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[发明专利]基板处理设备-CN201880027296.2有效
发明人：刘光洙;朴特基;李龙炫;郑喆羽 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：根据本发明实施例的电容耦合等离子体基板处理设备包括：处理室，其提供被抽真空且密封的内部空间；气体入口，其连接到处理室以将处理气体提供到处理室内部；气体分配单元，其连接到气体入口以将引入气体入口的处理气体注入内部空间；阻抗匹配网络，其设置在处理室外部，并将RF电源的RF功率传输到气体分配单元；RF连接线，其将阻抗匹配网络的输出连接到气体入口或气体分配单元；以及屏蔽板，其包括铁磁体并且RF连接线和气体入口中的至少一个穿透该屏蔽板。
处理设备

[发明专利]使用气体分配单元的气体供应方法-CN202180056456.8在审
发明人：金显昌;金润晶;刘光洙;李龙炫;李真镐 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种使用气体分配单元的气体供应方法，气体分配单元包括分别安装在多个气体供应通道上的多个气体流速控制设备，并配置为单独地控制通过各个气体供应通道供应的处理气体的流速，并且不同地调整通过各个气体供应通道供应的处理气体的气体供应时间和供应顺序，从而改善沉积薄膜在衬底的整个表面区域上的厚度均匀性。
使用气体分配单元供应方法

[发明专利]基板处理装置-CN201580006895.2在审
发明人：金倞民;李明振;李龙炫;崔宰旭 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置，包括：工艺腔室；多个气体供给管道，用于提供气体或等离子体活性物质至工艺腔室内部；远程等离子体产生单元，其连接到多个气体供给管道当中的一个气体供给管道；和打开/关闭阀门，将其提供至远程等离子体产生单元和工艺腔室之间的该一个气体供给管道，用于选择性切断该一个气体供给管道。
处理装置

[发明专利]供气装置-CN201480025607.3在审
发明人：黄喆周;康豪哲;梁承龙;李明振;李龙炫;郑喆羽;崔宰旭 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种供气装置，详细地涉及能够改善工艺腔室内的工艺气体的流动并能够提高沉积层的均匀度的供气装置，本发明提供的所述供气装置包括：引线，与气体管道相连接；第一板，用于使从所述引线流入的气体向工艺腔室排出；第二板，设置于所述引线和所述第一板之间，并以分散流向下部的气体的方式设置；形成于所述第一板的多个排出孔；以及形成于所述第二板的多个排出孔，形成于所述第二板的角落部的排出孔以与形成于所述第一板的相同位置的角落部的排出孔不同状态来配置。
供气装置

[发明专利]处理室、半导体制造设备及使用其的基板处理方法-CN201110068029.X有效
发明人： 李龙炫;李明振;车安基 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体制造设备，其包括设有基板移动装置以移动基板的传送室，对准基板并将基板装载到传送室和从传送室卸载该基板的真空室，和处理从传送室转移的基板的至少一个处理室。该至少一个处理室中的每一个都包括室主体、基板支架和至少一个分隔器，该室主体设有形成在其侧表面上的基板入口，该基板支架设在室主体内以将至少两个基板设置在基板支架上，该至少一个分隔器设在室主体内以对准该至少两个基板。
处理半导体制造设备使用方法

[发明专利]薄膜型太阳能电池的制造方法-CN200910249867.X有效
发明人：李昌浩;康萤同;李炫灏;李龙炫;金善明 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：公开一种薄膜型太阳能电池的制造方法，因其在通过等离子体CVD方法沉积非晶硅的I型半导体层的过程期间的优化的成分气体含量比、优化的腔室压强或优化的衬底温度，所以能够通过减少存在于非晶硅中的悬键位或Si-H2键位的数量来降低太阳能电池的降解，，所述方法包括：在衬底上形成前电极层；在前电极层上顺序地沉积P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层；以及在N型半导体层上形成后电极层，其中，形成I型半导体层的过程包括在满足上述条件中的至少一个的情形下通过等离子体CVD方法形成非晶硅层，所述条件如，含硅气体和含氢气体的含量比在1∶7到1∶10的范围内；腔室压强保持在2.0托到2.4托的范围内；以及衬底温度保持在225℃到250℃的范围内。
薄膜太阳能电池制造方法

[发明专利]衬底加热装置-CN200880023470.2无效
发明人：朴愿硕;金起德;李龙炫;崔承大 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底加热装置，其包含：室；衬底支撑单元，其经配置以支撑衬底，其中薄膜形成于所述衬底的顶表面上；及加热单元，其安置于毗邻于所述衬底的后表面的区域中。所述加热单元包含：多个反射单元，其布置于所述衬底下面；灯加热单元，其安置于多个反射单元内部；及短波长阻挡层，其安置于灯加热单元上。通过在顶表面上形成有薄膜或图案的所述衬底下面提供所述灯加热单元并将热能供应到所述衬底的后表面，可防止所述薄膜的效率降级，例如薄膜因热源导致的降级或薄膜因衬底与薄膜之间的温度偏差导致的剥离。此外，使热能在所述衬底的后表面的中心区域处广泛地散布，且使热能在衬底的边缘区域处集中，借此均匀地加热大型衬底。
衬底加热装置

[发明专利]薄膜型太阳能电池及其制造方法-CN200910162621.9无效
发明人： 李龙炫;康萤同 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，薄膜型太阳能电池包括：在衬底上的具有预定图案的第一电极；在第一电极上的第一半导体层；在第一半导体层上的具有预定图案的第二电极；在第二电极上的第二半导体层；以及，在第二半导体层上的具有预定图案的第三电极，第一电极和第三电极彼此电连接，其中，第一太阳能电池由第一电极、第一半导体层和第二电极的组合构成；第二太阳能电池由第二电极、第二半导体层和第三电极的组合构成；并且，第一和第二太阳能电池并联地连接，因此，不需要执行使第一和第二太阳能电池之间的电流匹配的工艺，就可以实现提高整个薄膜型太阳能电池的效率。
薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]基板支持框架及包含此支持框架的基板处理设备和利用此支持框架装载与卸载基板的方法-CN200880006621.3有效
发明人： 李龙炫 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种基板支持框架，用以在腔室中装载基板至基座上或由基座卸载基板，其中基板支持框架设置于基座上方，该基板支持框架包含支持基板的边界部的本体；第一开口，穿透本体的中心部，且露出基座的中心部；以及对应至本体的一侧的第二开口，其中基板透过第二开口设置于本体上，以与基座的中心部重叠。
支持框架包含处理设备利用装载卸载方法

[发明专利]用于处理衬底的设备-CN200710110927.0无效
发明人： 李龙炫 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种用于处理衬底的设备包含：腔室；基座，其位于所述腔室中；等离子产生单元，其用于在所述腔室中产生等离子；电源单元，其向所述等离子产生单元提供功率；以及接地线，其连接到所述基座的外围，其中所述接地线的总宽度与所述基座的周长的比率在2％到15％的范围中。
用于处理衬底设备

[发明专利]等离子天线-CN200510008769.9有效
发明人： 李龙炫 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：等离子天线被设计成允许天线内的电子元件之间的连接在化学气相沉积处理期间在不改变天线结构的情况下发生变化，由此将清洗或沉积处理的效率最大化。所述等离子天线包括两个或两个以上分别从一RF电源向其提供RF电的线圈，和一个连接到所述线圈末端的开关。所述线圈构造成具有不同阻抗。可以根据一电感性耦合的等离子天线在不改变所述天线结构的情况下改变所述等离子天线的电路结构，以便根据处理类型(例如，清洗或沉积)产生并联类型等离子、串联类型等离子或电容性耦合等离子，使得可以有效地执行所述处理，由此通过归因于天线简单结构的生产成本的降低来提高生产力。
等离子天线

[发明专利]一种用于半导体装置的设备-CN200410045521.5无效
发明人：韩政勋;李永锡;郑淳彬;李政范;金哲植;全昌烨;高在亿;金映录;沈成垠;李龙炫;刘真赫;姜大凤 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2004-05-28 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种用于一个半导体装置的设备，其包括：一个具有上部分及下部分之室，所述下部分的体积大于所述上部分的体积；一个位于所述室内的感受器，所述感受器在其上表面具有一个基板；一个将生产气体注入所述室的注入器；一个位于所述室上的线圈组；一个与所述线圈组相连的射频电源；和一个通过所述室的排气口。
一种用于半导体装置设备

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