专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]语句文本方面级情感分类方法及系统-CN202110372212.2有效
  • 鲁燃;李筱雯;刘培玉;朱振方 - 山东师范大学
  • 2021-04-07 - 2023-04-25 - G06F16/35
  • 本发明提供一种语句文本方面级情感分类方法及系统,属于文本情感分类技术领域,包括:将每个单词进行序列化表示,获取序列的上下文序列信息,通过结构化自注意力机制生成结构化方面表示和结构化上下文表示;根据结构化方面表示和结构化上下文表示,利用依存关系树的句法依存信息,结合平均池化聚合方面向量的信息,提取最终嵌入,结合反向传播算法,计算不同情感极性的概率分布,预测句子最终情感极性。本发明解决了多个词之间的长距离单词依存问题,考虑了上下文依赖关系;利用结构化的自我注意机制,将句子编码成一个多维矩阵,每个向量可以被视为与方面词相关的上下文,生成方面的上下文表示,揭示了多个语义片段与方面词的关系。
  • 语句文本方面情感分类方法系统
  • [发明专利]地衣芽孢杆菌、菌剂及其应用-CN202211422422.9在审
  • 肖运才;李筱雯;刘爽;况世昌;欧阳潮;崔卫涛;周祖涛 - 湖北华大瑞尔科技有限公司
  • 2022-11-14 - 2023-02-03 - C12N1/20
  • 本发明公开了一种地衣芽孢杆菌(Bacillus licheniformis)HDTN、菌剂及其应用,属于微生物领域。所述的地衣芽孢杆菌HDTN于2020年9月23日保藏于中国典型培养物保藏中心,保藏编号为CCTCC NO:M 2020536。通过让家禽采食或者饮用本发明中所述的地衣芽孢杆菌HDTN,可以实现防控家禽坏死性肠炎,同时,其对金黄色葡萄球菌、副乳房链球菌、铅黄肠球菌、解淀粉芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌、屎肠球菌、产气荚膜梭菌多种革兰氏阳性菌均具有抑制作用;也对毒害艾美耳球虫孢子化和球虫有抑制作用,该菌株可用于制作抑制上述革兰氏阳性菌的抑制剂,其还可降低球虫对鸡胚的致死率,可抑制球虫在鸡胚内中繁殖,可防治家禽坏死性肠炎导致的肠道损伤。
  • 地衣芽孢杆菌及其应用
  • [发明专利]一种复合饲料添加剂及其制备方法-CN202010661177.1有效
  • 李筱雯;吴贝;况世昌;崔卫涛;韩继宏;姜涛 - 湖北华大瑞尔科技有限公司
  • 2020-07-10 - 2023-01-24 - C12N1/20
  • 本公开提供了一种复合饲料添加剂及其制备方法,属于饲料添加剂领域。所述复合饲料添加剂包括:组分A和组分B,所述组分A包括枯草芽孢杆菌HDReM20、酿酒酵母、乳酸菌和地衣芽孢杆菌HDReM33的发酵产物,所述枯草芽孢杆菌HDReM20于2019年12月25日保藏于中国典型培养物保藏中心,保藏号为CCTCC NO:M20191104;所述地衣芽孢杆菌HDReM33于2019年12月25日保藏于中国典型培养物保藏中心,保藏号为CCTCC NO:M20191105;所述组分B包括枯草芽孢杆菌HDReM20、地衣芽孢杆菌HDReM33、凝结芽孢杆菌和乳酸菌。该复合饲料添加剂对水体修复的效率高,有利于工业化生产和规模化应用。该制备方法能够简单快速制得该复合饲料添加剂。
  • 一种复合饲料添加剂及其制备方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202210577919.1在审
  • 林士尧;李筱雯;蔡雅怡;张书维;林志翰;古淑瑗 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-05-25 - 2022-10-04 - H01L29/06
  • 一种半导体装置,包括在基底上设置一隔离区域。多个通道自基底延伸并穿过隔离区域,此些通道包括一有源通道和一非有源通道。一虚置鳍部设置在隔离区域上且位于有源通道和非有源通道之间。一有源栅极设置在有源通道和非有源通道的上方且接触隔离区域。一介电材料延伸穿过有源栅极并接触虚置鳍部的顶部。此非有源通道是一最接近介电材料的非有源通道。此有源通道的长轴在第一方向上延伸。此有源栅极的长轴在第二方向上延伸。此有源通道从基底沿着第三方向延伸。介电材料更靠近非有源通道而不是更靠近有源通道。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210237058.2在审
  • 林士尧;李筱雯;郭力榕;陈振平;张铭庆 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-03-11 - 2022-08-30 - H01L21/8234
  • 本公开提出一种半导体装置。第一区中的半导体装置包括隔有第一距离的第一非平面半导体结构;以及第一隔离区,包含第一层与第二层且一起埋置每一第一非平面半导体结构的下侧部分。第一隔离区的第一层与第二层的至少一者为固化态。第二区中的半导体装置包括隔有第二距离的第二非平面半导体结构;以及第二隔离区,包含第一层与第二层且一起埋置每一第二非平面半导体结构的下侧部分。第二隔离区的第一层与第二层的至少一者为固化态。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210342934.8在审
  • 林士尧;李筱雯;林志翰 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-03-31 - 2022-08-30 - H01L29/78
  • 本公开提出一种半导体装置。半导体装置的形成方法可为分别形成第一鳍状物与第二鳍状物于基板的第一区与第二区中;接着可形成第一虚置栅极结构与第二虚置栅极结构以分别越过第一鳍状物与第二鳍状物;以及形成牺牲层,其沿着第二虚置栅极结构的底部延伸。可将第一虚置栅极结构置换成第一金属栅极结构,并可将第二虚置栅极结构与牺牲层置换成第二金属栅极结构。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210306037.1在审
  • 林士尧;李筱雯;郑宇珊;张铭庆 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-03-25 - 2022-08-05 - H01L29/78
  • 一种半导体装置,包括通道结构,其沿着第一横向方向延伸并置于基底的上方。半导体装置包括栅极结构,其沿着正交于第一横向方向的第二横向方向延伸并跨立于通道结构。半导体装置包括外延结构,其耦接于通道结构并相邻于栅极结构而设置。半导体装置包括第一间隔物与第二间隔物,各包括沿着第一横向方向置于栅极结构与外延结构之间的第一部分。半导体装置包括气隙,其介于第一栅极间隔物的第一部分与第二栅极间隔物的第一部分之间。气隙暴露出第一栅极间隔物在第一横向方向延伸的第二部分。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210237048.9在审
  • 林士尧;冯玠宁;李筱雯;陈昭成 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-03-11 - 2022-07-29 - H01L21/8234
  • 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括介电鳍状物,在第一半导体通道与第二半导体通道之间。半导体装置包括第一栅极结构。第一栅极结构包括第一部分与第二部分,其通过介电鳍状物而彼此分离。半导体装置包括第一栅极间隔物,其沿着第一栅极结构的第一部分的侧壁延伸。半导体装置包括第二栅极间隔物,其沿着第一栅极结构的第二部分的侧壁延伸。第一栅极间隔物或第二栅极间隔物的至少一个包括具有第一厚度的第一部分以及具有第二厚度的第二部分,第二厚度小于第一厚度,且其中第一部分比第二部分还要靠近介电鳍状物。
  • 半导体装置

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