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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件测量方法-CN202010349457.9有效
发明人： 李弘祥 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：该发明涉及一种半导体器件测量方法，能够减小对半导体器件的关键尺寸进行测量时的测量误差。所述半导体器件测量方法，用于使用椭圆偏振干涉光谱仪进行半导体器件的关键尺寸测量，包括以下步骤：根据所述半导体器件的标准件的表面形貌特征，获取所述半导体器件表面的至少两种最小重复单元；对所述至少两种最小重复单元进行关键尺寸测量，获取所述至少两种最小重复单元的关键尺寸数据；根据所述至少两种最小重复单元的关键尺寸数据，构建所述椭圆偏振干涉光谱仪内关于所述半导体器件的测量模型；根据所述测量模型对所述半导体器件进行关键尺寸测量。
半导体器件测量方法

[发明专利]半导体器件的制作方法以及半导体器件-CN202210719499.6在审
发明人：章慧;李弘祥;陈卓 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：在基底上形成至少一层具有第一凹槽的材料层，并在第一凹槽内形成填充层；去除部分填充层和部分材料层，至暴露基底，以形成贯穿填充层和材料层的第二凹槽，其中，第二凹槽在基底上的投影位于第一凹槽在基底上的投影内；去除第一凹槽内剩余的填充层，第一凹槽和第二凹槽构成电容孔；在电容孔内形成电容器。该方法得到的电容孔的侧壁的表面积大，从而可以在后续制成电容器的过程中增大介质层的表面积，提升电容能力，进而解决了现有技术中DRAM电容器的电容值提升有限的问题。
半导体器件制作方法以及

[发明专利]模拟晶圆芯片的电性的方法及半导体工艺方法-CN202110119730.3在审
发明人： 李弘祥;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种模拟晶圆芯片的电性的方法，其特征在于，包括：构建数据库，所述数据库包括晶圆芯片经过目标关键工艺后所获得的半导体结构的光谱数据、所述晶圆芯片的实际电性数据以及所述光谱数据与所述实际电性数据之间的对应关系；对目标晶圆芯片执行所述目标关键工艺，获取所述目标晶圆芯片经过所述目标关键工艺后所得的半导体结构的光谱数据，该光谱数据为目标光谱数据；基于获取的所述目标光谱数据及所述数据库模拟出所述目标晶圆芯片的电性数据，该电性数据为目标电性数据。上述模拟晶圆芯片的电性的方法，可以在目标关键工艺后及时评估晶圆芯片的电性参数，便于及时发现晶圆芯片在制备过程中出现的电性异常，减少人力、物力和财力的浪费。
模拟芯片方法半导体工艺

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110004899.4有效
发明人：黄鑫;李弘祥;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构成品率低的技术问题。该半导体结构的制备方法包括：基底包括第一待刻蚀区和位于第一待刻蚀区外侧的第二待刻蚀区，第一待刻蚀区的刻蚀速率与第二待刻蚀区的刻蚀速率不同；同时对第一待刻蚀区和第二待刻蚀区进行至少两次刻蚀，直至第一待刻蚀区和第二待刻蚀区中刻蚀速率较小的一个的刻蚀深度等于目标刻蚀深度；在至少两次刻蚀的过程中，在前一次刻蚀完成后在第一待刻蚀区和第二待刻蚀区回填牺牲材料，并在后一次刻蚀时去除部分牺牲材料。通过在至少两次刻蚀过程之间回填牺牲材料，以减少第一待刻蚀区和第二待刻蚀区的刻蚀深度的差值，提高半导体结构的成品率。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]膜层厚度的测试装置-CN202111202728.9在审
发明人： 李弘祥;黄鑫 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，提出了一种膜层厚度的测试装置，用于测量晶圆的膜厚，膜层厚度的测试装置包括：支撑主体；夹具，夹具设置于支撑主体，夹具用于与晶圆的周向外边缘相接触，以使得晶圆竖直固定于夹具；膜厚测量组件，膜厚测量组件包括光源发送端和接收端，膜厚测量组件用于测量晶圆的膜厚。支撑主体上的夹具将晶圆竖直固定，减小了晶圆的重力对晶圆翘曲度的改变，从而通过膜厚测量组件的光源发送端和接收端能够准确测量得到晶圆的膜层厚度。由于晶圆竖直固定，晶圆在膜层厚度测量过程中翘曲度基本不会发生改变，保证了膜厚测量组件的测试光路光程不受翘曲度的影响，以此获得准确的膜层厚度，从而改善了膜层厚度的测试装置的测试性能。
厚度测试装置

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