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[发明专利]用以处理半导体装置阵列的方法-CN201910427527.5有效
发明人：陈立宜;张佩瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种用以处理半导体装置阵列的方法，该方法包含：将半导体装置阵列设置于接收基板上，其中半导体装置阵列具有至少一个故障部分；以及修理半导体装置阵列内的故障部分，其中修理半导体装置阵列内的故障部分包含下面两者的至少一个：当故障部分包含至少一个空缺时以至少一个补丁半导体装置修补半导体装置阵列内的空缺，以及当故障部分包含至少一个损毁半导体装置时以至少一个修复半导体装置修复半导体装置阵列内的损毁半导体装置。借此，当微型装置分别被转移至接收基板的像素时，有瑕疵的微型装置不会被转移至接收基板且也不会占据接收基板的对应像素的空间。
用以处理半导体装置阵列方法

[发明专利]半导体结构的转移方法-CN201710701036.6有效
发明人：陈立宜;李欣薇;林师勤 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构的转移方法，包含以下步骤。首先，在承载基板上涂布粘着层。接着，在粘着层上设置半导体结构，其中粘着层在配置之后包含粘着剂成分及界面活性剂成分。半导体结构包含主体及底部电极，底部电极在设置后位于主体及粘着层之间。然后，朝粘着层照射至少一个电磁波，以降低粘着层对半导体结构的粘着力，但仍维持该半导体结构于该粘着层上的位置在可控制的范围内。其中承载基板、半导体结构及底部电极在紫外线与红外线之间具有通带。最后，在粘着层的粘着力降低后，将半导体结构自粘着层转移至接收基板。本发明的半导体结构的转移方法通过照射电磁波以降低粘着层的粘着力，使转移更容易。
半导体结构转移方法

[发明专利]发光二极管与其制作方法-CN201610867377.6有效
发明人：陈立宜;张珮瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管与其制作方法，该发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层、电流控制结构、第一电极及第二电极。第二型半导体层连接于第一型半导体层。电流控制结构连接于第一型半导体层，且在其内具有至少一个电流注入区域。第一电极通过电流控制结构的电流注入区域而电性连接至第一型半导体层。第二电极电性连接至第二型半导体层。通过电流注入区域限制第一型半导体层与第一电极之间的接触区域，使流入发光二极管的电流密度可获得提升。
发光二极管与其制作方法

[发明专利]用于转移的多个微型装置的制备方法-CN201710105802.2有效
发明人：陈立宜;张佩瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： F21K9/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于转移的中间结构以及转移的多个微型装置的制备方法，其中用于转移的多个微型装置的制备方法包含：将多个微型装置暂时地黏贴至承载基板上；测试承载基板上的多个微型装置，以决定多个微型装置中是否有至少一个第一损毁微型装置；以及从承载基板上移除第一损毁微型装置。借此，当微型装置分别被转移至接收基板的像素时，有瑕疵的微型装置不会被转移至接收基板且也不会占据接收基板的对应像素的空间。
用于转移中间结构以及微型装置制备方法

[发明专利]微型发光二极管装置-CN201610366113.2有效
发明人：陈立宜;林师勤;李欣薇;张珮瑜 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管装置，其包含接收基板以及微型发光二极管。微型发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层、电流控制层、至少一个反射层以及至少一个第一电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。电流控制层与第一型半导体层以及第二型半导体层其中一个连接，且具有至少一个开口。至少一个反射层电性耦接第一型半导体层。至少一个第一电极设置于反射层的表面上，其中该表面朝向接收基板。第一电极与接收基板形成粘着接合系统。借此，本发明的微型发光二极管装置，反射层具有高于接合层所形成的粘着接合系统的接合温度的熔点。经由适当的条件例如温度与压力，可将微型发光二极管接合至基板的特定区域。
微型发光二极管装置

[发明专利]发光元件及其操作方法-CN201811133091.0在审
发明人：陈立宜;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明是关于一种发光元件，其包含第一型半导体层、第二型半导体层、多个第一电极以及第二电极。第一型半导体层包含多个低阻值部分以及高阻值部分。低阻值部分由高阻值部分彼此分隔开，且第一型半导体层的电阻值由低阻值部分往高阻值部分增加。第二型半导体层连接第一型半导体层。多个第一电极电性连接至低阻值部分，其中第一电极彼此电性隔绝。第二电极电性连接至第二型半导体层。上述配置使得微型发光二极管的亮度能够更轻易的被控制。
第一型半导体层第二型半导体层第一电极第二电极电性连接发光元件微型发光二极管彼此电性电阻分隔配置

[发明专利]发光二极管和其制造方法-CN201810895221.8在审
发明人：陈立宜;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管和其制造方法。发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层以及主动层。第一型半导体层包含低阻值部分和高阻值部分。低阻值部分通过高阻值部分与第一型半导体层的至少一个边缘分开。第一型半导体层的电阻率自低阻值部分向高阻值部分增加。主动层设置在第一型半导体层和第二型半导体层之间。主动层具有第一区域和第二区域，第一区域的穿透位错密度大于第二区域的穿透位错密度，且低阻值部分在主动层上的垂直投影与第二区域至少部分重叠。低阻值部分和高阻值部分的组合可限制电流进入主动层的区域，使得主动层的发光区域内的电流密度增加，并因此增进发光二极管的操作稳定性和效率。
主动层第一型半导体层发光二极管第二区域第二型半导体层穿透位错第一区域操作稳定性垂直投影发光区域限制电流电阻率制造

[发明专利]微型发光二极管-CN201610095115.2有效
发明人：陈立宜;张珮瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层、第二型半导体层、第一电流控制层、第一电极以及第二电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。第一电流控制层连接第一型半导体层，第一电流控制层具有至少一个开口于其内。第一电极电性耦接第一型半导体层。第二电极电性耦接第二型半导体层，其中第一电极与第二电极中的至少一个具有透光部分，且第一电流控制层在第一电极与第二电极中的前述至少一个上的垂直投影与透光部分重叠，其中透光部分为透明的或半透明的。借此，本发明的微型发光二极管，具有较小的发光区域，因此可继续缩小微型发光二极管的发光面积，同时维持微型发光二极管的尺寸。
微型发光二极管

[发明专利]转置头阵列与微元件的转移方法-CN201610375924.9有效
发明人：陈立宜;张珮瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种转置头阵列与微元件的转移方法，所述转置头阵列包含本体以及多个转置头。此本体具有基底部与设置于基底部上的墙垣部。墙垣部定义本体上的多个凹槽，且墙垣部具有顶面。墙垣部的顶面具有多个提取区域，凹槽被墙垣部隔开。转置头分别设置于提取区域上。转置头阵列的凹槽用以在转置头上的第一微元件接触接收基板时，容置位于接收基板上的其他凸出的对象，以避免这些对象造成干扰。
转置头阵列元件转移方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201711346309.6在审
发明人：陈立宜;张珮瑜;李欣薇;张俊仪;林师勤 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管制造方法，包含以下多个步骤。形成第一型半导体层。在第一型半导体层上形成第二型半导体层。掺杂杂质进入第二型半导体层的第一部位中。其中在掺杂后，存在于第二型半导体层的第一部位中的杂质的浓度大于第二型半导体层的第二部位的杂质的浓度，使得第二型半导体层的第一部位的电阻率大于第二型半导体层的第二部位的电阻率。第二部位以及第一部位的组合可以限制电流进入第一型半导体层以及第二型半导体层之间的主动层的区域，增强主动层的发光区中的电流密度，从而增进发光二极管的运行稳定性及效率。
第二型半导体层发光二极管第一型半导体层电阻率主动层制造运行稳定性掺杂杂质限制电流发光区掺杂

[发明专利]微型发光二极管-CN201610133692.6有效
发明人：陈立宜;张佩瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层、第二型半导体层、第一边缘隔离结构、第一电极以及第二电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。第一边缘隔离结构连接第一型半导体层。第一电极电性耦接第一型半导体层。第一型半导体层的边缘在第一电极上的垂直投影的至少一部分与第一电极重叠。第一边缘隔离结构位于第一型半导体层的至少一部分上。第二电极电性耦接第二型半导体层。第一电极与第二电极中的至少一个为至少部分是透明的。借此，本发明的微型发光二极管，可减少发生在微型发光二极管的侧表面的非辐射复合，从而增加微型发光二极管的效率。并且，微型发光二极管的漏电流可被减少，有助于微型发光二极管继续微型化。
微型发光二极管第一型半导体层第一电极第二型半导体层第二电极隔离结构电性耦接非辐射复合微型化垂直投影侧表面漏电流透明的

[发明专利]发光二极管与其制作方法-CN201610789116.7有效
发明人：陈立宜;张佩瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管与其制作方法，该发光二极管包含第一型半导体层、主动层、第二型半导体层以及至少一个电流控制结构。第一型半导体层具有第一区及第二区。第一区具有第一穿透位错密度。第二区具有第二穿透位错密度。第一穿透位错密度大于第二穿透位错密度。主动层连接于第一型半导体层。第二型半导体层连接于主动层。电流控制结构连接于第一型半导体层及第二型半导体层的其中至少一个。电流控制结构具有至少一个电流注入区域。第二区在电流控制结构的垂直投影与电流注入区域至少部分重叠。因此，主动层对应第二区处，是以较小的穿透位错密度形成，故可改善发光二极管的发光效率。
穿透位错第一型半导体层电流控制结构发光二极管主动层第二型半导体层电流注入区域第一区垂直投影发光效率制作

[发明专利]过渡性发光二极管以及制造发光二极管的方法-CN201610298440.9在审
发明人：陈立宜;林师勤;李欣薇;张珮瑜 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡性发光二极管以及制造发光二极管的方法。制造发光二极管的方法包含在生长基板上磊晶成长至少一个发光二极管结构；在发光二极管结构上形成至少一个支撑层；通过粘着层，暂时性将支撑层与载体基板粘合，其中支撑层具有高于粘着层的杨氏系数；以及从发光二极管结构上移除生长基板。借此，本发明的制造发光二极管的方法，可以防止发光二极管结构遭受破坏与裂损。
过渡性发光二极管以及制造方法

[发明专利]微型发光二极管-CN201510824610.8无效
发明人：陈立宜;张珮瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层、第二型半导体层、第一边缘隔离结构、第一电极以及第二电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。第一边缘隔离结构连接第一型半导体层。第一电极电性耦接第一型半导体层。第一型半导体层的边缘在第一电极上的垂直投影的至少一部分与第一电极重叠。第一边缘隔离结构位于第一型半导体层的至少一部分上。第二电极电性耦接第二型半导体层。第一电极与第二电极中的至少一个为至少部分是透明的。借此，本发明的微型发光二极管，可减少发生在微型发光二极管的侧表面的非辐射复合，从而增加微型发光二极管的效率。并且，微型发光二极管的漏电流可被减少，有助于微型发光二极管继续微型化。
微型发光二极管

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