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[发明专利]存储器装置中的双单层级单元编程-CN202310105415.4在审
发明人： T·O·伊瓦萨基;E·N·李;李濬 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置中的双单层级单元编程。存储器装置中的控制逻辑使通过电压施加到所述存储器装置的存储器阵列的块的多个字线，所述块包括多个子块，且所述通过电压将所述多个子块中的每一个的通道电位升压到升压电压。所述控制逻辑进一步根据表示待编程到所述多个子块的相应存储器单元的位序列的数据模式从所述多个子块中的一或多个选择性地对所述升压电压进行放电。另外，控制逻辑使单个编程脉冲施加到所述块的所述多个字线中的所选择字线以根据所述数据模式对所述多个子块的相应存储器单元进行编程。
存储器装置中的层级单元编程

[发明专利]电压调节-CN202210962471.5在审
发明人：许帅;M·皮卡尔迪;李濬 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H02M3/139 文献下载
摘要：本应用的实施例涉及电压调节。集成电路装置可包含：电压调节器，其包括输入和输出，选择性激活的电流路径，其连接在所述输入与所述输出之间，以及控制器，其被配置成致使所述集成电路装置：在所述输入的电压电平具有第一电压电平时，通过所述电流路径将所述输出连接到所述输入，维持所述输出和所述输入通过所述电流路径的所述连接，直到所述输入的所述电压电平具有高于所述第一电压电平的第二电压电平为止，在所述输入的所述电压电平具有所述第二电压电平之后，通过所述电流路径将所述输出与所述输入隔离，以及在所述输出通过所述电流路径与所述输入隔离时，调节所述输出的电压电平。
电压调节

[发明专利]存储器装置中的独立平面架构-CN202210991987.2在审
发明人： A·G·艾克斯欧塔;D·斯里尼瓦桑;A·摩哈马萨德;K·舒;G·L·里佐;辉俊胜;M·皮卡尔迪;T·瓦利;U·西奇利亚尼;R·马希加;李濬;A·S·叶;D·J·哈伯德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本公开涉及存储器装置中的独立平面架构。存储器装置包含存储器阵列，存储器阵列包括多个存储器平面，其中多个存储器平面以多个独立平面群组布置，并且其中多个独立平面群组中的每一者包括多个存储器平面中的一或多者。存储器装置进一步包含耦合到存储器阵列的多个独立模拟驱动器电路，其中多个独立模拟驱动器电路中的相应一者与多个独立平面群组中的相应一者相关联。存储器装置进一步包含耦合到存储器阵列的共同模拟电路，其中共同模拟电路由多个独立模拟驱动器电路和多个独立平面群组共享。存储器装置进一步包含多个控制逻辑元件，其中多个控制逻辑元件中的相应一者与多个独立模拟驱动器电路中的相应一者和多个独立平面群组中的相应一者相关联。
存储器装置中的独立平面架构

[发明专利]安装在面膜上的装置以及包括该装置的面膜和成套工具-CN201780005802.3有效
发明人：张明勋;李濬;姜成求;丁敏雄;李知炫 -专利权人：生物传感器硏究所
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： A61N1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种安装在面膜上的装置，以及包含其的面膜和成套工具。根据一个方面，安装在面膜上的装置和包括其的面膜具有以下效果：面膜很好地附着在诸如皮肤之类的应用该面膜的部分上；改善了生物活性材料穿过皮肤的递送；并且通过具有电极的装置防止了在将生物活性物质递送给皮肤期间可能发生的瘙痒、疼痛、灼伤感和红斑。
安装面膜装置以及包括成套工具

[发明专利]三维存储器结构中的电容器-CN202111004315.X在审
发明人：郭晓江;N·考希克;许帅;李濬 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：本申请涉及三维存储器结构中的电容器。存储器装置可使用阵列下电路CUA架构以三维布置构造。这种存储器装置的存储器阵列可包含以竖直布置的层次安置的存储器单元。在所述存储器阵列在衬底之上延伸的情况下，所述存储器阵列下的CUA区可包含用于所述存储器阵列的控制电路系统。邻近所述存储器阵列且安置在所述CUA区上方的空间可包含介电材料和导电结构，其中所述导电结构在所述介电材料中且在所述存储器阵列旁边竖直地延伸。由所述介电材料分离的所述导电结构可用作耦合在节点之间的电容器，其中所述节点配置成提供不同电压。这一电容器可耦合到所述存储器阵列的层级下方的电路或连接节点。
三维存储器结构中的电容器

[发明专利]最佳读取参考电压的存储器系统及其操作方法-CN201710682238.0有效
发明人：熊晨荣;张帆;蔡宇;金炯锡;李濬;大卫·皮尼亚泰利 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统的设备及其操作方法，该存储器系统的设备包括：多个存储器装置；以及控制器，其与多个存储器装置联接，且其被配置成确定具有多个读取参考电压的读取参考电压的范围，该读取参考电压实现最小的rBER；至少根据读取参考电压的范围计算最佳读取参考电压；至少根据最佳读取参考电压实现rBER；并且至少利用最佳读取参考电压执行错误校正进程。
最佳读取参考电压存储器系统及其操作方法

[发明专利]用于递送药物的离子电渗设备及其制造方法-CN201680077969.6有效
发明人：张明勋;李濬;宋周炫;姜成求;丁敏雄;李知炫 -专利权人：生物传感器硏究所
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于递送药物的离子电渗设备、其制造方法、包含其的成套工具和使用其递送药物的方法。
用于递送药物离子设备及其制造方法

[发明专利]3D NAND闪存的存储器系统及其操作方法-CN201710967206.5有效
发明人：蔡宇;李海波;张帆;李濬 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统的设备及其操作方法，其中存储器系统的设备包括：存储块，每个存储块包括串，每个串具有闪存单元及其上的选择栅，其中在每个存储块中的具有相同索引号的串的每个的选择栅彼此连接，在每个存储块中，串被划分成组，每个组包括至少一个串，并且每个组具有其自身的读取计数管理。
nand 闪存存储器系统及其操作方法

[发明专利]固态储存系统中的读取阈值校准-CN201510765427.5有效
发明人：张帆;李濬 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种固态储存系统中的读取阈值校准方法包括：测量固态储存元件的阈值电压分布；确定阈值电压；根据确定的阈值电压来解码数据；当解码失败时，用预定滤波器长度来对固态储存元件的阈值电压分布滤波；改变滤波器长度；以及用改变后的滤波器长度来重复确定步骤、解码步骤、滤波步骤和改变步骤，直到解码成功为止。
固态储存系统中的读取阈值校准

[发明专利]存储器装置、其存储数据的方法以及其控制器-CN201710686811.5有效
发明人：张帆;熊晨荣;蔡宇;哈曼·巴蒂亚;金炯锡;李濬 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器装置，其包括具有用于存储数据的多个存储器单元的存储器。存储器装置包括通信地联接至存储器并被配置成将数据整理成多个条带的控制器。多个条带中的每个单独条带包括多个数据组，多个数据组中的每个利用多个存储器单元的子集存储在存储器中。单独条带的条带长度(数据组的数量)通过控制器基于检测与多个数据组中的一个或多个数据组相关联的条件来确定。针对单独条带中的每个的多个数据组中的至少一个数据组包括用于校正与针对单独条带的多个存储器单元的子集相关联的位错误的奇偶校验数据。
存储器装置存储数据方法及其控制器

[发明专利]用于快闪存储器的增量LLR产生-CN201610154520.7有效
发明人：张帆;大卫·J.·皮尼亚泰利;李濬 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：用于对储存在存储器上的信息解码的方法可以包括：以初始阈值执行硬读取以及确定第一分布百分率；以后续阈值执行硬读取以及确定第二分布百分率；基于以初始阈值和后续阈值执行的硬读取以及基于第一分布百分率和第二分布百分率，来产生最小似然比(LLR)；以及基于产生的LLR对信息软解码。
用于闪存增量 llr 产生

[发明专利]用于闪速存储器的增量阶跃脉冲编程的自适应方法-CN201610928851.1有效
发明人：李濬;张延 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：根据一种用于闪速存储器的自适应编程方法，单元编程速度通过使用固定的试验编程电压编程多个单元来检测。然后，基于检测到的单元编程速度来调节开始编程电压Vstart。然后，使用Vstart的调节值来执行ISPP。
用于存储器增量阶跃脉冲编程自适应方法

[发明专利]非易失性存储器中的选择性数据再循环-CN201610954790.6有效
发明人：蔡宇;张帆;李海波;李濬 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及将N级单元的闪速存储块分类为子块的方法。N级单元可以存储N位数据。在一些实施例中，子块可以表示N级单元中的每个的一位。子块可在错误校正进程中被选择性地收回，诸如读取干扰收回和保留刷新。所描述的方法可以提供减小写入放大的优点。
非易失性存储器中的选择性数据再循环

[发明专利]自适应读取干扰收回策略-CN201610320204.2有效
发明人：蔡宇;张帆;李濬;李海波 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器系统，其可包括：存储器，其包括多个存储块；以及控制器，其适于当多个块中的块被读取时使对应于该块的第一计数器增值，当第一计数器达到预先定义的计数数量时使第二计数器增值，当第二计数器被增值时确定该块的错误计数以及当错误计数超过错误阈值时启动收回功能。
自适应读取干扰收回策略

[发明专利]带有含双寄存器的页面缓冲器的存储器件及其使用方法-CN03127734.9无效
发明人：权五锡;任兴洙;李濬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-08-08 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明描述了一种非易失性存储器件，及其编程方法和设备，它们包括含有第一和第二数据寄存器或锁存器的可操作耦合第一和第二读出放大器、存储第二放大器的数据的存储电路、检验第二数据寄存器的内容，判断存储器件的单元是否已经得到充分编程的有效/无效检验电路、和为了重新编程器件而复位第二数据寄存器，直到得到充分编程为止的恢复电路。
带有寄存器页面缓冲器存储器件及其使用方法

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