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[发明专利]基于蓝宝石衬底的多层氧化镓薄膜及其生长方法-CN201510396978.9在审
发明人：冯倩;李付国;代波;谢文林;徐通;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的多层氧化镓薄膜及其生长方法，主要解决现有氧化镓薄膜的表面形貌差和晶粒尺寸小的问题。该氧化镓薄膜包括蓝宝石衬底和氧化镓外延层，其特征在于：氧化镓外延层设为多层，且自下而上每层氧化镓外延层的下面设有8～12nm厚的氧化镓缓冲层，以在衬底上形成缓冲层与外延层交替分布的复合结构。本发明降低了Ga2O3薄膜表面的粗糙度，改善了Ga2O3薄膜的表面形貌，增大了Ga2O3晶粒尺寸，可用于制作半导体功率器件。
基于蓝宝石衬底多层氧化薄膜及其生长方法

[发明专利]基于MgO衬底的氧化镓薄膜及其生长方法-CN201510398366.3在审
发明人：冯倩;李付国;代波;谢文林;徐通;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MgO衬底的氧化镓薄膜及其生长方法，主要解决现有氧化镓薄膜的表面形貌差和晶粒尺寸小的问题。该氧化镓薄膜包括MgO衬底(1)和氧化镓外延层(3)，其特征在于：MgO衬底(1)与氧化镓外延层(3)之间设有5-10nm的氧化镓缓冲层(2)，并利用热退火提高氧化镓缓冲层的结晶质量。本发明降低了Ga2O3薄膜表面的粗糙度，改善了Ga2O3薄膜的表面形貌，增大了Ga2O3晶粒尺寸，可用于制作半导体功率器件。
基于 mgo 衬底氧化薄膜及其生长方法

[发明专利]基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜及其生长方法-CN201510397660.2在审
发明人：冯倩;李付国;代波;谢文林;徐通;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜及其生长方法，主要解决现有氧化镓薄膜的表面形貌差和晶粒尺寸小的问题。该氧化镓薄膜包括蓝宝石衬底(1)和氧化镓外延层(3)，其特征在于：蓝宝石衬底(1)与氧化镓外延层(3)之间设有7-12nm的氧化镓缓冲层(2)，并利用热退火提高氧化镓缓冲层的结晶质量。本发明降低了Ga2O3薄膜表面的粗糙度，改善了Ga2O3薄膜的表面形貌，增大了Ga2O3晶粒尺寸，可用于制作半导体功率器件。
基于蓝宝石衬底氧化薄膜及其生长方法

[发明专利]基于GaAs衬底的氧化镓薄膜及其生长方法-CN201510397556.3在审
发明人：冯倩;李付国;代波;谢文林;徐通;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaAs衬底的氧化镓薄膜及其生长方法，主要解决现有氧化镓薄膜的表面形貌差和晶粒尺寸小的问题。该氧化镓薄膜包括GaAs衬底(1)和氧化镓外延层(3)，其特征在于：GaAs衬底(1)与氧化镓外延层(3)之间设有6-12nm的氧化镓缓冲层(2)，并利用热退火提高氧化镓缓冲层的结晶质量。本发明降低了Ga2O3薄膜表面的粗糙度，改善了Ga2O3薄膜的表面形貌，增大了Ga2O3晶粒尺寸，可用于制作半导体功率器件。
基于 gaas 衬底氧化薄膜及其生长方法

[发明专利]基于MgO衬底的多层氧化镓薄膜及其生长方法-CN201510398151.1在审
发明人：冯倩;李付国;代波;谢文林;徐通;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MgO衬底的多层氧化镓薄膜及其生长方法，主要解决现有氧化镓薄膜的表面形貌差和晶粒尺寸小的问题。该氧化镓薄膜包括MgO衬底和氧化镓外延层，其特征在于：氧化镓外延层设为多层，且自下而上每层氧化镓外延层的下面设有5～10nm厚的氧化镓缓冲层，以在衬底上形成缓冲层与外延层交替分布的复合结构。本发明降低了Ga2O3薄膜表面的粗糙度，改善了Ga2O3薄膜的表面形貌，增大了Ga2O3晶粒尺寸，可用于制作半导体功率器件。
基于 mgo 衬底多层氧化薄膜及其生长方法

[发明专利]一种N-甲基哌嗪的制备方法-CN201510010487.6有效
发明人：丁可;陈长生;李付国;李昂;信勇;崔兵;胡江林;刘运海;舒磊;曾伟 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： C07D295/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种N-甲基哌嗪的制备方法。包括以下步骤：(1)亚氨基二乙腈(IDAN)与甲醛在酸性条件下制备N-甲基亚氨基二乙腈；(2)将N-甲基亚氨基二乙腈在70～140℃，2～8MPa下，在以分子筛改性的锆系超强酸为载体，Fe、Co、Ni、Ru和Rh中的一种或两种或多种为活性金属的加氢催化剂下进行加氢反应得到N-甲基哌嗪。与现有工艺相比，采用本发明的催化剂有N-甲基哌嗪的收率高，且原料廉价易得，设备投资少的优点。
一种甲基制备方法

[发明专利]一种制备3-氨甲基-3，5，5-三甲基环己胺的方法-CN201310150811.5有效
发明人： 李付国;姜进科;陈忠英;王静;崔娇英;陈长生;李昂;吕成戈;丁可;黎源 -专利权人：万华化学集团股份有限公司;万华化学（宁波）有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C07C211/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备3-氨甲基-3,5,5-三甲基环己胺的方法，首先使3-氰基-3,5,5-三甲基环己酮与氨反应，生成3-氰基-3,5,5-三甲基环己基亚胺，3-氰基-3,5,5-三甲基环己基亚胺继续与氢气、氨在加氢催化剂存在下进行反应转化成3-氰基-3,5,5-三甲基环己胺，脱去反应液中的氨后，再将3-氰基-3,5,5-三甲基环己基胺的进料流在氢气和加氢催化剂存在下进行反应生成3-氨甲基-3,5,5-三甲基环己胺。本方法降低反应压力，减少了投资成本，极大的降低了高压液氨泄露所带来的风险。
一种制备甲基环己胺方法

[发明专利]一种提高钢筋拉拔韧性的变通道模具-CN201410078486.0无效
发明人：王瑞亭;李付国;李江 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： B21C3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高钢筋拉拔韧性的变通道模具，采用上模和下模扣合安装，模具形成变通道变截面的模具型腔。模具型腔依次为调直段，变形段和定径段，调直段为钢筋拉拔前区段，型腔横截面为大的圆截面，定径段为钢筋拉拔后区段，型腔横截面为小的圆截面。变形段的模具型腔分为大圆到椭圆的过渡扭转段和椭圆到小圆的过渡扭转段。各区段的截面形状先由大的圆形截面逐渐变形成扭转的椭圆形截面，再由扭转的椭圆形截面逐渐变成小的圆形截面，最后经过定径区段成型出所需要的冷拉强化钢筋。采用变通道变截面模具在钢筋冷加工中，模具对材料的韧性损伤小，多区段变形情况下可细化金属晶粒，在提高冷拉拔钢筋强度的同时获得良好的韧性。
一种提高钢筋拉拔韧性通道模具

[发明专利]一种N¹-(2-氨乙基)-1,2-乙二胺的制备方法-CN201310596220.0有效
发明人：丁可;陈长生;李付国;李昂;崔兵;黎源 -专利权人：万华化学集团股份有限公司;万华化学(宁波)有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C07C211/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种N1-(2-氨乙基)-1,2-乙二胺（DETA）的制备方法。该方法包括：（1）亚氨基二乙腈(IDAN)溶液、酸性助剂和氢气在第一加氢催化剂的催化下进行第一加氢反应得到第一加氢反应液；（2）第一加氢反应液、碱性助剂、氢气在第二加氢催化剂的催化下进行第二加氢反应得到DETA反应液。与现有工艺相比，采用本发明的方法可以较大提高IDAN的转化率，较大提高目标产物的收率，加强催化剂的稳定性。
一种 sup 乙基乙二胺制备方法

[发明专利]一种粉末高温合金制坯的等通道挤压模具-CN201310379830.5无效
发明人：董俊哲;李付国;王磊;汪程鹏;杨雅静 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： B21C25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉末高温合金制坯的等通道挤压模具，是一种用于改善粉末高温合金坯料组织特征的等通道挤压模具，锻坯进入模具后，其截面分别经过圆截面到椭圆截面扭转到圆截面，这种变形为扭转剪切变形和挤压变形的结合，实现了一道次挤压过程中多种变形模式的组合。在变形扭转过渡段，由于椭圆扭转面的扭转变形，坯料在剪切应力的作用下，发生转动和剪切应变，实现晶粒的剪切破碎，达到细化晶粒的效果。同时，由于坯料受到型腔的限制，处于压应力状态下的坯料晶间变形困难，可抑制变形体原存在的各种微观缺陷的发展。由于挤压过程晶粒细化效果明显，原始颗粒边界消除彻底，粉末高温合金坯料的综合力学性能得到明显提高。
一种粉末高温合金通道挤压模具

[发明专利]采用三阶非均匀有理B样条设计齿轮锻件锻模的方法-CN201310004020.1无效
发明人：冀国良;李付国;袁战伟 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： B21K1/30 文献下载
摘要：一种采用三阶非均匀有理B样条设计齿轮锻件锻模的方法，根据齿轮锻件的尺寸形状，确定代表齿轮锻件轴对称基本形状的特征点K1、K2、K3、K4，并以各特征点作为设计齿轮锻件模具三阶非均匀有理B样条曲线和曲面的依据。在确定成形镦粗模膛的轮廓形状时，使成形镦粗模膛的轮廓剖面的形状为曲线，并且成形镦粗模膛轮廓形状曲线的线段的点与齿轮锻件的特征点K1、K2、K3、K4分别对应。本发明简化了较复杂齿轮锻件预成形镦粗-终锻的工艺流程，使较复杂齿轮锻件预成形经过两个工序、一次加热，仅使用一套模具即可完成较复杂齿轮锻件的成形，有效降低了成本、提高了工效。
采用三阶非均匀有理设计齿轮锻件锻模方法

[实用新型]一种波形辊-CN201220535874.3有效
发明人：袁战伟;李付国;乔慧娟;杨雅静 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： B21B27/02 文献下载
摘要：一种波形辊，上辊和下辊分别位于所述该辊轧装置挡板的上表面和下表面，并通过辊轴固定在轧机机架上；上辊的大直径端与下辊的小直径端对应，并使上辊波形齿的齿顶与下辊波形齿的齿根对应；安装后的上辊的中心线与下辊的中心线相互平行。所述上辊和下辊的外表面为波形，由波形面的波峰形成了波形齿。本实用新型能实现对轴类零件的均匀塑性加工，改善材料微观组织，能有效消除原材料缺陷，成形方法简单，操作简便，生产自动化水平高，且连续加工性能好，提高产品的生产效率。
一种波形

[发明专利]3-氨甲基-3,5,5-三甲基环己胺的制备方法-CN201210440847.2有效
发明人：陈长生;姜进科;陈忠英;崔娇英;王静;李付国;吕成戈;赵文娟;黎源;华卫琦 -专利权人：烟台万华聚氨酯股份有限公司;宁波万华聚氨酯有限公司
申请日： 2013-01-07 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C07C211/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种3-氨甲基-3，5，5-三甲基环己胺的制备方法。该方法包括：a)使3-氰基-3，5，5-三甲基环己酮与过量的伯胺反应，同时除去反应生成的水，使IPN基本上全部转化为亚胺化合物；b)在氨解催化剂存在下，将步骤a)中所得产物与液氨混合并使所述亚胺化合物进行氨解反应生成3-氰基-3，5，5-三甲基环己基亚胺和所述伯胺；和c)在氢气和加氢催化剂的存在下对步骤b)得到的3-氰基-3，5，5-三甲基环己基亚胺进行加氢反应得到3-氨甲基-3，5，5-三甲基环己胺。本发明的方法避免了以往技术中主要副产物3，5，5-三甲基环己醇以及3-氨甲基-3，5，5-三甲基环己醇的生成，提高了3-氨甲基-3，5，5-三甲基环己胺的收率。
甲基环己胺制备方法

[发明专利]一种无水哌嗪的制备方法-CN201110240169.0有效
发明人： 李付国;黎源;丁可;赵文娟;华卫琦 -专利权人：烟台万华聚氨酯股份有限公司;宁波万华聚氨酯有限公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C07D295/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种无水哌嗪的制备方法，采用加氢反应器，将亚氨基二乙腈溶于有机溶剂中，在反应温度为70～110℃，反应压力为1～10Mpa的条件下，在负载型催化剂存在下与氢气进行加氢-环合反应，反应液经提纯得无水哌嗪，同时副产一部分多烯多胺；所述的负载型催化剂包含活性组分、助剂元素及酸性载体，其中，活性组分为Fe、Co、Ni、Ru或Rh中的一种或多种，优选Co和/或Ni，以载体质量为基准，活性组分为载体质量的10～60wt％，助剂元素为载体质量的0～10wt％。通过本发明的方法可高收率的得到哌嗪，哌嗪收率最高可达90％以上。
一种无水制备方法

[实用新型]一种成形带环形内加强筋回转体薄壁件的芯模-CN201220350479.8有效
发明人：李江;李付国;张明杰;王瑞亭 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： B21J13/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种成形带环形内加强筋回转体薄壁件的芯模，基模由基模主体和拔模端组成，基模主体上开有燕尾凹槽和定位槽，形模整体为圆环结构，将形模均匀分割成多个形状相同的分模，分模成形面上有用于环形内加强筋的成形弧形凹槽，分模内表面上有燕尾榫头，用于与燕尾凹槽和定位槽配合。本实用新型采用了组合芯模的方式解决了回转体薄壁件内加强筋的成形过程中脱模难的问题。基模燕尾凹槽上的定位槽能够有效防止形模的移动，提高回转体薄壁件内加强筋的成形精度。芯模的基模、形模和固定销按照各自强度要求可采用不同金属材料；对于成形内径尺寸相同、内加强筋形状不同的回转体薄壁件只需更换形模即可，大大降低了模具的成本。
一种成形环形加强回转薄壁

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