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[发明专利]电极组件及制造该电极组件的方法-CN201880004519.3有效
发明人： 李镕俊;黄台昊;张燦浩 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：本发明包括一种制造电极组件的方法，电极组件中堆叠有多个电极，负极和正极按顺序交替堆叠，并且隔膜设置在负极与正极之间，该方法包括：通过使用隔膜覆盖位于n层(其中n是1或更大的自然数)的电极的顶表面的步骤；加热覆盖在位于n层的电极上的隔膜的步骤；在被加热的隔膜上堆叠位于n+1层的电极的步骤；通过使用隔膜覆盖位于n+1层的电极的顶表面的步骤；以及加热覆盖在位于n+1层的电极上的隔膜的步骤。根据具有上述结构的本发明，隔膜可结合至电极，或者隔膜可彼此结合，以固定电极的移动，由此提高可靠性。此外，由于隔膜未堆叠在宽度方向上，所以可增加每单位体积的容量。
电极组件制造方法

[发明专利]一种有机硅披覆胶及其制备方法-CN201910916333.1有效
发明人：郝开强;李镕俊;王聪伟;陈丹;陶小乐;何永富 -专利权人：杭州之江新材料有限公司;杭州之江有机硅化工有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C09D183/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机硅披覆胶，包括以下组分：改性硅树脂100重量份；交联剂1重量份～5重量份；催化剂0.5重量份～3重量份；紫外指示剂0～0.2重量份；增粘剂0～1重量份；所示改性硅树脂具有式(I)所示通式；式(I)中，a+b+c＝1，0＜a＜1，0＜b＜1，0≤c＜1；n为≥1的整数。与现有技术相比，本发明提供的有机硅披覆胶以特定通式的改进硅树脂为主要组分，配合其他特定含量组分实现较好的相互作用，从而使该有机硅披覆胶在各项性能满足线路板涂覆要求的同时，具有较高的硬度，固化后的胶表面非常光滑，具有优异的抗摩擦性能，在线路板表面涂覆很薄的一层就可起到很好的保护作用。
一种有机硅披覆胶及其制备方法

[发明专利]一种有机硅涂覆胶-CN202011196110.1在审
发明人：郝开强;李镕俊;陈丹;王聪伟;陶小乐;何永富 -专利权人：杭州之江新材料有限公司;杭州之江有机硅化工有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C09D183/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机硅涂覆胶，其由70～100重量份的烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷，0.1～20重量份的聚二甲基硅油，0.1～15重量份的交联剂，0.1～2重量份的增粘剂，0.5～3重量份的催化剂组成；本申请提供的有机硅涂覆胶粘度低，不含有有害的溶剂，非常适合喷涂、刷涂和浸涂等工艺，可用于PCB线路板的涂覆保护。
一种有机硅涂覆胶

[发明专利]背光组件和包括该背光组件的显示设备-CN202010156455.8在审
发明人： 李镕俊;金宥嫔;金满洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：一种背光组件和包括该背光组件的显示设备，该背光组件包括：光学构件；底架，包括所述光学构件设置于其上的底表面、从所述底表面的一侧沿着第一方向突出的第一侧壁部以及从所述第一侧壁部沿着与所述第一方向相交的第二方向突出的第一支撑部；和组装构件，包括主体以及从所述主体突出的第一突起和第二突起。所述第二突起与所述第一支撑部的表面接触。
背光组件包括显示设备

[发明专利]显示装置-CN202010169838.9在审
发明人：郑荣圭;李镕俊 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：本申请涉及显示装置。该显示装置包括显示模块、连接杆以及热管，其中，从显示模块散发热量；连接杆联接至显示模块，并且显示模块可利用连接杆安装至设置在显示装置外部且沿着第一方向与显示模块间隔开的结构，连接杆沿着第一方向纵向延伸；热管设置在连接杆内部，并且沿着第一方向纵向延伸。
显示装置

[发明专利]二次电池和具有该二次电池的电池模块-CN201610248969.X有效
发明人：金镇高;李承鲁;李镕俊 -专利权人： SK新技术株式会社
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01M2/12 文献下载
摘要：本发明提供一种二次电池。该二次电池可以包括：电极组件；盒，其包括沿着其外边缘的密封部分并且被配置成容纳和密封电极组件；电极引线，其插入通过密封部分并且被连接到电极组件，该电极引线包括朝着电极组件开口的第一通风孔；以及引线膜，其被设置在电极引线和盒的密封部分之间，该引线膜包括朝着电极组件开口的第二通风孔。第二通风孔可与第一通风孔重叠以形成穿透引线膜和电极引线的通道。
二次电池具有模块

[发明专利]显示设备-CN202010088280.1在审
发明人：郑荣圭;李镕俊 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：一种显示设备包括：光源；导光板，包括光入射表面；电路板，向光源提供电力并面对光入射表面；导光板对准构件，位于电路板与光入射表面之间；和框架，导光板对准构件被联接到框架。导光板对准构件包括：间隙保持部分，位于电路板与光入射表面之间；固定部分，利用该固定部分导光板对准构件被联接到框架；以及第一对准部分，在电路板位于间隙保持部分与固定部分之间的情况下将间隙保持部分和固定部分彼此连接，第一对准部分接触电路板的上表面和导光板的上表面。
显示设备

[发明专利]显示设备-CN201911105906.9在审
发明人： 李镕俊;申真秀;金满洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本申请涉及显示设备。该显示设备包括显示面板、用于向显示面板提供光的背光单元、反射构件和光阻挡构件。背光单元包括导光构件和光源，其中，光源用于向导光构件的一个侧部分提供光。反射构件设置在导光构件的另一侧部分上。光阻挡构件覆盖反射构件和导光构件的拐角的至少一部分。
显示设备

[发明专利]量子点玻璃老化设备-CN201911098807.2在审
发明人： 李镕俊;姜邰佶;徐揄珍;沈揆宪 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：一种量子点玻璃老化设备包括：底部，包括由第一方向和与所述第一方向相交的第二方向限定的平坦表面；侧壁部，包括由所述第一方向和与所述底部相交的第三方向限定的侧表面；以及设置在所述底部与所述侧壁部之间的座部。所述座部包括在所述第一方向上延伸并沿所述第二方向排列的多个突起部。多个量子点玻璃被布置在所述多个突起部上。多个光源被设置在多个槽中，所述多个槽被限定在所述多个突起部之间以及所述侧壁部和所述多个突起部中的与所述侧壁部相邻的第一个突起部之间。所述多个突起部的上表面的高度从所述侧壁部向所述底部逐渐降低。
量子玻璃老化设备

[发明专利]具有保护构件的显示装置-CN201711267290.6在审
发明人： 李镕俊;金靖基;吴英录 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：公开了具有保护构件的显示装置。所述显示装置包括显示面板。底架尺寸设定为且定位成支撑显示面板。驱动电路板定位在底架的背向显示面板的背表面下方。保护构件定位在驱动电路板上。引导构件联接至底架并且将驱动电路板与保护构件彼此紧固。
保护构件驱动电路板显示面板显示装置底架引导构件背表面紧固联接支撑

[发明专利]横向双扩展MOS器件及其制造方法-CN200910222933.4无效
发明人： 李镕俊 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明披露了一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法。横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件包括：高压阱(HVWELL)，形成在衬底上；RESURF区，形成在HVWELL中；本体区，邻近RESURF区形成；隔离层，包括形成在RESURF区上的预定区域，该隔离层与衬底的顶部表面部分重叠；低压阱(LVWELL)，形成在隔离层的另一区域的下方的衬底的预定区域上；栅电极，从本体区的预定的顶部表面区延伸到隔离层的预定顶部表面；漏极区，形成在隔离层的另一区域下方的LVWELL上；以及源极区，形成在栅电极下方的本体区中。
横向扩展 mos 器件及其制造方法

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN200910140250.4无效
发明人： 李镕俊 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种横向双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成氧化层；通过局部蚀刻氧化层和半导体衬底来形成第一沟槽和第二沟槽；形成与第二沟槽重叠的小沟槽，以使第二沟槽具有阶梯结构；以及沉积一层或多层介电层，使第一沟槽形成用于限定半导体器件区的器件隔离层，并且使具有所述阶梯结构的第二沟槽形成漏极扩展器件隔离层。本发明可提高LDMOS器件的击穿电压，同时降低导通电阻，从而提高器件的操作可靠性。
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]闪存器件及其制造方法-CN200810215674.8无效
发明人： 李镕俊 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种嵌入式闪存器件及其制造方法，该方法利用逻辑CMOS制造工艺缩小了存储器件的尺寸并且提高了存储器件的耦合率。该闪存器件包括在半导体衬底的有源区上的耦合氧化层，在耦合氧化层上和/或上方形成的第一控制栅极以及在耦合氧化层和第一控制栅极的侧壁上和/或上方形成的且围绕耦合氧化层和第一控制栅极的侧壁的第二控制栅极。
闪存器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200710302252.X无效
发明人：高哲柱;李镕俊 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-24 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括在硅衬底的电容器区域中形成器件隔离层，和在器件隔离层上形成底部电极和介电层。在所述底部电极两个侧面上形成绝缘侧壁。在所述介电层上形成顶部电极，同时在硅衬底的晶体管区域中形成栅电极。在所述栅电极的两侧的硅衬底中形成源极/漏极杂质区域。
制造半导体器件方法

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