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[发明专利]用于具有改进的斥水性的膜电极组件的电极及其制造方法-CN202210573745.1在审
发明人：辪琇元;赵润焕;李柱泳 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚株式会社
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01M8/1004 文献下载
摘要：本发明公开一种用于膜电极组件的电极及其制造方法，该方法包括：制备包含具有附着到侧链末端的亲水基团的离聚物的分散溶液；将金属盐添加到所述分散溶液中以制造混合物；将催化剂添加到所述混合物中以制造催化剂浆料；对所述催化剂浆料进行热处理；利用酸对经过热处理的催化剂浆料进行处理；以及涂覆所得材料以制造所述电极。根据本发明，通过控制离聚物的亲水基团和疏水部分的排列，使离聚物的亲水基团和疏水部分与催化剂结合。
用于具有改进水性电极组件及其制造方法

[发明专利]吡咯并苯并二氮杂二聚物前体及其配体-连接体缀合化合物-CN201880003365.6有效
发明人：宋昊永;金星民;金炯来;朴庆恩;郑哲雄;朴允姬;崔孝汀;李受璘;白周烈;李炫政;李柱泳;吴智惠;蔡济旭;吴英秀;金容柱 -专利权人：乐高化学生物科学股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明涉及吡咯并苯并二氮杂前体及其配体‑连接体缀合化合物、包含其的组合物以及尤其作为抗癌剂的治疗应用，化合物本身的稳定性及血浆中稳定性优秀，在毒性表达方面具有优点，可对诸如癌之类的增殖性疾病进行靶向化、特异性治疗、药效最大化以及副作用表达最小化，因此可在产业上利用。
吡咯二氮杂二聚物前体及其连接体缀合化合物

[发明专利]包含具有tris结构的连接子的配体-药物偶联物-CN202080029243.1在审
发明人：宋昊永;朴允姬;蔡尚恩;白周烈;朴庆恩;李柱泳;李受璘;蔡济旭;李昌宣;金容柱 -专利权人：乐高化学生物科学股份有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： A61K47/54 文献下载
摘要：本发明涉及配体‑药物偶联物，包含配体；连接子，通过共价键与上述配体连接，包含由特定结构式表示的Tris结构；以及活性剂，通过共价键与上述连接子连接，上述配体‑药物偶联物通过连接子的tris结构与活性剂结合，来可通过一个连接子与更多的活性剂连接，由此，每个抗体结合的更多的活性剂可传递至靶细胞，药物和/或毒素可稳定地到达至靶细胞来有效地发挥药效。
包含具有 tris 结构连接药物偶联物

[发明专利]包含抗人类ROR1抗体的抗体-药物结合物和其用途-CN202110805667.9在审
发明人：朴允姬;宋昊永;柳贤敏;金星民;白周烈;吴智惠;韩娜拉;金炯來;朴庆恩;李炫政;李柱泳;姜大赫;杨勇材;刘智娜;金容柱;李昌宣;蔡济旭;郑振元;金珠熙;李宝拉;宋大海;盛秉济;廉东勋 -专利权人：基石药业（苏州）有限公司;拓石药业（上海）有限公司;乐高化学生物科学股份有限公司;ABL生物公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： A61K47/68 文献下载
摘要：本发明申请案涉及包含抗人类ROR1抗体的抗体‑药物结合物和其用途。本发明涉及靶向ROR1的新型抗体‑药物结合物ADC；此类ADC的活性代谢物；制备此类ADC的方法；此类ADC在治疗和/或预防疾病中的用途；以及此类ADC在生产用于治疗和/或预防疾病、更确切地说与ROR1的过度表达相关的疾病，例如癌症的药物中的用途。更确切地说，本发明涉及一种包含结合到ROR1的抗体或其抗原结合片段的抗体‑药物结合物，和包含其的药物组合物。
包含人类 ror1 抗体药物结合用途

[发明专利]安全性得到提高的吡咯并苯并二氮杂二聚体化合物及其用途-CN202080008057.X在审
发明人：宋昊永;白周烈;金星民;金炯来;李炫政;李柱泳;李建重;朴允姬;朴昌植;吴桓熙;吴智惠;蔡济旭;金容柱;蔡尚恩;柳贤敏;韩娜蓏;崔敏智 -专利权人：乐高化学生物科学股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C07D519/00 文献下载
摘要：本发明涉及新型吡咯并苯并二氮杂二聚体化合物或其药学上可接受的盐、其配体‑药物缀合化合物、包含其的组合物以及其作为抗癌剂的治疗用途，本发明的吡咯并苯并二氮杂二聚体化合物在游离毒素(free toxin)形式的情况下，活性降低而呈现出显著减少毒性的效果，并且，当将配体‑药物缀合物作为药物应用并给药时，抗癌活性等同甚至优异于现有抗癌剂，治疗指数(therapeutic index)显著提高，因此，可以使对诸如癌症之类的增殖性疾病的靶向、特异性治疗、药效最大化并使副作用表达最小化，因此可在产业上非常有用。
安全性得到提高吡咯二氮杂二聚体化合物及其用途

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811514995.8有效
发明人：金真雅;金容宽;朴世根;李柱泳;高次元;李永澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底、字线、掺杂结、位线结构和埋式接触。所述衬底具有多个有源区。所述字线延伸跨越所述多个有源区。所述掺杂结具有杂质并且被布置在所述多个有源区，并且包括多个第一结和多个第二结，每个第一结被布置在所述多个有源区中的一个有源区的中心部，每个第二结被布置在所述多个有源区中的另一个有源区的端部，每个第二结中包括埋式半导体层。所述位线结构与所述多个第一结中的相应的第一结接触。所述埋式接触被布置成矩阵形状，每个埋式接触与所述多个第二结中的相应的一个第二结以及所包括的埋式半导体层接触，同时与用于存储数据的电荷存储器接触。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包含抗人类ROR1抗体的抗体-药物结合物和其用途-CN202010852078.1在审
发明人：朴允姬;宋昊永;柳贤敏;金星民;白周烈;吴智惠;韩娜拉;金炯來;朴庆恩;李炫政;李柱泳;姜大赫;杨勇材;刘智娜;金容柱;李昌宣;蔡济旭;郑振元;金珠熙;李宝拉;宋大海;盛秉济;廉东勋 -专利权人：乐高化学生物科学股份有限公司;ABL生物公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： A61K47/68 文献下载
摘要：本发明申请案涉及包含抗人类ROR1抗体的抗体‑药物结合物和其用途。本发明涉及靶向ROR1的新型抗体‑药物结合物ADC；此类ADC的活性代谢物；制备此类ADC的方法；此类ADC在治疗和/或预防疾病中的用途；以及此类ADC在生产用于治疗和/或预防疾病、更确切地说与ROR1的过度表达相关的疾病，例如癌症的药物中的用途。更确切地说，本发明涉及一种包含结合到ROR1的抗体或其抗原结合片段的抗体‑药物结合物，和包含其的药物组合物。
包含人类 ror1 抗体药物结合用途

[发明专利]包含抗人DLK1抗体的抗体-药物偶联物及其用途-CN202080001611.1在审
发明人：朴昌植;崔敏智;张太翼;朴允姬;宋昊永;白周烈;金星民;李炫政;李柱泳;金炯來;李建重;金容柱;李昌宣;蔡济旭;李相弼;申智英;尹善河;崔允瑄;朴哉垠;李智秀;朴范灿;朴荣佑 -专利权人：乐高化学生物科学股份有限公司;Y生物股份有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： A61K47/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种以DLK1为靶向的新颖的抗体‑药物偶联物(antibody‑drug conjugate，ADC)、所述ADC的活性代谢物、所述ADC的制造方法、用以治疗及/或预防疾病的所述ADC的用途、以及用以生产治疗及/或预防疾病的药剂的所述ADC的用途，所述疾病更详细而言为增殖及/或血管新生疾病，例如为癌症，更具体而言，涉及一种包含与DLK1结合的抗体或所述抗体的抗原结合片段的抗体‑药物偶联物、及包含所述抗体‑药物偶联物的药学组合物。
包含 dlk1 抗体药物偶联物及其用途

[发明专利]膜-电极组件的包括电子绝缘层的电解质膜及其制备方法-CN201911197200.X在审
发明人：金柄秀;金容民;柳厦英;崔镇怡;朴洙安;李柱泳;金正翊;金民暻 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01M8/1018 文献下载
摘要：本发明涉及膜‑电极组件的包括电子绝缘层的电解质膜及其制备方法，所述电子绝缘层极大地改进电解质膜的耐久性。所述电解质膜包括离子交换层以及设置在离子交换层上的电子绝缘层，所述电子绝缘层包括一种或更多种催化剂复合物和第二离聚物。具体地，一种或更多种催化剂复合物中的每一种包括催化剂颗粒和涂覆在催化剂颗粒的整个或部分表面上的第一离聚物，并且一种或更多种催化剂复合物分散在第二离聚物中。
电极组件包括电子绝缘电解质膜及其制备方法

[发明专利]离子交换膜连续制备装置-CN201610024219.4有效
发明人：文昇铉;李柱泳;李柱奕;尹盛炫 -专利权人：光州科学技术院
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明涉及对离子交换膜制备工艺引入电场的概念，使离子交换膜内部的离子通道沿一个方向偏转，从而提高离子导电率的技术，更具体而言，涉及一种偏转的离子通道缩短离子的移动距离以能够提高离子交换膜的离子导电性，且用于制备离子通道偏转的离子交换膜的卷对卷(roll‑to‑roll)式连续制备装置。
离子交换连续制备装置

[发明专利]用于制造电解质膜的设备和使用该设备制造电解质膜的方法-CN201811428665.7在审
发明人：金容民;李柱泳;柳厦英 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01M8/1069 文献下载
摘要：公开了一种用于制造电解质膜的设备和使用该设备制造电解质膜的方法，其可以通过电解质膜的受控干燥过程来防止电解质膜的变色。通过本发明的方法制造的电解质膜可以不变色，并且由于在制造期间电解质膜的均匀干燥，可以改善使用该电解质膜的燃料电池的性能和耐久性。例如，可以防止在干燥期间离聚物组合物中溶剂的竞争性同时蒸发。
电解质膜变色离聚物组合物制造均匀干燥燃料电池设备制造受控干燥溶剂蒸发

[发明专利]半导体器件-CN201811601969.9在审
发明人：金真雅;金容宽;朴世根;宋正宇;李柱泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：在衬底上的位线结构；间隔物结构，所述间隔物结构包括与所述位线结构的侧壁直接接触的第一间隔物、与所述第一间隔物的外侧壁的一部分直接接触的第二间隔物以及与所述第一间隔物的上部直接接触且覆盖所述第二间隔物的外侧壁和上表面的第三间隔物，所述第二间隔物包括空气；以及接触插塞结构，所述接触插塞结构在基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上延伸，并且至少在所述第二间隔物的底表面的高度和顶表面的高度之间的高度处直接接触所述第三间隔物的外侧壁。
间隔物半导体器件外侧壁间隔物结构接触插塞位线结构上表面衬底顶表面侧壁竖直垂直延伸覆盖

[发明专利]具有“金属上的电容器”结构的半导体器件的制造方法-CN97109795.X无效
发明人： 李柱泳;金奇南 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1997-04-28 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：具有“金属上的电容器”的半导体器件的形成方法，包括形成连接有源区的位线。用第一绝缘材料形成第一覆盖层。用不同刻蚀率的第二绝缘材料形成第一层间介质膜。用第三绝缘材料形成第二覆盖层。依次形成连接有源区的第一接触孔和用于局部互连的第二接触孔。淀积金属充填第一和第二接触孔形成栓和布线层。用第四绝缘材料只在周边电路区内形成第二层间绝缘膜，其刻蚀率与第三绝缘材料不同。形成存储电极、介质膜及平板电极。
具有金属电容器结构半导体器件制造方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN95106068.6无效
发明人： 李柱泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1995-05-12 - 公布日： 2002-10-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种带有形成在单元晶体管上方、下方的电容器的半导体存储器件，它包含形成在第一层面的第一和第二晶体管、与第一晶体管相连且形成在第一层面下方的第一存储电极、以及与第二晶体管相连且形成在第一层面上方的第二存储电极。第一和第二存储电极经由各个源区侧壁上形成的隔层连接到各源区，并在存储电极和晶体管之间形成一个切口，以获得二倍或更大的单元电容量、稳定的单元晶体管特性以及降低了的短沟道效应。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]具有覆埋位线元件的半导体器件及其制备方法-CN94113737.6无效
发明人： 李柱泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1994-10-31 - 公布日： 1999-09-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：覆埋数据线元件及其制备方法。该半导体器件包括具有多个在其内形成的相互隔离开的第一柱体，在第一柱体之间有隔离的第一槽，且在后者之下有与第一柱体相连的第二柱体，且在第二柱体之间有隔离的第二槽；在第一槽内形成的第一隔离绝缘层，它被栅极绝缘层和包围第一柱体的栅电极所隔离；具有在第一和第二柱体上沿纵向形成的第一和第二掺杂区的掺杂区和位于其间的沟道区；在第二槽的底部和第二槽的侧壁上形成的数位线，它连接掺杂区；在第一槽的底部和第二槽内形成的第二隔离绝缘层；被第一隔离绝缘层隔离的字线，它连接输出电极。
具有覆埋位线元件半导体器件及其制备方法

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