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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202211622714.7在审
发明人：安智薰;李珍秀;蔡弘植;韩东旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；电容器接触结构，电连接到基底；以及下电极，连接到电容器接触结构。下电极包括第一电极层和第二电极层，第二电极层在第一电极层上，并且第一电极层包括14族元素。所述半导体装置包括：电容器绝缘层，覆盖下电极；以及上电极，覆盖电容器绝缘层。第一电极层包括与电容器绝缘层接触的外侧壁，第一电极层包括与第二电极层接触的内侧壁，并且第一电极层的内侧壁中的14族元素的浓度高于第一电极层的外侧壁中的14族元素的浓度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202211221574.2在审
发明人：姜埈求;李珍秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：下结构；下电极，在下结构上；介电层，在下电极上；以及上电极，在介电层上，其中，下电极包括弯曲减小层和在弯曲减小层与介电层之间的介电常数增大层，介电常数增大层被构造为增大介电层的介电常数，并且弯曲减小层的弹性模量大于介电常数增大层的弹性模量。
半导体装置

[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法-CN201910342749.7有效
发明人：姜埈求;姜相列;金润洙;李珍秀;丁炯硕;曹圭镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成初级下电极层，该初级下电极层包括铌氧化物；通过在初级下电极层上执行氮化工艺，将初级下电极层的至少一部分转换成包括铌氮化物的第一下电极层；在第一下电极层上形成电介质层；以及在电介质层上形成上电极。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202310045236.6在审
发明人：蔡弘植;金泰均;李珍秀;林义郞;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：衬底；接触插塞，其位于衬底上；下电极，其电连接到接触插塞，并且包括顺序地堆叠的第一电极层、第一缓冲层和第二电极层；第一支撑层，其与下电极的上表面接触并且被设置为与下电极的至少一部分重叠，第一支撑层在平行于衬底的上表面的方向上延伸；电介质层，其设置在下电极和第一支撑层上；以及上电极，其设置在电介质层上。下电极包括：第一区域，其与第一支撑层重叠并且具有第一高度；以及第二区域，其不与第一支撑层重叠，并且具有低于第一高度的第二高度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210978573.6在审
发明人：赵基熙;安相赫;李炫锡;姜埈求;李珍秀;蔡弘植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：底电极，位于基底上；支撑图案，位于底电极与相邻底电极之间；顶电极，覆盖底电极和支撑图案；以及介电层，位于底电极与顶电极之间，并且位于支撑图案与顶电极之间。底电极可以包括包含缝隙的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第二部分的顶端可以设置在比支撑图案的上表面低的高度处，并且第二部分的底端的一部分可以暴露于缝隙。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202211309072.5在审
发明人：蔡弘植;金泰均;李珍秀;闵孝善;丁炯硕;崔在亨;韩东旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：提供一种半导体器件。所述半导体器件包括基底上的底部电极。在平面图中，支撑图案设置在底部电极之间。顶部电极覆盖底部电极和支撑图案。介电层设置在底部电极与顶部电极之间以及支撑图案与顶部电极之间。盖图案插置在底部电极与介电层之间以及支撑图案与介电层之间。盖图案覆盖支撑图案的侧表面的至少一部分，并且延伸以覆盖支撑图案的顶表面和底部电极的顶表面。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202111105617.6在审
发明人： 李珍秀;蔡弘植;金润洙;金泰均;曹仑廷 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：多个半导体图案，在第一方向上间隔开；多个模制绝缘层，在所述多个半导体图案之间；多个硅化物图案，接触所述多个半导体图案；以及多个第一金属导电膜，在所述多个模制绝缘层之间并连接到相应的硅化物图案，其中每个硅化物图案包括面对半导体图案的第一侧壁和面对第一金属导电膜的第二侧壁，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁在第一方向上延伸，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁是弯曲表面。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110837411.6在审
发明人：赵基熙;姜相列;姜埈求;金泰均;朴志云;安相赫;李珍秀;李炫锡;蔡弘植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：半导体衬底上的多个下电极；支承图案，其在下电极的侧部连接下电极；以及电介质层，其覆盖下电极和支承图案，其中：每一个下电极包括：支柱部分，其在垂直于半导体衬底的顶表面的竖直方向上延伸；以及突起，其从支柱部分的侧壁突出，以接触支承图案，支柱部分包括导电材料，突起与支柱部分包括相同的导电材料，并且进一步掺有杂质。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202110842247.8在审
发明人：姜埈求;安相赫;姜相列;李珍秀;李炫锡;赵基熙;蔡弘植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；第一支撑图案和第二支撑图案，在第一方向上依次堆叠在衬底上并与衬底的上表面间隔开；下电极孔，在衬底上沿第一方向延伸穿过第一支撑图案和第二支撑图案；界面膜，在下电极孔的侧壁和底表面上；下电极，在下电极孔的内部在界面膜上；电容器电介质膜，与界面膜的侧壁、界面膜的最上表面和下电极的最上表面物理接触，界面膜的最上表面形成在与第二支撑图案的上表面相同的平面上。
半导体器件

[发明专利]一种建筑物的震动式滑移施工设备及使用方法-CN202110666398.2在审
发明人： 李珍秀 -专利权人： 李珍秀
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B28C5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种建筑物的震动式滑移施工设备及使用方法，涉及建筑施工技术领域，解决了目前使用的施工设备在搅拌混凝土的过程中不具备通过从动的方式对搅拌筒外壳敲击震动的功能的问题。一种建筑物的震动式滑移施工设备及使用方法，包括装配座；所述装配座的顶部后侧固定设置有后旋转架；所述装配座的顶部后侧固定设置有导流器；所述装配座的顶部前侧固定设置有前旋转架；所述前旋转架的顶部固定设置有主水箱；所述前旋转架的中间后侧倾斜旋转设置有搅拌筒；通过设置有齿圈和联动轴，能够将搅拌筒的旋转传动向外延伸，提供从动震动功能，将混凝土装入搅拌筒内，通过电机带动搅拌筒旋转，搅拌筒通过旋转将混凝土进行搅拌，避免混凝土凝结。
一种建筑物震动滑移施工设备使用方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110577222.X在审
发明人：朴志云;李珍秀;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在基板上形成三维(3D)结构；形成吸附控制层以覆盖3D结构的上部分；以及在吸附控制层上和在3D结构的没有被吸附控制层覆盖的下部分上形成材料层，其中在吸附控制层上的材料层的最小厚度小于在3D结构的下部分上的材料层的最大厚度。
制造半导体器件方法

[发明专利]一种建筑施工场地的喷洒防尘施工设备及使用方法-CN202110666397.8在审
发明人： 李珍秀 -专利权人： 李珍秀
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： E01H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种建筑施工场地的喷洒防尘施工设备及使用方法，涉及建筑施工技术领域，解决了目前使用的除尘设备效果单一，不具备根据需要选择喷洒方式的双重防尘功能的问题。一种建筑施工场地的喷洒防尘施工设备及使用方法，包括水箱；所述水箱的后侧一体式设置有操作台，水箱的前侧底部一体式设置有牵引架，水箱的四周设置有轮体；所述水箱的顶部固定设置有顶板，顶板中设置有注水口，通过设置有动力输入装置和电机，为设备提供了根据使用方式选择动力输入的双重动力选择功能，增加了设备的适用性。
一种建筑施工场地喷洒防尘设备使用方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201910383561.7在审
发明人：朴志云;李珍秀;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在基板上形成三维(3D)结构；形成吸附控制层以覆盖3D结构的上部分；以及在吸附控制层上和在3D结构的没有被吸附控制层覆盖的下部分上形成材料层，其中在吸附控制层上的材料层的最小厚度小于在3D结构的下部分上的材料层的最大厚度。
制造半导体器件方法

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