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[发明专利]一种高强轻质电缆桥架-CN202310315032.X在审
发明人： 李佳帅 -专利权人： 李佳帅
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本发明属于电缆桥架技术领域，具体涉及一种高强轻质电缆桥架。本发明提供了一种高强轻质电缆桥架，有益效果为本发明能够在方便电缆布线的同时兼顾多种不同电缆的集成布设。一种高强轻质电缆桥架，包括架体，及架体上滑动连接的多个滑动套，多个滑动套分别设置在架体底面及左右两侧，及转动连接在对应的两个滑动套上的两个底部隔板和两个中间隔板，及可拆卸固接在架体上的桥架盖，及桥架盖上铰接的两个上隔板。所述架体内侧固接有六根滑动杆，六根滑动杆两两一组分别设置在架体的左侧、右侧及底面上，所述多个滑动套皆套接在对应的滑动杆上，架体外侧固接有多片薄钢板，多片薄钢板分别贴覆在架体的左侧、右侧及底面上，架体底面固接有底架。
一种高强电缆

[发明专利]一种碳化硅沟槽刻蚀方法-CN202310081853.1在审
发明人：宋安英;李佳帅;张瑜洁 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅沟槽刻蚀方法，通过在存在微沟槽的沟槽底部进行高浓度离子注入使注入区的SiC非晶化，进而使用湿法溶液将非晶层去除，通过去除沟槽底部的非晶层可以得到圆滑的SiC沟槽；避免了复杂且耗时耗力的干刻工艺参数调整优化，在保证侧壁角度的同时改善了微沟槽的问题，放宽了工艺窗口。
一种碳化硅沟槽刻蚀方法

[发明专利]一种SiC衬底光滑侧壁的刻蚀方法-CN202310164981.2在审
发明人：宋安英;李佳帅;张瑜洁 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC衬底光滑侧壁的刻蚀方法，包括：对SiC衬底进行标准清洗；在SiC衬底表面淀积掩膜层；在掩膜层上进行光刻形成设定图形的光刻胶；去除光刻胶未覆盖区域的掩膜层，将光刻版的图形转移到掩膜层上；去除光刻胶；对SiC衬底进行干法刻蚀，形成台面或沟槽，刻蚀后保留掩膜层；对SiC衬底上的台面或沟槽的侧壁进行离子注入，根据离子种类选择相应的注入剂量和注入能量，形成所需厚度的非晶层；湿法去除掩膜层；通过湿法腐蚀对非晶层进行腐蚀，形成光滑侧壁；最后对SiC衬底进行后处理清洗，简化了工艺流程，并且可以得到光滑的侧壁。
一种 sic 衬底光滑侧壁刻蚀方法

[外观设计]汽车-CN202230843237.1有效
发明人：郝芳芳;郭钰晓;李佳帅;李情格;刘瑞敏;林涛;胡涛生;杨永俊 -专利权人：长城汽车股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： 12-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：汽车。2.本外观设计产品的用途：用于交通运输工具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.本外观设计产品的底面为使用时不容易看到或看不到的部位，省略仰视图。
汽车

[外观设计]汽车模型-CN202230843656.5有效
发明人：郝芳芳;郭钰晓;李佳帅;李情格;刘瑞敏;林涛;胡涛生;杨永俊 -专利权人：长城汽车股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： 21-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：汽车模型。2.本外观设计产品的用途：用于汽车模型或玩具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.本外观设计产品的底面为使用时不容易看到或看不到的部位，省略仰视图。
汽车模型

[实用新型]一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET-CN202222062924.7有效
发明人：张长沙;周海;李佳帅;单体玮 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有耐压结构的碳化硅MOSFET，包括：第一N‑型漂移层、N+低阻导电区和第二N‑型漂移层设于碳化硅衬底的上侧面；第一P型耐压夹断区设于第一N‑型漂移层上，且第一P型耐压夹断区侧面连接至N+低阻导电区侧面；至少一个横向PN模块，横向PN模块设于第一N‑型漂移层上，且横向PN模块侧面连接至第一P型耐压夹断区侧面；N+源区设于横向PN模块上；源极金属层分别连接N+源区；栅极绝缘层连接至第二N‑型漂移层、N+低阻导电区、第一P型耐压夹断区以及横向PN模块；栅极金属层连接至栅极绝缘层；以及，漏极金属层连接至碳化硅衬底的下侧面；提高了器件的耐压，满足耐压领域的使用要求。
一种具有耐压结构碳化硅 mosfet

[发明专利]一种造浪装置-CN202110635795.3有效
发明人：李冰;李铭泽;李佳帅;李恩超 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01M10/00 文献下载
摘要：本发明为一种造浪装置，本发明涉及一种海况模拟装置，特别是涉及一种实验室用海况模拟装置；解决了实验室空间内制造波浪，模拟海况的技术问题。本发明采用多个推浪板铰接在同一个支撑梁的方式，让各个推浪板以相同的基准组成一个单元，再与支架、伸缩驱动单元组合。在推浪板的后方，即推浪板与水池壁之间设置挡板，在制造波浪的过程中，能有效防止水从水池内冲出，同时保护水池不受水的冲击；推浪板的两侧设有侧板，能有效削弱相邻推浪板在做交替推拉的运动时在相邻处产生乱流对模拟波浪造成的影响。本发明主要用于制造波浪、模拟海况。
一种装置

[发明专利]一种集成肖特基的碳化硅UMOSFET的制造方法-CN202310104836.5在审
发明人：李昀佶;张长沙;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成肖特基的碳化硅UMOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成掩蔽层；重新形成阻挡层，并对阻挡层和漂移层进行蚀刻形成沟槽；氧化所述沟槽，形成绝缘层；在绝缘层内淀积，形成栅极；重新形成阻挡层，蚀刻，离子注入，形成源区；重新形成阻挡层，蚀刻，淀积金属，形成肖特基金属层；重新形成阻挡层，蚀刻，淀积金属，形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，对栅极淀积金属，形成栅极金属层；清除阻挡层，对碳化硅衬底淀积金属，形成漏极金属层；降低该部分的栅极电场强度，解决栅击穿问题，优化反向恢复特性和续流特性。
一种集成肖特基碳化硅 umosfet 制造方法

[发明专利]一种燃料电池系统瞬态控制方法-CN202211560713.4有效
发明人：杨天;魏松茂;王子龙;李佳帅;于佩良;方海峰;姚占辉;王佳;丁振森;胡济民;郝剑虹;杨国樑;王东升;赵明丽 -专利权人：中国汽车技术研究中心有限公司;中汽研（天津）汽车工程研究院有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01M8/04858 文献下载
摘要：本发明提供了一种燃料电池系统瞬态控制方法，在升功率阶段执行升功率控制方法，在降功率阶段执行降功率控制方法，保证燃料电池系统动态响应的同时，有效优化燃料电池寿命和动力电池寿命。本发明有益效果：根据电气系统、阴极系统、阳极系统的响应速率，以及燃料电池在升功率和降功率过程中的状态特征，提出了一种燃料电池系统瞬态控制方法，根据需求功率的变化，确定进入升功率控制流程还是降功率控制流程，区分不同的控制流程，可以有效优化燃料电池寿命和动力电池寿命。
一种燃料电池系统瞬态控制方法

[实用新型]一种提高电流能力的碳化硅MOSFET-CN202222063034.8有效
发明人：张长沙;李佳帅;张瑜洁;何佳 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种提高电流能力的碳化硅MOSFET，包括：漂移层设于碳化硅衬底的上侧面；漂移层上设有倒凸字形的沟槽；沟槽内设有一N+低阻导电区以及P型夹断区，P型夹断区为倒凹字形，N+低阻导电区设于所述漂移层以及P型夹断区内，N+低阻导电区底部连接至所述碳化硅衬底；P+夹断区设于漂移层上，且与P型夹断区连接；N+源区分别连接P+夹断区以及所述P型夹断区；源极金属层分别连接P型夹断区、P+夹断区以及所述N+源区；栅极绝缘层连接至P型夹断区；栅极金属层连接至栅极绝缘层；以及漏极金属层连接至碳化硅衬底的下侧面，利用了器件纵向的空间构建两路电流通路，来提高器件的电流密度，降低导通电阻。
一种提高电流能力碳化硅 mosfet

[实用新型]一种双沟槽型碳化硅MOSFET-CN202222210019.1有效
发明人：张长沙;李昀佶;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双沟槽型碳化硅MOSFET，包括：漂移层设于碳化硅衬底上侧面，漂移层上设有第一凸起部以及第二凸起部；夹断层设于漂移层上，夹断层上设有第一源区、第二源区、第三源区以及第四源区；第一绝缘层设于夹断层上；第二绝缘层设于夹断层上；源极金属层连接至第一源区、第二源区、第三源区以及第四源区；多晶硅栅极分别连接第一多晶硅层以及第二多晶硅层；以及，漏极金属层设于碳化硅衬底下侧面，内部的电流分配更均匀，避免了热集中，提高了器件可靠性。
一种沟槽碳化硅 mosfet

[实用新型]一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET-CN202222210041.6有效
发明人：张长沙;李昀佶;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET，包括：第一栅极绝缘层设于碳化硅衬底上侧面；第二栅极绝缘层设于碳化硅衬底下侧面；第一栅极金属层设于第一栅极绝缘层上；第二栅极金属层设于第二栅极绝缘层上；第一N型区设于碳化硅衬底左侧，第一N型区内设有上下对称的第一源区以及第二源区；第二N型区设于所述碳化硅衬底右侧，第二N型区内设有上下对称的第三源区以及第四源区；第一源极金属层连接至第一源区；第二源极金属层连接至第二源区；第一漏极金属层连接至第三源区；以及，第二漏极金属层连接至第四源区，提高器件的电流能力，增加器件驱动能力。
一种提高电流能力对称碳化硅 mosfet

[实用新型]一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET-CN202222048995.1有效
发明人：张瑜洁;张长沙;李佳帅;何佳 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET，包括碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有沟槽，所述沟槽内设有掩蔽层以及导电区；夹断区，所述夹断区设于所述漂移层上侧面，且所述夹断区底面连接至所述导电区以及掩蔽层，夹断区内设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层底面连接至所述掩蔽层，所述夹断区上设有源区，所述源区的侧面连接至所述栅极绝缘层的一侧面；栅极，所述栅极设于所述栅极绝缘层内；源极金属层，所述源极金属层连接至所述夹断区以及源区；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至碳化硅衬底的下侧面，提高器件开关速度，降低导通电阻。
一种对称沟槽碳化硅 mosfet

[发明专利]一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法-CN202210935428.X在审
发明人：张瑜洁;张长沙;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，包括在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成掩蔽层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成导电区；去除阻挡层，行离子注入，形成夹断区；重新形成阻挡层，并对阻挡层以及夹断区蚀刻形成栅极区，氧化栅极区，形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上淀积栅极；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对夹断区进行离子注入，以形成源区；通过金属淀积，分别形成源极金属层、栅极金属层以及漏极金属层，提高器件开关速度，降低导通电阻。
一种对称沟槽碳化硅 mosfet 制造方法

[发明专利]一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法-CN202211003002.7有效
发明人：张长沙;李昀佶;李佳帅;何佳 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底上方形成第一N型区以及第二N型区；对第一N型区以及第二N型区进行离子注入，形成第一源区、第二源区、第三源区以及第四源区；在碳化硅衬底上方重新形成第一阻挡层，并对第一阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底进行氧化，形成第一栅极绝缘层；在碳化硅衬底下方重新形成第二阻挡层，并对第二阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底进行氧化，形成第二栅极绝缘层；通过淀积方式，形成第一源极金属层、第二源极金属层、第一漏极金属层、第二漏极金属层、第一栅极金属层以及第二栅极金属层，提高器件的电流能力，增加器件驱动能力。
一种提高电流能力对称碳化硅 mosfet 制造方法

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