaN异质结令异质界面GaN侧的量子阱变得更深更窄带来高电流密度。
- 一种垂直氮化场效应晶体管及其制备方法
- [实用新型]一种多功能护理床-CN202120866297.5有效
-
孙伟;刘志泳;邓家辉;杨嘉颖;徐庆云
-
广州软件学院
-
2021-04-25
-
2021-12-21
-
A61G7/015
- 本实用新型公开了一种多功能护理床，护理床板上设置有一用于排便的排便口；护理床板包括：头部床板、尾部床板、中部左侧床板、中部右侧床板以及覆盖在排便口上的便盖床板；便盖床板设置在中部左侧床板以及中部右侧床板之间；头部床板与第一电机连接，且第一电机工作时，带动头部床板上升或下降；尾部床板与第二电机连接，且第二电机工作时，带动尾部床板上升或下降；中部左侧床板与第三电机连接，且第三电机工作时，带动中部左侧床板翻转；中部右侧床板与第四电机连接，且第四电机工作时，带动中部右侧床板翻转；便盖床板与舵机连接，且在舵机工作时，带动便盖床板开启或关闭排便口。通过实施本实用新型能辅助失能老人如厕，侧身、起背、抬腿。
- 一种多功能护理
- [发明专利]氮化镓场效应管及其制备方法-CN202110683646.4在审
-
贺威;黄昊;利健;郑子阳;杨嘉颖;吴健华;刘新科
-
深圳大学
-
2021-06-18
-
2021-10-01
-
H01L29/778
- 本发明公开一种氮化镓场效应管及其制备方法，所述氮化镓场效应管包括氮化镓衬底、漂移层、沟道层以及电极；漂移层设于氮化镓衬底的一侧；沟道层设于漂移层远离衬底的一侧，沟道层内设有导电沟道，导电沟道的中部朝向漂移层拱起，并与漂移层接触，导电沟道的两端贯穿沟道层背离漂移层的一侧设置，导电沟道内形成有AlGaN/GaN异质结；电极包括源极、漏极和栅极，源极设于导电沟道的上方且与导电沟道欧姆接触，漏极设于衬底的外部，栅极设于沟道层的外部且避让导电沟道设置。本发明旨在提供具有1V左右阈值电压的高电流密度增强型器件，适用于低压应用的同时简化栅极驱动避免误开启等问题。
- 氮化场效应及其制备方法
|
