专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种宫颈扩撑器-CN202320100065.8有效
  • 庞芙蓉;赵娇;李翡;段云涛 - 庞芙蓉
  • 2023-02-02 - 2023-08-29 - A61B1/32
  • 本实用新型涉及宫颈扩撑器技术领域,且公开了一种宫颈扩撑器,两个扩张件,所述扩张件的下方设置有调节机构,两个所述扩张件的表面设置有连接板,两个所述连接板的表面与调节机构的表面连接,两个所述连接板的侧面均设置有固定耳,两个所述固定耳的表面均设置有连接环,所述连接环的表面设置有固定机构。该宫颈扩撑器,通过设置两个扩张件、连接板和调节机构,两个扩张件插入体内后,通过调节结构带动两个连接板向背离方向移动,两个进而带动扩张件向背离方向移动,对宫颈进行扩张。
  • 一种宫颈扩撑器
  • [发明专利]一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法-CN202210814388.3在审
  • 张茹;尹文婷;李翡;朱能勇;吾立峰;刘强 - 成都华大九天科技有限公司
  • 2022-07-12 - 2022-10-18 - G06F30/373
  • 本申请公开了一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方法、装置及计算机可读存储介质。包括:设定所述GaN HEMT的工艺参数;基于不同的尺寸和温度将一个以上的GaN HEMT器件分为一个或多个组,其中,各组中的GaN HEMT器件分别具有相同的尺寸和不同的温度,针对各组GaN HEMT器件,首先选取具有第1尺寸S1、第1温度T1的第1GaN HEMT器件,调整不同输入参数值获取第1GaN HEMT器件输出的多个测量数据,并基于所述测量数据生成测量曲线,所述测量曲线包括电容‑电压关系曲线;提取电容_电压关系曲线的相关参数;保存第1GaN HEMT器件的ASM模型;将所述ASM模型应用到具有同一尺寸S1的其他温度的GaN HEMT器件,继续提取电容_电压关系曲线的相关参数。
  • 一种基于asm模型ganhemt参数提取方法
  • [发明专利]图形筛选方法及装置、服务器和存储介质-CN202011502781.6有效
  • 李翡;高云锋 - 南京华大九天科技有限公司
  • 2020-12-18 - 2022-07-22 - G06F30/367
  • 本公开涉及微电子器件建模领域,提供了一种用于器件建模工具的图形筛选方法及装置、服务器和存储介质,首先获取包括有数条预先配置的图形筛选规则的图形筛选规则集合;其次根据前述的图形筛选规则集合中的一条图形筛选规则,从原始图形集合中筛选出目标图形集合;最后根据预先配置的图形排序规则将前述目标图形集合进行分组排序。由此可通过不同的筛选语句遍历原始图形集合的树形结构节点,进行包含有原始图形存储名称的关键词查询,快速准确地选取所要调用的目标图形集合,并根据预设有目标图形参数阈值的判断语句和排序语句对目标图形集合进行分组排序,以此有效提高器件建模中图形数据分析的效率和准确性。
  • 图形筛选方法装置服务器存储介质
  • [发明专利]一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法-CN202210104833.7在审
  • 雷玥;朱能勇;李翡 - 北京华大九天科技股份有限公司
  • 2022-01-28 - 2022-05-10 - G06F30/367
  • 一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤:1)给定器件的工艺参数;2)提取电容_电压关系曲线相关参数:通过逆导电容_漏电压曲线、输出电容_漏电压曲线、输入电容_漏电压曲线、栅极电容_栅电压曲线提取相关参数;3)提取电流_电压关系曲线相关参数:对关键部分漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取和用所有的漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取。本发明的GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法,能够降低参数提取次数,提高GaN HEMT的ASM模型直流参数提取效率和提取参数的准确性。
  • 一种ganhemtasm模型直流参数提取方法
  • [发明专利]器件模型的仿真结果的测试方法、装置、设备和介质-CN202011515443.6有效
  • 杨思琪;宫雷雨;李翡 - 南京华大九天科技有限公司
  • 2020-12-21 - 2022-04-29 - G06F30/33
  • 本发明实施例提供了一种器件模型的仿真结果的测试方法、装置、设备和介质。该方法包括:获取待测试的器件模型和测试条件;获取用于测试所述器件模型的仿真结果的准确性的测试脚本;基于所述测试脚本,在所述测试条件下利用目标仿真器对所述器件模型进行仿真,得到所述器件模型的仿真结果,比较所述器件模型的仿真结果与标准值,得到所述器件模型的仿真结果的准确性的测试结果,其中,所述标准值是在所述测试条件下,利用标准仿真器对所述器件模型进行仿真所得到的仿真结果。本发明实施例在测试电路仿真器仿真器件模型的准确性时,无需人工参与测试过程,降低了人力成本和耗时。
  • 器件模型仿真结果测试方法装置设备介质
  • [发明专利]参数优化方法及装置、服务器和存储介质-CN202011558490.9在审
  • 李翡;高云锋 - 南京华大九天科技有限公司
  • 2020-12-25 - 2021-04-13 - G06F30/367
  • 本公开涉及微电子器件建模领域,提供了一种用于器件建模工具的参数优化方法及装置、服务器和存储介质,通过提取半导体器件模型的仿真参数,该仿真参数为该半导体器件模型在所述器件建模工具中与实际半导体器件获得量测参数的相同设定条件下获得的电学特性曲线;而后选定前述仿真参数中待优化的特性数据点集合,该特性数据点为同一坐标系下前述仿真参数偏离前述量测参数的离散点;以及基于前述量测参数利用优化算法确定目标特性数据点集合,该目标特性数据点的特性值即为前述待优化的特性数据点优化后的目标特性值。由此可有效提高仿真建模的效率及其准确性。
  • 参数优化方法装置服务器存储介质
  • [发明专利]模型参数的提取方法及装置、服务器和存储介质-CN202011527132.1在审
  • 张万鑫;李翡 - 成都华大九天科技有限公司
  • 2020-12-22 - 2021-03-26 - G06F30/3308
  • 本公开提供了模型参数的提取方法及装置、服务器和存储介质,用于对氮化镓高电子迁移率晶体管的仿真模型进行模型参数的提取,所述方法包括:获取测试数据,测试数据为氮化镓高电子迁移率晶体管在一工作电压下经测试得到的漏极电流;通过fmincon函数从模型参数的多个候选取值中提取使对应仿真数据与测试数据一致的候选取值,并将提取到的候选取值确定为模型参数的目标取值;其中,仿真数据与候选取值一一对应,仿真数据为氮化镓高电子迁移率晶体管模型基于对应候选取值在工作电压下仿真得到的漏极电流。本公开能够对氮化镓高电子迁移率晶体管的仿真模型进行模型参数的自动化快速提取。
  • 模型参数提取方法装置服务器存储介质

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