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[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件-CN201510390302.9有效
发明人：邓小川;李妍月;陈茜茜;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件。本发明针对SiC VDMOS器件提供的复合栅介质结构，在沟道上方采用高介电常数栅介质/SiO₂堆垛结构，JFET区上方全部采用SiO₂，沟道和JFET区上方栅介质总物理厚度相同。当器件处于正向导通状态时，在栅介质中引入高介电常数材料会使栅介质物理厚度增大，因此可降低栅介质中电场强度，同时不会增大阈值电压；当器件处于阻断状态时，表面电场强度最大处位于JFET区，该区上方厚的SiO₂可降低表面电场最大值，从而降低SiO₂中电场强度。本发明通过降低栅介质中电场强度来减小SiC VDMOS器件中FN隧穿电流，有效提高栅氧化层可靠性。
一种碳化硅 vdmos 器件

[发明专利]一种射频LDMOS晶体管及其制造方法-CN201510290509.9有效
发明人：邓小川;梁坤元;甘志;萧寒;李妍月;张波 -专利权人：电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种射频LDMOS晶体管及其制造方法。本发明的技术方案，主要为将传统的LDMOS法拉第罩设置为多段结构，分段后的金属相互独立，从而使靠近漏端处的金属块浮空，能够改善浮空后金属与其下面漂移区的电势差，从而降低靠近漏端边缘的电场峰值，提高击穿电压。本发明的有益效果为，能够有效改善N型轻掺杂漂移区的电场分布，使之更加均匀，从而可以在保持击穿电压不变条件下提高漂移区掺杂浓度，降低导通电阻。本发明尤其适用于射频LDMOS晶体管及其制造。
一种射频 ldmos 晶体管及其制造方法

[发明专利]过温保护电路-CN201510454566.6有效
发明人：乔明;陈钢;李阳;张晓菲;李妍月;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种过温保护电路，包括恒定电流产生电路、输出控制电路、输出整形电路，恒定电流产生电路用于为过温保护电路提供稳定的电流偏置；输出控制电路用于将温度信号转换为电信号，并控制过温保护电路的输出；输出整形电路用于将输出控制电路的输出信号进行整形输出，第一电阻和M1管用于对芯片温度进行实时检测并作出响应；本发明提出的过温保护电路结构简单，无需任何高精度的电压比较器，所用元器件数量少，对温度的控制精度高，能非常准确的在热关断温度阈值点产生关断信号，便于调试，具有温度滞回功能，防止了芯片在温度阈值点附近热振荡的发生，非常适合于在电源管理或者LED驱动等芯片中使用。
保护电路

[发明专利]一种4H‑SiCUMOSFET栅槽的制作方法-CN201510164939.6有效
发明人：邓小川;李妍月;户金豹;申华军;萧寒;唐亚超;梁坤元;甘志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域。为了克服现有方法制作的SiC UMOSFET器件栅槽侧壁陡直性低、底部具有子沟槽及表面粗糙度高的缺点，提供一种4H‑SiC UMOSFET栅槽的制作方法。该方法包括首先在位于半导体衬底上的半导体外延层表面形成第一介质层，半导体外延层的材料为碳化硅；在第一介质层表面生长第二介质层；在第二介质层上涂覆光刻胶，以光刻胶为掩膜刻蚀第二介质层，形成栅槽区域窗口；去胶后，以第二介质层为掩膜刻蚀第一介质层；清除第二介质层，以第一介质层作为刻蚀栅槽掩膜，利用ICP技术对半导体外延层进行刻蚀栅槽，刻蚀气体包括SF6、O2及Ar，SF6和Ar的气体流量比例为21，O2含量为45％～50％；清除第一介质层形成U型栅槽；适用于制作SiC UMOSFET栅槽。
一种 sic umosfet 制作方法

[发明专利]一种过温保护电路-CN201510454508.3有效
发明人：乔明;陈钢;李妍月;李阳;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种过温保护电路，包括恒定电流产生电路，输出控制电路，输出整形电路，NPN晶体管Q0为控制开关管，滞回控制管M4管既可以为NMOS管也可以为PMOS管，通过过温后引入额外的电流实现温度的滞回，且可以通过调节M4管的宽长比设置滞回温度的大小，本发明提出的过温保护电路结构简单，无需任何高精度的电压比较器，所用器件数量少，输出精度高，能准确的在热关断温度阈值点产生关断信号，便于调试，且具有温度滞回功能，滞回温度设置灵活，防止热振荡现象的产生，非常适合于在电源和驱动电路等芯片中使用。
一种保护电路

[发明专利]用于高边功率开关的过温保护电路-CN201510456262.3有效
发明人：乔明;陈钢;李阳;李妍月;张晓菲;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高边功率开关的过温保护电路，具体包括基准电压产生模块、温度检测模块、输出控制及整形模块、正反馈迟滞模块以及保护模块；基准电压产生模块产生与温度和电源电压无关的稳定电压；温度检测模块将温度信号转化为电压信号；输出控制及整形模块根据检测信号的变化输出过温控制信号；正反馈迟滞模块根据过温输出控制信号调节温度检测信号，实现温度迟滞；本发明提出的过温保护电路可用于高边功率开关等功率集成电路中，热关断阈值点不会随着电源电压的变化而变化，同时本发明能和不同输入控制电平的功率开关电路很好的兼容，适用于各种幅值输入控制电平的高边功率开关电路中。
用于功率开关保护电路

[发明专利]一种碳化硅器件的栅槽制作方法-CN201510124930.2有效
发明人：邓小川;萧寒;户金豹;申华军;李妍月;唐亚超;甘志;梁坤元;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造工艺，特别涉及一种碳化硅UMOS器件的栅槽制作方法。本发明的碳化硅器件的栅槽制作方法，主要是根据栅槽区域窗口对碳化硅外延片上的介质层进行刻蚀，在刻蚀中保留碳化硅上表面部分介质层，然后采用腐蚀工艺对该部分介质层进行腐蚀，使介质层与碳化硅外延片的接触区域形成圆滑的弧形，从而使碳化硅外延片在刻蚀后能形成侧壁陡直、无微沟槽且底脚圆滑的碳化硅栅槽结构。本发明的有益效果为，得到了侧壁陡直、无微沟槽且底脚圆滑的碳化硅栅槽结构，减小了槽栅底部的电场集中效应，提高了器件击穿性能和可靠性。本发明尤其适用于碳化硅器件栅槽结构制作。
一种碳化硅器件制作方法

[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法-CN201510388855.0在审
发明人：邓小川;萧寒;李妍月;唐亚超;甘志;梁坤元;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的第一碳化硅N^-外延层，第一碳化硅N^-外延层中的埋介质槽，第二碳化硅N^-外延层，位于第二碳化硅N^-外延层上部的Pbase区，Pbase区中碳化硅P⁺接触区和N⁺源区形成的源极，多晶硅栅极，多晶硅与半导体之间的二氧化硅介质。本发明通过在碳化硅VDMOS器件JFET区下部引入埋介质槽，优化了碳化硅VDMOS器件栅氧电场，提高了器件的可靠性。
一种碳化硅 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法-CN201510388838.7在审
发明人：邓小川;萧寒;唐亚超;李妍月;梁坤元;甘志;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的碳化硅N^-外延层，位于碳化硅N^-外延层上部的Pbase区，Pbase区中碳化硅P⁺接触区和N⁺源区形成的源极，凹进Pbase区之间形成的JFET区中的凹槽多晶硅，凹进JFET区的多晶硅与半导体之间的二氧化硅介质，围绕在凹进JFET区二氧化硅介质周围的P⁺区。本发明通过在碳化硅VDMOS器件中引入凹槽栅，优化了碳化硅VDMOS器件栅氧电场，提高了器件的可靠性。
一种碳化硅 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]一种射频LDMOS器件及其制造方法-CN201510290535.1在审
发明人：邓小川;甘志;梁坤元;张晓菲;萧寒;李妍月;唐亚超;张波 -专利权人：电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，特别涉及一种射频LDMOS器件及其制造方法。本发明的主要方法为在器件漏端N型轻掺杂区中引入了氧化层区，通过对该氧化层区长度、厚度以及位置的调节，可以在保证不影响器件击穿电压和导通电阻的同时，降低漂移区的等效介电常数，从而降低器件的栅漏电容，提高器件的频率特性。本发明尤其适用于LDMOS器件及其制造。
一种射频 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法-CN201510388822.6在审
发明人：邓小川;萧寒;唐亚超;李妍月;梁坤元;甘志;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的碳化硅N^-外延层，位于碳化硅N^-外延层上部的Pbase区，位于两Pbase区之间形成JFET区中的P⁺层，位于P⁺层上侧、JFET区表面的介质槽，位于Pbase区中碳化硅P⁺接触区和N⁺源区形成的源极，多晶硅栅极，多晶硅与半导体之间的二氧化硅介质。本发明通过在碳化硅VDMOS器件JFET区下部引入埋介质槽，优化了碳化硅VDMOS器件栅氧电场，提高了器件的可靠性。
一种碳化硅 vdmos 器件及其制作方法

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