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[发明专利]一种用于调制超导量子比特跃迁频率的系统及方法-CN202310680483.3有效
发明人：蒋磊;徐昱;李少炜;孙晨寅;孙天佐;江涛;李劲劲;彭承志;朱晓波;潘建伟 -专利权人：中国科学技术大学;合肥国家实验室
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于调制超导量子比特跃迁频率的系统。该系统包括：至少一根射频超导量子干涉装置的偏置线，用于传输调控射频超导量子干涉装置状态的电信号；至少一个射频超导量子干涉装置，其中，射频超导量子干涉装置位于芯片上并放置于超导量子比特附近，射频超导量子干涉装置的滞后参数大于1；至少一个超导量子比特，其中，超导量子比特的跃迁频率通过外加磁通的方式来调制。本发明同时还提供了一种用于调制超导量子比特跃迁频率的方法。
一种用于调制超导量子比特跃迁频率系统方法

[发明专利]一种基于超导单磁通脉冲序列调控量子比特的方法-CN202311003418.3在审
发明人：孙晨寅;李少炜;徐昱;孙天佐;蒋磊;江涛;李劲劲;彭承志;朱晓波;潘建伟 -专利权人：中国科学技术大学;合肥国家实验室
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H04B10/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于超导单磁通脉冲序列调控量子比特的方法，该方法包括获取超导单磁通脉冲序列，其中，超导单磁通脉冲序列是由超导单磁通控制系统根据微波源输出的多个信号波所生成的非等间隔的以字符标识进行表征的脉冲序列；利用电感耦合方式将超导单磁通脉冲序列耦合在初始量子比特上，得到受超导单磁通电路控制的量子比特，并对其进行调控，实现量子比特门操作。通过将数字化的字符标识表征的超导单磁通脉冲序列以电感耦合方式耦合到受控的初始量子比特上，能够得到高保真度的量子比特门，从而降低了超导单磁通控制系统的控制电路产生的准粒子对保真度的影响。
一种基于超导单磁通脉冲序列调控量子比特方法

[发明专利]SQUID器件电磁参数测试方法、装置和计算机设备-CN202010844399.7有效
发明人：蔡裕谦;王雪深;钟青;李劲劲;姜开利 -专利权人：中国计量科学研究院;清华大学
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01R33/035 文献下载
摘要：本申请涉及一种SQUID器件电磁参数测试方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取电磁参数测试的配置信息，根据第一电磁参数的配置信息确定第一电磁参数的各个观测值；采集在第一电磁参数的各个观测值下对应的第二电磁参数的检测值；根据第一电磁参数的各个观测值及对应的第二电磁参数的检测值，确定所述第二电磁参数与第一电磁参数的变化关系，或者，根据第二电磁参数的检测值确定对应的第三电磁的检测值，根据第一电磁参数的各个观测值及对应的第三电磁参数的检测值，确定第三电磁参数与第一电磁参数的变化关系。通过本测试方法可以对SQUID器件进行温度控制、磁场调节，可以准确的监测到SQUID在低温超导态的周期震荡现象，且准确。
squid 器件电磁参数测试方法装置计算机设备

[发明专利]SQUID电流传感器以及制备方法-CN202011631500.7有效
发明人：高鹤;李劲劲;王仕建;刘聪展;李正伟 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01R15/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种SQUID电流传感器以及制备方法。SQUID电流传感器包括第一底电极结构、第二底电极结构、第三底电极结构、第四底电极结构、输入线圈、反馈线圈。第一底电极结构包括第一线圈与第二线圈，且连接。第二底电极结构与第一底电极结构并联连接。第二底电极结构包括第三线圈与第四线圈，且连接。第三底电极结构与第二底电极结构并联连接。第三底电极结构包括第五线圈与第六线圈。第五线圈与第六线圈连接。第四底电极结构与第三底电极结构并联连接。第四底电极结构包括第七线圈与第八线圈。第七线圈与第八线圈连接。输入线圈靠近第一线圈、第三线圈、第五线圈、第七线圈设置。反馈线圈靠近第二线圈、第四线圈、第六线圈、第八线圈设置。
squid 电流传感器以及制备方法

[发明专利]二阶梯度交叉耦合型SQUID电流传感器以及制备方法-CN202011033999.1有效
发明人：徐达;李劲劲;钟青;王雪深 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N60/80 文献下载
摘要：本申请涉及一种二阶梯度交叉耦合型SQUID电流传感器以及制备方法。多个环路电极(SQUID环路的一部分)依次包围间隔设置。多个第一连接结构将多个环路电极并联连接。多个输入环路与多个环路电极依次间隔设置，形成由中心点依次向外间隔设置的结构。多个输入环路串联连接，形成输入线圈。输入线圈与环路电极之间的相互交叉结构，使得SQUID环路与输入线圈形成交叉耦合结构，可以减小寄生电容。并且，通过第一电极结构、第二电极结构、第三电极结构、第四电极结构、第一约瑟夫森结结构、第二约瑟夫森结结构形成的二阶梯度并联电感结构的SQUID环路，可有效抵消外界磁场干扰。
阶梯交叉耦合 squid 电流传感器以及制备方法

[发明专利]超导薄膜、采用掠射角沉积的制备方法、超导转变边沿探测器-CN202211736873.X在审
发明人：徐骁龙;李劲劲;王雪深;陈建;钟青;钟源;曹文会;王仕建 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本申请涉及光探测技术领域，特别是一种超导薄膜、采用掠射角沉积的制备方法、超导转变边沿探测器。以解决相关技术中超导转变温度和热容无法同时降低，从而不利于提高能量分辨率，进而不利于传感效率等的提升的问题。一种超导薄膜的制备方法，包括：在基片上形成层叠的第一膜层和第二膜层，第一膜层的材料包括：超导金属材料，第二膜层的材料包括：正常态金属材料；其中，第一膜层和/或第二膜层采用掠射角沉积制备形成。
超导薄膜采用掠射角沉积制备方法转变边沿探测器

[发明专利]一种基于超导量子干涉器的平面梯度计及其制备方法-CN202310174340.5在审
发明人：徐达;李劲劲;钟青;王雪深 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01R33/022 文献下载
摘要：一种基于超导量子干涉器的平面梯度计及其制备方法，平面梯度计包括拾取线圈、SQUID超导环路、输入线圈以及反馈线圈；拾取线圈用于拾取微弱梯度磁场信号，拾取线圈与输入线圈相连；SQUID超导环路由若干环路单元组成；输入线圈用于向SQUID超导环路输入微弱梯度磁场信号，输入线圈设置于SQUID超导环路的表面，且输入线圈与SQUID超导环路绝缘设置；反馈线圈用于磁通锁定，反馈线圈设置于SQUID超导环路的表面，且反馈线圈与SQUID超导环路绝缘设置。本发明比绕轴梯度计具有更好的平衡水平，其输入线圈与超导环路采用重叠耦合方式，输入线圈具有更多匝数，也就具有更高的耦合系数，输入线圈与拾取线圈无损耗连接、电感相匹配，具有更好的磁通转换效率。
一种基于超导量子干涉平面梯度及其制备方法

[发明专利]可容错的约瑟夫森结阵、动态三进制设计方法及设备-CN202310189237.8在审
发明人：曹文会;杨二昆;李劲劲;马孟泽;钟源;钟青;乔瓛 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06F30/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种可容错的约瑟夫森结阵、动态三进制设计方法及设备，所述方法包括步骤：预先设计约瑟夫森结阵为动态三进制结阵；测试分析制作完成的约瑟夫森结阵是否出现超导短路；若是，则判断超导短路导致段中缺失的结数是否超出预设的缺失结数阈值；若未超出，则判断该约瑟夫森结阵正常。在约瑟夫森结阵的制作出现超导短路导致的结数缺失问题时，采用本发明的可容错的设计方法，使得约瑟夫森结阵仍可以正常工作，并且其电压输出精度不受影响。
容错约瑟夫森结阵动态三进制设计方法设备

[发明专利]超导薄膜、采用共沉积的制备方法、超导转变边沿探测器、应用-CN202111426732.3有效
发明人：徐骁龙;李劲劲;王雪深;陈建;钟青;钟源;曹文会;王仕建 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2021-11-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种超导薄膜、制备方法、超导转变边沿探测器及应用。该超导薄膜包括超导金属膜层、合金膜层和正常态金属膜层，所述合金膜层的合金包括所述超导金属膜层中的超导金属与所述正常态金属膜层中的正常态金属，所述合金膜层层叠设置于所述超导金属膜层与所述正常态金属膜层之间。合金膜层的引入不仅能够有效降低超导薄膜的超导转变温度，还能够用于在维持该超导薄膜整体的热容不变的情况下调控超导薄膜整体的超导转变温度。
超导薄膜采用沉积制备方法转变边沿探测器应用

[发明专利]一种晶圆级电化学腐蚀系统及薄膜剥离工艺-CN202211476806.9在审
发明人：朱承峰;王振宇;王雪深;陈建;徐骁龙;李劲劲 -专利权人：中国计量大学;中国计量科学研究院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C25F7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆级电化学腐蚀系统，包括：腐蚀槽，腐蚀槽内部左右两侧设有竖槽，用于安装和固定阴极和阳极，竖槽内设置有用于固定晶圆的阳极架；腐蚀液，盛放于腐蚀槽内；阴极，包括绝缘材质的平板，平板上贴附有金属板；阳极，包括阳极架，阳极架为工字形结构，中部圆弧形长槽长度与待固定晶圆直径相同，长槽上下两端通过螺丝用防腐蚀材质压片固定晶圆；氮气鼓气系统，通过在腐蚀槽侧面或者底面位置开孔，接入氮气；上位机控制系统，用于控制电化学腐蚀实验进度以及参数的记录；源表，接入于阴极、阳极之间的回路中，用于控制输出恒、变电压，同时测试回路中电压和电流。本发明为晶圆的金属牺牲层释放提供了便捷的实验条件。
一种晶圆级电化学腐蚀系统薄膜剥离工艺

[发明专利]一种晶圆级阳极氧化系统及方法-CN202310091852.5在审
发明人：王雪深;李劲劲;陈建;王振宇;李万;王仕建 -专利权人：合肥国家实验室;中国计量科学研究院
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C25D11/32 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆级阳极氧化系统及方法，氧化系统包括控制模块、数字源表、阳极、阴极和电解槽，阳极为位于晶圆上的金属；控制模块与数字源表的第一端相连，用于控制数字源表输出电流；数字源表的第二端和第三端分别连接阳极和阴极，用于向阳极和阴极输入电流，以在阳极和阴极之间形成电场，对阳极金属氧化，数字源表用于测量阳极和阴极之间的电压，电压与阳极氧化形成的氧化膜的厚度基本成线性关系；电解槽中盛有电解液，阳极和阴极位于电解液中。观察阳极和阴极之间的电压变化可以确定阳极氧化膜的厚度，通过控制模块可以随时暂停或开启阳极氧化，实现可控厚度的晶圆级金属阳极氧化，具有稳定性。
一种晶圆级阳极氧化系统方法

[发明专利]一种可实现宽波段能量探测的TES探测器-CN202211557700.1在审
发明人：陈建;王雪深;李万;胡家昊;李劲劲;徐骁龙 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N60/85 文献下载
摘要：本申请涉及一种可实现宽波段能量探测的TES探测器，包括：热沉；TES主体，设置在热沉的中心；导热薄膜，覆盖在TES主体上，具有两个以上的分支；TES主体的正上方通过环氧树脂将厚度为H6的厚块状超导体材料的主吸收体直接粘结在表面，主吸收体E朝向TES主体的正投影能够遮盖整个TES主体；还包括多个不同规格的吸收体中的一种或多种。本发明的有益效果是：能够兼容多种波段，扩大了TES探测器的适用范围。
一种实现波段能量探测 tes 探测器

[发明专利]一种绝缘层平坦化方法-CN202310117462.0在审
发明人：钟源;梁聪聪;李劲劲;钟青;曹文会;王雪深 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本申请涉及一种绝缘层平坦化方法，使用光刻胶做为牺牲层来实现局部平坦化，结合简单并且精确的激光反射强度曲线随刻蚀过程的变化曲线来判断刻蚀终止点，即判断刻蚀到下层Nb膜时停止刻蚀。本方法中只要保证光刻胶的厚度和刻蚀选择比，可以实现效果良好的局部平坦化。这个方法工艺简单，大大减少了工艺步骤，与未进行平坦化的工艺相比，实现了局部平坦化，消除了上层Nb膜的晶界裂纹问题，并且直接刻蚀到下电极处，可直接跳过过孔的光刻和刻蚀步骤，减少了工艺流程。相比化学机械抛光的全局平坦化的工艺，减少了两次光刻和化学机械抛光步骤，大大提高了工艺的效率，也减少了化学机械抛光引入的抛光液污染。
一种绝缘平坦方法

[发明专利]抛光液注入装置及抛光系统-CN202111413355.X有效
发明人：赵欣;李劲劲;曹文会;钟源 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光液注入装置及抛光系统。该抛光液注入装置包括固定机构及注入机构；固定机构用于将注入机构固定于抛光装置的抛光面上且不随抛光面一同转动；注入机构沿抛光面的转动方向依次包括刮水部、喷水部及布水部，喷水部用于喷出抛光液，布水部用于将喷水部喷出的抛光液均匀分布在抛光面上，刮水部用于刮除抛光面上经抛光产生的废液。该抛光液注入装置既可以保证材料去除率的均匀性，也可以避免抛光液的浪费。
抛光注入装置系统

[发明专利]一阶梯度串联型SQUID电流传感器以及制备方法-CN202210907762.4在审
发明人：徐达;李劲劲;钟青;王雪深 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种一阶梯度串联型SQUID电流传感器以及制备方法。输入线圈绝缘设置于环路电极的表面，形成输入线圈与环路电极上下重叠耦合结构，使得输入线圈与SQUID环路的耦合更加匹配，增大了耦合系数。第一约瑟夫森结构的第一超导薄膜结构设置于环路电极的第一端，第二约瑟夫森结构的第一超导薄膜结构设置于环路电极的第二端，形成了一阶梯度串联电感结构的SQUID，可有效抵消外界磁场干扰。并且，反馈线圈围绕环路电极设置为输入线圈与SQUID环路提供稳定的磁场环境。
一阶梯度串联 squid 电流传感器以及制备方法

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