“李舜燮”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]使用可调谐多相滤波器的宽带正交相位生成-CN202111293121.6在审
发明人：赵一显;韩广锡;李舜燮;徐禧源;李吉杓 -专利权人：瑞萨电子美国有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H03L7/093 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及使用可调谐多相滤波器的宽带正交相位生成。正交相位时钟生成器包括可调谐多相滤波器和相位检测器。可调谐多相滤波器被配置为接收输入时钟信号，并且生成四个正交相位时钟信号。相位检测器被耦合以接收四个正交相位时钟信号中的至少两个正交相位时钟信号，并且生成控制信号，控制信号适于基于所接收的正交相位时钟信号调谐多相滤波器。此外，相位检测器被配置为在反馈回路中向多相滤波器提供控制信号。基于来自相位检测器的控制信号，可调谐多相滤波器生成四个经调谐的正交相位时钟信号作为输出相位时钟信号。
使用调谐多相滤波器宽带正交相位生成

[发明专利]低噪声混合比较器-CN202111294798.1在审
发明人： 李舜燮;韩广锡;河钟赞;赵一显;徐禧源;秦贤培;林有镐;李承训;吴光训 -专利权人：瑞萨电子美国有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H03M1/34 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及低噪声混合比较器。混合比较器包括模拟信号组合器和动态锁存器。模拟信号组合器被配置为接收输入模拟信号和输入参考信号，以及通过组合输入模拟信号和输入参考信号生成模拟输出信号。动态锁存器被配置为接收模拟输出信号和时钟信号，以及生成数字输出信号。
噪声混合比较

[发明专利]隔离式栅极驱动器以及包括其的功率器件驱动系统-CN201710616008.4有效
发明人： 李舜燮 -专利权人：奥特润株式会社
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H03K17/0412 文献下载
摘要：本申请公开了隔离式栅极驱动器以及包括其的功率器件驱动系统。根据本发明的隔离式栅极驱动器包括：低压部，包括用于从微控制器单元接收PWM信号并输出低压PWM信号的PWM传输单元和用于从微控制器单元接收控制信号并输出低压控制信号的低压逻辑块；绝缘部，用于将低压PWM信号和低压控制信号分别升压至高压PWM信号和高压控制信号；以及高压部，包括高压逻辑块和转换速率控制器，高压逻辑块用于根据高压控制信号输出转换速率控制信号，并且转换速率控制器用于控制位于隔离栅极驱动器的外部的功率器件的栅极电压的转换速率，因此，功率器件的栅极电压在上升沿或下降沿具有取决于转换速率控制信号的转换速率，其中，高压部通过绝缘部与低压部绝缘。
隔离栅极驱动器以及包括功率器件驱动系统

[发明专利]电源半导体的控制方法及控制装置-CN201510765854.3有效
发明人： 李舜燮;河泰玉;辛宗夏 -专利权人：奥特润株式会社
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明涉及电源半导体控制方法，包括：向基于切换频率进行动作的多个元件供给由切换频率供给部提前设定的各个基准切换频率的步骤；控制部基于根据所述各个基准切换频率的所述的多个元件的动作，感应多个元件中的干涉的步骤；若感应到多个元件中的干涉，则控制部设定对各个基准切换频率的带宽的步骤；及基于设定的带宽，带宽调节部增加通过切换频率供给部供给的各个基准切换频率的带宽。
电源半导体控制方法装置

[发明专利]隔离栅极驱动器以及包括其的功率设备驱动系统-CN201710616246.5在审
发明人： 李舜燮 -专利权人：奥特润株式会社
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本公开涉及隔离栅极驱动器以及包括其的功率设备驱动系统。该隔离栅极驱动器包括低压部件，包括PWM传输单元和低压逻辑块；用于将低压PWM信号和低压控制信号分别升压为高压PWM信号和高压控制信号的绝缘部件；以及通过绝缘部件与低压部件绝缘的高压部件，该高压部件包括用于根据高压控制信号输出转换速率控制信号的高压逻辑块；用于控制功率设备的栅极电压的转换速率使得功率设备的栅极电压在上升沿或下降沿处具有取决于转换速率控制信号的转换速率的转换速率控制器；以及转换速率反馈单元，包括用于测量栅极电压的转换速率的转换速率测量单元并且允许转换速率控制器改变栅极电压的转换速率。
隔离栅极驱动器以及包括功率设备驱动系统

[发明专利]半导体存储器件、局部预充电电路及其方法-CN200710108101.0无效
发明人： 李舜燮;金大俊;玄东昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供了半导体存储器件、局部预充电电路及其方法。示范性半导体存储器件可以包括：通过列选择晶体管与存储单元耦合的位线连接的局部输入/输出线，该局部输入/输出线提供了通过位线将数据信号发送到局部感测放大器的传输路径；和配置成根据活动模式的状态和列选择信号的状态调整局部输入/输出线的预充电电压电平的局部预充电电路。示范性局部预充电电路包括在示范性半导体存储器件内。包括示范性局部预充电电路的示范性半导体存储器件能够根据活动模式的状态和列选择信号的状态调整局部输入/输出线的预充电电压电平，活动模式指字线被启用的间隔。
半导体存储器件局部充电电路及其方法