“李晶桓”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基板处理装置-CN202211075808.7在审
发明人：金台东;李晶桓;丁青焕;卢成镐;金颍俊 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及通过高压及低压执行基板处理的基板处理装置。本发明公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)，形成内部空间(S1)；基板支撑部(200)，在上面放置基板(1)；内盖部(300)，形成内部有所述基板支撑部(200)的密封的处理空间(S2)；气体供应部(400)，将工艺气体供应于所述处理空间(S2)；内盖驱动部(600)，驱动所述内盖部(300)的上下移动；填充部件(700)，设置在所述基板支撑部(200)与所述设置槽(130)的内面之间，以填充所述基板支撑部(200)与所述设置槽(130)的内面之间的空间中的至少一部分。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN202211101412.5在审
发明人：金台东;李晶桓;丁青焕;卢成镐;金颍俊 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及通过在高压与低压之间的变压执行基板处理的基板处理装置。本发明公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)，形成贯通孔(150)，并且形成内部空间(S1)；基板支撑部(200)，在上面放置基板(1)；气体供应部(400)，供应用于基板处理的工艺气体；排气部(500)，向外部排放通过气体供应部(400)供应的工艺气体；其中，腔室主体(110)形成有排气通道，排气通道形成在基板支撑轴(220)外周面与贯通孔(150)内侧面之间以与排气部(500)连通。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN202211075678.7在审
发明人：金台东;李晶桓;丁青焕;卢成镐;金颍俊;琴文哲;朴赞洙;金美淑;金龙基 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置，具体而言，涉及一种可在高压和低压之间转换从而执行基板处理的基板处理装置。本发明公开一种基板处理装置，其包括：工艺腔体(100)，基板支撑部(200),内部引线部(300)，以及内部引线驱动部(600)；其中上述内部引线部(300)包括：内部引线(310)；以及气体供应流路(320)。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN202211075810.4在审
发明人：卢成镐;李晶桓;丁青焕;金台东;金颍俊;琴文哲;朴赞洙;金美淑;金龙基 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及通过高压及低压执行基板处理的基板处理装置。本发明公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)，形成内部空间(S1)；基板支撑部(200)，在上面放置基板(1)；内盖部(300)，可上下移动地设置在所述内部空间(S1)，通过下降，一部分紧贴于所述工艺腔室(100)底面(120)，进而形成内部有所述基板支撑部(200)的密封的处理空间(S2)；气体供应部(400)，将工艺气体供应于所述处理空间(S2)；内盖驱动部(600)，驱动所述内盖部(300)的上下移动。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN202211075937.6在审
发明人：卢成镐;李晶桓;丁青焕;金台东;金颍俊;琴文哲;朴赞洙;金美淑;金龙基 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本说明涉及一种基板处理装置，具体而言，涉及一种通过低压和高压的变压转换而执行基板处理的基板处理装置。本发明公开一种基板处理装置，其包括：工艺腔体(100)，腔体主体(110)，基板支撑部(200)，内部引线部(300)，第一压力调节部(400)，第二压力调节部(500)，以及控制部。
处理装置

[发明专利]气体注入装置及包括其的基板处理装置-CN201711104240.6在审
发明人：李钟喆;申宰哲;郑珉和;郑淑真;崔釿奎;李晶桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了朝基板注入工艺气体的气体注入装置以及包括该气体注入装置的基板处理装置。该气体注入装置包括：基部；在基部上的第一气体注入部，第一气体注入部用于注入包括反应抑制官能团的第一气体；在基部上在一个方向上与第一气体注入部间隔开的第二气体注入部，第二气体注入部用于注入包括特定材料的前驱体的第二气体；以及在基部上在所述一个方向上与第二气体注入部间隔开的第三气体注入部，第三气体注入部用于注入与特定材料的前驱体反应的第三气体。
气体注入部气体注入装置基部基板处理装置前驱体反应抑制工艺气体基板

[发明专利]气体喷射装置和使用其的基底处理设备-CN201080038519.9有效
发明人： 李晶桓;朴又永;咸兑昊 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种气体喷射装置和使用其的基底处理设备。该气体喷射装置包括多个气体喷射单元，多个气体喷射单元布置在基底支承部件上方，基底支承部件以可旋转的方式布置在腔室内以支承多个基底，多个气体喷射单元相对于基底支承部件的中心点沿圆周方向布置以将处理气体喷射到基底上。其中，多个气体喷射单元中的每一个均包括：顶板，顶板中设置有构造成引入处理气体的入口；以及喷射板，喷射板布置在顶板下方以沿基底支承部件的半径方向在喷射板与顶板之间限定气体扩散空间，喷射板具有在气体扩散空间下方的多个气体喷射孔，以将经入口引入并在气体扩散空间内扩散的处理气体喷射到基底上。在多个气体喷射单元中的至少一个气体喷射单元中，处理气体在多个点引入气体扩散空间。
气体喷射装置使用基底处理设备

[发明专利]在晶圆上沉积薄膜的反应器-CN200880100169.7有效
发明人：韩昌熙;李昊荣;朴相俊;许真弼;安铁贤;李晶桓 -专利权人： IPS股份有限公司
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种沉积薄膜的装置。基板支撑单元可转动地安装于反应器内部并设有多个基板承载部分，其上分别承载多个基板。气体注入单元包括：多个源气体注入器，以提供至少二种不同的源气体至基板支撑单元上；多个冲洗气体注入器，设置于多个源气体注入器之间以提供冲洗各源气体的冲洗气体至基板支撑单元上，多个源气体注入器及多个冲洗气体注入器径向地安装在基板支撑单元上。排气单元呈环状围绕基板支撑单元的外周而设置且包括：排气通道，具有多个排气口以引导并将至少二种源气体排出至反应器外部；以及多个隔板，安装于排气渠道内且将排气通道区隔为多个彼此隔离的排气通路，藉此，以不同的路径将多个源气体注入器所提供的至少二种源气体排出至外部。
晶圆上沉积薄膜反应器